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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sk 海力士

海力士半導體明年一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片

  •   海力士半導體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示,公司將從明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片。   這一表態(tài)證實(shí)了韓國網(wǎng)絡(luò )新聞媒體edaily此前的相關(guān)報道。
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海力士期望大陸市場(chǎng)能給其帶來(lái)轉機

  •   全球第2大DRAM記憶體廠(chǎng)海力士(Hynix)第4季業(yè)績(jì)走弱,營(yíng)運獲利下滑加上淡季效應與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素,有鑒于大陸市場(chǎng)潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營(yíng)收。海力士大陸區負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪(fǎng)時(shí)表示,公司計劃提高大陸廠(chǎng)制程技術(shù),以生產(chǎn)高階晶片。     
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海力士M8產(chǎn)線(xiàn)將以代工為重心

  •   海力士半導體(Hynix)M8產(chǎn)線(xiàn)未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據南韓電子新聞報導,近期海力士以部分IC設計公司為對象,提出運用清州M8廠(chǎng)的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導體、發(fā)光二極管(LED)驅動(dòng)芯片、顯示器用驅動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專(zhuān)門(mén)IC設計等企業(yè)皆為協(xié)商對象。   
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海力士半導體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能

  •   11月19日電全球第二大計算機存儲芯片制造商海力士半導體(Hynix Semiconductor)周五表示,計劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),,以提高和升級芯片產(chǎn)能。   該公司對證交所表示,上述投資將于12月底做出。
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海力士Q3獲利翻5倍

  •   受惠于出貨成長(cháng)及轉進(jìn)優(yōu)勢芯片的策略奏效,南韓海力士半導體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng )下歷史次高記錄。海力士預估,內存芯片價(jià)格將于明年第一季開(kāi)始止跌回穩。   海力士周四公布,第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元),超越市場(chǎng)預期的9610億韓元,并較去年同期的2090億韓元大幅成長(cháng)近5倍,同時(shí)逼近上一季創(chuàng )下的1.05兆韓元的歷史新高。   
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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

  •   韓國半導體廠(chǎng)海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置,相較26納米存儲器,晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。   
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三星、海力士4Q營(yíng)收不樂(lè )觀(guān)

  •   DRAM存儲器半導體價(jià)格跌勢持續第5個(gè)月,韓廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix)等存儲器公司2010年第4季將難避免營(yíng)收惡化的危機。     
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景氣雖不明 海力士仍持續投資30納米制程

  •   雖然在經(jīng)濟前景不明的情況下,半導體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響,不過(guò)全球排名第2的半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix)仍計劃對轉進(jìn)30納米制程持續加碼,以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(Elpida)等大廠(chǎng)競爭的優(yōu)勢。   
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海力士:股份收購者將出現

  •   據韓國電子新聞報導,目前韓國有幾間業(yè)者對海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長(cháng)金鍾甲表示,韓國企業(yè)中有業(yè)者表示對海力士股份有興趣,早晚會(huì )對外宣布收購立場(chǎng)。   金鍾甲在接受電子新聞訪(fǎng)談時(shí)表示,由于存儲器產(chǎn)業(yè)競爭構圖產(chǎn)生變化,且海力士的競爭力更強化,韓國業(yè)者對海力士的表現皆抱持正面的態(tài)度。   雖然主要是由債權團執行海力士股份拋售,金鍾甲以理事會(huì )議長(cháng)身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來(lái)對拋售股份的官方說(shuō)法維持沒(méi)有表明收購意愿的企業(yè),但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
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今年全球芯片廠(chǎng)商資本開(kāi)支將增長(cháng)一倍

  •   據國外媒體報道,市場(chǎng)研究公司Gartner星期二稱(chēng),2010年全球芯片廠(chǎng)商的資本開(kāi)支將比2009年增長(cháng)將近一倍,因為在去年的經(jīng)濟衰退之后,芯片廠(chǎng)商渴望進(jìn)行更多的投資。   Gartner稱(chēng),全球芯片廠(chǎng)商2010年的資本開(kāi)支將達到507億美元,比2009年增長(cháng)96%。由于經(jīng)濟衰退,全球芯片廠(chǎng)商2009年的資本開(kāi)支是259億美元,比2008年減少了41%。   Gartner副總裁Klaus Rinnen在聲明中稱(chēng),2010年半導體市場(chǎng)的強勁增長(cháng)推動(dòng)半導體資本開(kāi)支增長(cháng)到創(chuàng )紀錄的高水平。   隨著(zhù)半導
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)

  •   韓國電子時(shí)報報導,DRAM價(jià)格在15天內暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設備業(yè)者也感到相當緊張。據市調機構DRAMeXange統計,1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅 在1美元在線(xiàn),其后持續上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。   D
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)

  •   韓國電子時(shí)報報導,DRAM價(jià)格在15天內暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設備業(yè)者也感到相當緊張。   據市調機構DRAMeXange統計,1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅在1美元在線(xiàn),其后持續上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。DD
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韓國2015年前將非內存芯片份額提高一倍

  •   韓國知識經(jīng)濟部上星期四稱(chēng),韓國將在未來(lái)五年投資1.7萬(wàn)億韓元(14.5億美元)幫助韓國芯片廠(chǎng)商找出進(jìn)入快速增長(cháng)的非內存芯片市場(chǎng)的道路。   三星電子和海力士半導體等韓國芯片廠(chǎng)商目前擁有全球內存芯片市場(chǎng)50%以上的份額。但是,在非內存芯片市場(chǎng),韓國廠(chǎng)商的市場(chǎng)份額只有大約3%。韓國政府正是在這個(gè)背景之下采取這個(gè)行動(dòng)的。   根據這個(gè)計劃,韓國芯片廠(chǎng)商在2015年要取得全球非內存芯片市場(chǎng)7.5%的份額。2009年全球非內存芯片市場(chǎng)的規模是1858億美元。這個(gè)市場(chǎng)預計將以平均15%的年增長(cháng)率繼續增長(cháng)。
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海力士進(jìn)行內部組織重整強化后段制程

  •   海力士半導體(Hynix)近來(lái)決定將制造部門(mén)分為前段制程和后段制程部門(mén),并進(jìn)行組織及人事重整作業(yè)。海力士社長(cháng)權五哲就任后,任命樸星昱擔任副社長(cháng)職務(wù),并首度進(jìn)行組織改編,以強化后段制程、強化產(chǎn)線(xiàn)應用效益、調動(dòng)老員工以賦予組織緊張感、任期內成效最大化等,頗有為親政而架構新格局的意味。   海力士的制造部門(mén)將分為制造1部和制造2部,1部負責制造廠(chǎng)業(yè)務(wù),2部則處理封裝及測試事宜。1部部長(cháng)確定由采購室長(cháng)姜東均(譯名)、2部部長(cháng)由質(zhì)量管理室長(cháng)白東源接管,而目前的采購室則由大陸無(wú)錫廠(chǎng)企劃管理團隊長(cháng)官姜聲錫(譯名)
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惠普宣布與海力士合作開(kāi)發(fā)新型內存

  •   據國外媒體報道,惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議,共同研發(fā)下一代內存技術(shù)電阻式內存并將其推向市場(chǎng)。   據一份聲明顯示,兩家公司將合作開(kāi)發(fā)新型材料和技術(shù),實(shí)現電阻式內存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì )采用由惠普實(shí)驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低,速度更快,而且能在斷電時(shí)存儲數據?;萜战衲甏杭痉Q(chēng)表示,憶阻器也能夠執行邏輯。   ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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