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強茂SGT MOSFET第一代系列:創(chuàng )新槽溝技術(shù)車(chē)規級60 V N通道 突破車(chē)用電子的高效表現

- 隨著(zhù)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統的發(fā)展,強茂推出最新車(chē)規級60 V N通道MOSFETs系列,采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來(lái)支持汽車(chē)電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容,能有效提升汽車(chē)電子系統的性能與能源效率,降低導通與切換的損耗,提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L,為
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