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性?xún)r(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著(zhù)其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： 世強 SiC
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
- SiC市場(chǎng)領(lǐng)導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應對市場(chǎng)更新的設計挑戰，可用于更高直流母線(xiàn)電壓。且領(lǐng)先于900V超結Si基MOSFET技術(shù)，擴大了終端系統的功率范圍，在更高溫度時(shí)仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統的尺寸，很好地解決了散熱及顯著(zhù)降額的問(wèn)題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創(chuàng )新空間，方便
- 關(guān)鍵字： Cree SiC
SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)
- 日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導者半導體廠(chǎng)商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開(kāi)關(guān)電源以及牽引設備等。 世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面，連續通電時(shí)
- 關(guān)鍵字： SiC SiC
EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道
- 根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅動(dòng)電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉型的巨大驅動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續大力推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
矢野經(jīng)濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場(chǎng)
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場(chǎng)的調查結果。 ? 全球功率半導體市場(chǎng)規模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) (點(diǎn)擊放大) 2013年全球功率半導體市場(chǎng)規模(按供貨金額計算)比上年增長(cháng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長(cháng)，但2013年中國市場(chǎng)的需求恢復、汽車(chē)領(lǐng)域的穩步增長(cháng)以及新能源領(lǐng)域設備投資的擴大等起到了推動(dòng)作用。 預計2014年仍將繼續增長(cháng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務(wù)報告
- ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長(cháng) 澤村諭，下稱(chēng)"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績(jì)。 第一季度銷(xiāo)售額為949億2千萬(wàn)日元(去年同比增長(cháng)7.4%)，營(yíng)業(yè)利潤為115億6千7百萬(wàn)日元(去年同比增長(cháng)24.7%)。 縱觀(guān)電子行業(yè)，在IT相關(guān)市場(chǎng)方面，雖然智能手機和可穿戴設備等市場(chǎng)的行情仍然在持續走高，然而一直以來(lái)都保持持續增長(cháng)的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個(gè)人電腦市場(chǎng)呈現低迷態(tài)勢。在A(yíng)V相關(guān)市場(chǎng)方面，雖然4K電視(※1)等高附加
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
專(zhuān)利設計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調節器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件制造部部長(cháng)伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專(zhuān)利，目前已開(kāi)始量產(chǎn)。 羅姆半導體應用設計支援部課長(cháng)蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
高精度的功率轉換效率測量
- 目前，電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動(dòng)系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因為使用了以低電阻、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開(kāi)發(fā)與測試則需要相較以前有著(zhù)更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
一款專(zhuān)為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開(kāi)關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽(yáng)能逆變器的電源轉換效率，拉長(cháng)新能源汽車(chē)的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來(lái)高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統計，SiC Mosfet現有市場(chǎng)容量為9000萬(wàn)美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場(chǎng)將每年增長(cháng)39%。由此可預見(jiàn)，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： i. 低導通電阻RDS
- 關(guān)鍵字： SiC Mosfet DC-DC
世界首家！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)采用溝槽結構的SiC-MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開(kāi)發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調節器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設備的功率損耗。 另外，此次開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢
- 摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應用。 近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學(xué)內舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習會(huì )。此次交流學(xué)習會(huì )上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開(kāi)發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類(lèi)：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
ROHM：國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求
- 近年來(lái)，隨著(zhù)柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費電子領(lǐng)域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來(lái)越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車(chē)電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內部印制電路板所需搭載的半導體器件數大幅提升，而在性能不斷提升的同時(shí)，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個(gè)領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過(guò)去幾年的發(fā)展方向，也是將來(lái)的趨勢。 談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
- 關(guān)鍵字： ROHM 半導體 SiC
SiC功率半導體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場(chǎng)的調查結果。 全球功率半導體市場(chǎng)規模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) 2013年全球功率半導體市場(chǎng)規模(按供貨金額計算)比上年增長(cháng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長(cháng)，但2013年中國市場(chǎng)的需求恢復、汽車(chē)領(lǐng)域的穩步增長(cháng)以及新能源領(lǐng)域設備投資的擴大等起到了推動(dòng)作用。 預計2014年仍將繼續增長(cháng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場(chǎng)規
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
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