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sk 海力士 文章 進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區
海力士:股份收購者將出現
- 據韓國電子新聞報導,目前韓國有幾間業(yè)者對海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長(cháng)金鍾甲表示,韓國企業(yè)中有業(yè)者表示對海力士股份有興趣,早晚會(huì )對外宣布收購立場(chǎng)。 金鍾甲在接受電子新聞訪(fǎng)談時(shí)表示,由于存儲器產(chǎn)業(yè)競爭構圖產(chǎn)生變化,且海力士的競爭力更強化,韓國業(yè)者對海力士的表現皆抱持正面的態(tài)度。 雖然主要是由債權團執行海力士股份拋售,金鍾甲以理事會(huì )議長(cháng)身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來(lái)對拋售股份的官方說(shuō)法維持沒(méi)有表明收購意愿的企業(yè),但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
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今年全球芯片廠(chǎng)商資本開(kāi)支將增長(cháng)一倍
- 據國外媒體報道,市場(chǎng)研究公司Gartner星期二稱(chēng),2010年全球芯片廠(chǎng)商的資本開(kāi)支將比2009年增長(cháng)將近一倍,因為在去年的經(jīng)濟衰退之后,芯片廠(chǎng)商渴望進(jìn)行更多的投資。 Gartner稱(chēng),全球芯片廠(chǎng)商2010年的資本開(kāi)支將達到507億美元,比2009年增長(cháng)96%。由于經(jīng)濟衰退,全球芯片廠(chǎng)商2009年的資本開(kāi)支是259億美元,比2008年減少了41%。 Gartner副總裁Klaus Rinnen在聲明中稱(chēng),2010年半導體市場(chǎng)的強勁增長(cháng)推動(dòng)半導體資本開(kāi)支增長(cháng)到創(chuàng )紀錄的高水平。 隨著(zhù)半導
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)
- 韓國電子時(shí)報報導,DRAM價(jià)格在15天內暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設備業(yè)者也感到相當緊張。據市調機構DRAMeXange統計,1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅 在1美元在線(xiàn),其后持續上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。 D
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)
- 韓國電子時(shí)報報導,DRAM價(jià)格在15天內暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設備業(yè)者也感到相當緊張。 據市調機構DRAMeXange統計,1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅在1美元在線(xiàn),其后持續上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。DD
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韓國2015年前將非內存芯片份額提高一倍
- 韓國知識經(jīng)濟部上星期四稱(chēng),韓國將在未來(lái)五年投資1.7萬(wàn)億韓元(14.5億美元)幫助韓國芯片廠(chǎng)商找出進(jìn)入快速增長(cháng)的非內存芯片市場(chǎng)的道路。 三星電子和海力士半導體等韓國芯片廠(chǎng)商目前擁有全球內存芯片市場(chǎng)50%以上的份額。但是,在非內存芯片市場(chǎng),韓國廠(chǎng)商的市場(chǎng)份額只有大約3%。韓國政府正是在這個(gè)背景之下采取這個(gè)行動(dòng)的。 根據這個(gè)計劃,韓國芯片廠(chǎng)商在2015年要取得全球非內存芯片市場(chǎng)7.5%的份額。2009年全球非內存芯片市場(chǎng)的規模是1858億美元。這個(gè)市場(chǎng)預計將以平均15%的年增長(cháng)率繼續增長(cháng)。
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海力士進(jìn)行內部組織重整強化后段制程
- 海力士半導體(Hynix)近來(lái)決定將制造部門(mén)分為前段制程和后段制程部門(mén),并進(jìn)行組織及人事重整作業(yè)。海力士社長(cháng)權五哲就任后,任命樸星昱擔任副社長(cháng)職務(wù),并首度進(jìn)行組織改編,以強化后段制程、強化產(chǎn)線(xiàn)應用效益、調動(dòng)老員工以賦予組織緊張感、任期內成效最大化等,頗有為親政而架構新格局的意味。 海力士的制造部門(mén)將分為制造1部和制造2部,1部負責制造廠(chǎng)業(yè)務(wù),2部則處理封裝及測試事宜。1部部長(cháng)確定由采購室長(cháng)姜東均(譯名)、2部部長(cháng)由質(zhì)量管理室長(cháng)白東源接管,而目前的采購室則由大陸無(wú)錫廠(chǎng)企劃管理團隊長(cháng)官姜聲錫(譯名)
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惠普宣布與海力士合作開(kāi)發(fā)新型內存
- 據國外媒體報道,惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議,共同研發(fā)下一代內存技術(shù)電阻式內存并將其推向市場(chǎng)。 據一份聲明顯示,兩家公司將合作開(kāi)發(fā)新型材料和技術(shù),實(shí)現電阻式內存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì )采用由惠普實(shí)驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低,速度更快,而且能在斷電時(shí)存儲數據?;萜战衲甏杭痉Q(chēng)表示,憶阻器也能夠執行邏輯。 ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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