臺積電計劃建立首個(gè)歐洲設計中心瞄準5納米車(chē)用MRAM

TSMC 將在歐洲建立其第一個(gè)設計中心，并正在尋求汽車(chē)應用內存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設計中心 （EUDC） 將設在慕尼黑，預計將專(zhuān)注于汽車(chē)，但也將支持工業(yè)應用、人工智能 （AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的芯片設計。

考慮到這一點(diǎn)，臺積電已對其 28nm 電阻式 RRAM 存儲器進(jìn)行了汽車(chē)應用認證，預計 12nm 版本將滿(mǎn)足同樣嚴格的汽車(chē)質(zhì)量要求，并計劃推出 6nm 版本。它還計劃推出 5nm MRAM 磁性存儲器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術(shù)上閃存的關(guān)鍵替代品。臺積電的 22 納米 MRAM 正在生產(chǎn)中，16 納米 MRAM 已準備好為客戶(hù)提供 12 納米 MRAM 正在開(kāi)發(fā)中。

然而，臺積電也在驗證 MRAM 和 RRAM，以便將來(lái)分別擴展到 5nm 和 6nm。這是擴展車(chē)輛中 ADAS 和 AI 芯片內存的重要一步。

EUDC 加入了臺積電現有的全球網(wǎng)絡(luò )，該網(wǎng)絡(luò )由位于臺灣、美國、加拿大、中國大陸和日本的九個(gè)設計中心組成，預計將于 2025 年第三季度開(kāi)業(yè)。

汽車(chē)是臺積電今天在阿姆斯特丹舉行的技術(shù)研討會(huì )上的重點(diǎn)，臺積電預計其 3nm 工藝將在今年晚些時(shí)候獲得汽車(chē)使用資格。這將用于下一代中央 AI 和 ADAS 芯片，以及 12nm 電阻式 RRAM 存儲器。

智能汽車(chē)技術(shù)包括汽車(chē)級先進(jìn)封裝、橫向溢出集成電容器 （LOFIC） 圖像傳感器，用于處理光線(xiàn)條件的突然變化，由 TSMC 的 3D 高密度金屬絕緣體金屬 （MiM） 電容器實(shí)現

對于汽車(chē) ADAS，它提供超過(guò) 100 dB 的 LED 無(wú)閃爍動(dòng)態(tài)范圍，而不會(huì )影響光性能和生成。

在物聯(lián)網(wǎng)方面，臺積電已經(jīng)開(kāi)始探索性開(kāi)發(fā)其 4nm N4e 工藝，旨在將電壓從 0.4V 的電流值進(jìn)一步降低，這將接近閾值電壓。它還在研究超低漏電流 SRAM 和邏輯，以進(jìn)一步降低漏電流功率以延長(cháng)電池壽命。

N3 預計將成為一個(gè)大容量和長(cháng)時(shí)間運行的節點(diǎn)，截至 2025 年 4 月，將有 70 多個(gè)新的流片。N3E 正在大批量生產(chǎn)旗艦移動(dòng)和 HPC/AI 產(chǎn)品。N3P 于 2024 年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。

N3A 針對汽車(chē)應用，包括駕駛員輔助和自動(dòng)駕駛技術(shù)。目前，該模塊正在進(jìn)行最終的缺陷改進(jìn)，并有望獲得 AEC Q100 1 級認證，并將于 2025 年晚些時(shí)候投入生產(chǎn)。

該公司表示，到 2030 年，汽車(chē)將占據 15 億美元的 1tn 市場(chǎng)，領(lǐng)先于物聯(lián)網(wǎng)的 10%。數據中心和人工智能當然正在推動(dòng)增長(cháng)，預計到 2030 年將提供 45% 的市場(chǎng)份額，即 4500 億美元的 A16 和 A14 工藝技術(shù)，臺積電將于今年晚些時(shí)候在臺灣頭中開(kāi)設一座晶圓廠(chǎng) Fab 25，用于這些技術(shù)。

A16 和 A14 預計將使用互補場(chǎng)效應晶體管 （CFET） 設計，將 nFET 和 pFET 垂直堆疊，CFET 實(shí)現了近兩倍的密度。

在顯示技術(shù)方面，臺積電宣布推出業(yè)界首個(gè)用于可折疊/超薄 OLED 和 AR 眼鏡的 FinFET 高壓平臺。與 28HV 相比，16HV 預計將使 DDIC 功耗降低約 28%，并將邏輯密度提高約 41%。