惠普宣布與海力士合作開(kāi)發(fā)新型內存

　　據國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內存技術(shù)電阻式內存并將其推向市場(chǎng)。

　　據一份聲明顯示，兩家公司將合作開(kāi)發(fā)新型材料和技術(shù)，實(shí)現電阻式內存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì )采用由惠普實(shí)驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時(shí)存儲數據?；萜战衲甏杭痉Q(chēng)表示，憶阻器也能夠執行邏輯。

　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM還可以模擬Flah、DRAM甚至硬盤(pán)?？傊?，ReRAM可以成為通用存儲管道。

　　惠普表示，憶阻器能夠在斷電的狀態(tài)下存儲信息，而且能耗極低。這就意味著(zhù)筆記本電腦運行速度可以更快，一次充電使用時(shí)間更長(cháng)?？紤]到如今智能手機應用的繁多，這一技術(shù)也將大大延長(cháng)智能手機的使用時(shí)間。

　　在未來(lái)，由于計算和存儲功能能夠在同一個(gè)芯片上實(shí)現，筆記本電腦和手機將會(huì )變得輕薄得多，而且比現在運行快得多。