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rohm 文章 進(jìn)入rohm技術(shù)社區
ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
- ~產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品~全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來(lái),隨著(zhù)照明用的小型電源
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IGBT IPM實(shí)例:絕對最大額定值
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項目的絕對最大額定值都是絕對不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對最大額定值的解釋基本上與半導體器件相同。?由于絕對最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值,因此設計通?;谕扑]工作條件和電氣特性項目中的規格值進(jìn)行。在本文中,將介紹IGBT IPM的絕對最大額定值。與上一篇一樣,我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例:絕對最大額定值?首先,為了便于理解后續內容,我們先
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ROHM開(kāi)發(fā)出LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出一款高輸出功率半導體激光二極管“RLD90QZW8”,該產(chǎn)品非常適用于搭載測距和空間識別用LiDAR*1的工業(yè)設備領(lǐng)域的AGV(Automated Guided Vehicle/無(wú)人搬運車(chē))和服務(wù)機器人、消費電子領(lǐng)域的掃地機器人等應用。近年來(lái),在A(yíng)GV、掃地機器人和自動(dòng)駕駛汽車(chē)等需要自動(dòng)化工作的廣泛應用中,可以準確測量距離和識別空間的LiDAR日益普及。在這種背景下,為了“更遠”、“更準確”地檢測到信息,要求作為光源的激光二極管提高輸出功率和性能。R
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ROHM開(kāi)發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅動(dòng)器IC
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出一款超高速驅動(dòng)GaN器件的柵極驅動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。近年來(lái),在服務(wù)器系統等領(lǐng)域,由于IoT設備的需求日益增長(cháng),電源部分的功率轉換效率提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會(huì )課題,而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外,不僅在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域,在工業(yè)設備和社會(huì )基礎設施監控等領(lǐng)域應用也非常廣泛的LiDAR*1,也需要通過(guò)高速脈沖激光照射來(lái)進(jìn)一步提高識別精度。在這類(lèi)應用中,必須使用高速開(kāi)關(guān)器件,因此,ROHM在推出支持高速開(kāi)關(guān)的GaN器件的同時(shí),還
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如何在大功率應用中減少損耗、提高能效并擴大溫度范圍
- 功耗密集型應用的設計人員需要更小、更輕、更節能的電源轉換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 等應用中尤其如此,若能實(shí)現這些改進(jìn),可加快充電速度、延長(cháng)續航里程。為了實(shí)現這些改進(jìn),設計人員目前使用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的電源轉換器,例如碳化硅 (SiC) 電源轉換器。功耗密集型應用的設計人員需要更小、更輕、更節能的電源轉換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 等應用中尤其如此,若能實(shí)現這些改進(jìn),可加快充電速度、延長(cháng)續航里程。為了實(shí)現這些改進(jìn),設計人員目前使用基
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緩沖電路的種類(lèi)和選擇
- 緩沖電路包括由電阻器、線(xiàn)圈、電容器等無(wú)源元件組成的電路,以及由半導體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無(wú)需控制且具有成本優(yōu)勢的電路方式。關(guān)鍵要點(diǎn)※ 要想使緩沖電路充分發(fā)揮出其效果,需要盡可能靠近開(kāi)關(guān)器件進(jìn)行安裝。緩沖電路包括由R、L、C等無(wú)源元件組成的電路和由半導體元器件組成的有源電路?!?本文介紹了無(wú)需控制而且具有成本優(yōu)勢的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。本文進(jìn)入本系列文章的第二個(gè)主題:“緩沖電路的種類(lèi)和選擇”?!?nbsp;
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ROHM開(kāi)發(fā)出適用于條碼標簽打印應用、500mm/秒的業(yè)內超快打印速度的熱敏打印頭
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出兩款高可靠性高速熱敏打印頭“TE2004-QP1W00A(203dpi)”和“TE3004-TP1W00A(300dpi)”,新產(chǎn)品非常適用于物流和庫存管理等領(lǐng)域打印標簽所用的條碼標簽打印機。近年來(lái),電子商務(wù)(EC)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展,消費者的需求越來(lái)越多樣化,使得對物流標簽和庫存管理標簽等的需求也日益高漲。然而,憑借以往的熱敏打印頭技術(shù),250mm/秒~300mm/秒已經(jīng)是打印速度的極限。在這種背景下,ROHM采用新結構和新技術(shù)開(kāi)發(fā)出高可靠性的高速熱敏打
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ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以小尺寸實(shí)現業(yè)界超低導通電阻
- ~非常適用于通信基站和工業(yè)設備等的風(fēng)扇電機,有助于設備進(jìn)一步降低功耗和節省空間~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設備等的風(fēng)扇電機驅動(dòng)應用,開(kāi)發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分為“HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列”和“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”兩個(gè)系列,共5款新機型。近年來(lái),在通信基站和工業(yè)設備領(lǐng)域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統,電源電壓呈提
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ROHM開(kāi)發(fā)出配備VCSEL的小型接近傳感器,用于無(wú)線(xiàn)耳機等可穿戴設備
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向包括無(wú)線(xiàn)耳機和智能手表等可穿戴設備在內的需要脫戴檢測和接近檢測的各種應用,開(kāi)發(fā)出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近傳感器“RPR-0720”。 近年來(lái),隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)設備的普及,在其中發(fā)揮著(zhù)重要作用的傳感器產(chǎn)品需要具備更小的體積、更高的性能。ROHM擁有將發(fā)光元件和光接收元件一體化封裝的接近傳感器系列產(chǎn)品,由于其適用性高而被廣泛應用于從移動(dòng)設備到工業(yè)設備的眾多領(lǐng)域。特別是在可穿戴設備領(lǐng)域,由于產(chǎn)品的性能不斷提升,導致所用的元器件數量增加,對設
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1,開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來(lái),為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì ),對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
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逆變電路中開(kāi)關(guān)器件反向恢復特性的重要性—逆變電路的種類(lèi)和通電方式
- 逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類(lèi)。單相逆變電路的電路圖和輸出電流的示意波形分別如圖1和圖2所示。單相逆變電路可將直流電轉換為單相交流電,因此通常被用于功率調節器和不間斷電源(UPS)等普通家庭的商用電源應用。關(guān)鍵要點(diǎn)?逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類(lèi)。?電機驅動(dòng)采用可使轉矩穩定、且可抑制振動(dòng)和噪聲的三相逆變器。?用三相逆變器驅動(dòng)電機時(shí)的激勵(通電)方式有方波驅動(dòng)(120°激勵)和正弦波驅動(dòng)(三相調制、兩相調制),不同的方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。?在本系列文章中,將以電機驅動(dòng)中常用的正弦波
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ROHM面向車(chē)載應用開(kāi)發(fā)出高耐壓霍爾IC新產(chǎn)品“BD5310xG-CZ/BD5410xG-CZ系列”

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向使用到磁場(chǎng)檢測的車(chē)載應用開(kāi)發(fā)出新的霍爾IC“BD5310xG-CZ?/ BD5410xG-CZ系列”。近年來(lái),隨著(zhù)汽車(chē)的電動(dòng)化和高性能化發(fā)展,以及舒適性和安全性的提高,在汽車(chē)中電子產(chǎn)品的應用越來(lái)越多,而控制這些電子產(chǎn)品的ECU(電子控制單元)和附帶的傳感器已成為不可或缺的組成部分。在傳感器類(lèi)產(chǎn)品中,霍爾IC能夠以非接觸方式進(jìn)行位置檢測和電機旋轉檢測,與機械式開(kāi)關(guān)相比,具有不易磨損、體積小、可配備保護電路等諸多優(yōu)點(diǎn),因此其應用尤為廣泛。ROHM
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漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌
- 開(kāi)關(guān)導通時(shí),線(xiàn)路和電路板版圖的電感之中會(huì )直接積蓄電能(電流能量)。當該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí),就會(huì )在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結構,在High Side(以下簡(jiǎn)稱(chēng)HS)和Low Side(以下簡(jiǎn)稱(chēng)LS)之間連接了一個(gè)開(kāi)關(guān)器件,該圖是LS導通,電路中存在開(kāi)關(guān)電流IMAIN的情形。通常,該IMAIN從VSW流入,通過(guò)線(xiàn)路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實(shí)際的版圖設
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安全使用三端穩壓器必備的散熱基礎知識
- 三端穩壓器是一種可以用來(lái)對電源進(jìn)行降壓的簡(jiǎn)單電子器件。由于降壓部分直接因發(fā)熱而成為熱損耗,因此在從很高的電壓降壓時(shí)或在大電流條件下使用時(shí),需要安裝合適的散熱器。研究發(fā)現,溫度每升高2℃,電子元器件的不良率就會(huì )增加10%,因此,適當的散熱設計對于提高電子元器件的可靠性和延長(cháng)使用壽命而言至關(guān)重要。1 三端穩壓器的最大電流取決于溫度三端穩壓器有多種類(lèi)型,其最大輸出電流涵蓋0.5A到2A的范圍。但是,在最大電流條件下使用時(shí),需要配備合適的散熱器。在三端穩壓器的技術(shù)規格書(shū)中,列出了單獨使用IC時(shí)和帶散熱器使用IC時(shí)
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ROHM開(kāi)發(fā)出汽車(chē)內飾用RGB貼片LED 減少由混色引起的色差問(wèn)題

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出一款面向汽車(chē)內飾的RGB貼片LED*1“SMLVN6RGBFU”,非常適用于儀表盤(pán)和CID(Center Information Display)*2等車(chē)內功能和狀態(tài)顯示用的指示燈*3,以及腳燈和門(mén)把手燈等裝飾照明應用。近年來(lái),隨著(zhù)汽車(chē)電子化程度的提高和功能多樣化的發(fā)展,車(chē)速自動(dòng)控制、車(chē)距檢測、車(chē)道線(xiàn)檢測等各種駕駛輔助功能得以廣泛應用。為了用儀表盤(pán)等的指示燈顯示這些功能的工作狀態(tài),業(yè)內對于能夠表現各種顏色的RGB貼片LED的需求日益高漲。另外,對使用R
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rohm介紹
Rohm株式會(huì )社為全球知名的半導體生產(chǎn)企業(yè),ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步進(jìn)入了 晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè),在硅谷開(kāi)設了IC設計中心.以當時(shí)的企業(yè)規模,憑借被稱(chēng)為"超常思維"的創(chuàng )新理念,加之年輕的、充滿(mǎn)夢(mèng)想和激情的員工的艱苦奮斗,ROHM [ 查看詳細 ]
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