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ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
- 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì )問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
- 關(guān)鍵字： ROHM 650V GaN HEMT
ROHM開(kāi)發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET
- 新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動(dòng)全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅動(dòng)以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來(lái)，全球電力需求量持續增長(cháng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務(wù)器等工業(yè)設備的工作
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于A(yíng)pex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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PFC電路：柵極電阻的更改
- 在實(shí)際的電路設計工作中，降噪是的一項重大課題，通常，可以通過(guò)提高開(kāi)關(guān)器件的柵極電阻來(lái)抑制噪聲，但其代價(jià)是效率降低（損耗增加），因此很好地權衡柵極電阻值的設置是非常重要的。在本文中，我們來(lái)探討當將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規定值以下時(shí)，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實(shí)際裝機評估，所以在這里省略噪聲相關(guān)的探討。關(guān)鍵要點(diǎn)?增加開(kāi)關(guān)元件的柵極電阻會(huì )抑制噪聲，但與之存在權衡關(guān)系的效率會(huì )降低，因此很好地權衡柵極電阻值的設置是非常重要的。?將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規定值以下時(shí)，其最大柵極電阻RG可以通過(guò)仿真來(lái)確認。
- 關(guān)鍵字： ROHM PFC
非常適用于車(chē)載和工業(yè)設備的雙面散熱功率模塊！ROHM開(kāi)發(fā)出12W級額定功率的0.85mm業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車(chē)載和工業(yè)設備中的大功率應用，開(kāi)發(fā)出12W級額定功率的業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對已在15W級額定功率產(chǎn)品中達到業(yè)界超小級別的“PSR330”和“PSR100”，還計劃推出0.2mΩ 的產(chǎn)品，以進(jìn)一步增強“PSR系列”的產(chǎn)品陣容。在工業(yè)設備的功率模塊中，早已出現了內置分流電阻器的產(chǎn)品。近年來(lái)，在xEV的主驅逆變器中，為了減小外殼尺寸，在模塊兩側配置散熱機構的薄型功率模塊逐漸增加，在其中內置分流電阻器的需求也日益高漲。然而
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ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅動(dòng)控制”IC 技術(shù)
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性?xún)?yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過(guò)將該技術(shù)應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
- 關(guān)鍵字： ROHM GaN器件 超高速驅動(dòng)控制
妙趣橫生的電子小知識 第1篇：初識晶體管
- 本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎知識和各種小知識。本系列涉及到的內容很廣泛，涵蓋從基礎知識到應用部分的豐富內容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人，但又拿不準自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應該了解的要數“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機時(shí)，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學(xué)者來(lái)說(shuō)，掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開(kāi)始電子制作時(shí)使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開(kāi)關(guān)等，幾乎都是兩個(gè)引腳，而晶體管卻有三個(gè)引
- 關(guān)鍵字： ROHM 電源設計 ZVS
妙趣橫生的電子小知識 第1篇：初識晶體管
- 本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎知識和各種小知識。本系列涉及到的內容很廣泛，涵蓋從基礎知識到應用部分的豐富內容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人，但又拿不準自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應該了解的要數“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機時(shí)，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學(xué)者來(lái)說(shuō)，掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開(kāi)始電子制作時(shí)使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開(kāi)關(guān)等，幾乎都是兩個(gè)引腳，而晶體管卻有三個(gè)引
- 關(guān)鍵字： ROHM 晶體管
ROHM開(kāi)發(fā)出精度達±1%的電流檢測放大器IC“BD14210G-LA”
- 與以往結構相比，安裝面積減少約46%！輸入電壓范圍為－0.2V～＋26V，非常適用于12V和24V電源應用的電流檢測用途全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向無(wú)線(xiàn)基站、PLC*1 和逆變器等工業(yè)設備領(lǐng)域以及白色家電等消費電子領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)出更節省空間的高精度電流檢測放大器IC“BD1421x-LA系列”。近年來(lái)，越來(lái)越多的應用產(chǎn)品需要具備電流檢測功能。例如，要想改善電機效率和實(shí)現異常檢測等目標，就需要提高電流檢測精度。另外，還需要減少安裝面積。在以往結構（運算放大器+分立器件）中，存在元器件精
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ROHM開(kāi)發(fā)出用于液晶背光的4通道、6通道LED驅動(dòng)器,助力中大型車(chē)載顯示器進(jìn)一步降低功耗
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對車(chē)載信息娛樂(lè )系統和車(chē)載組合儀表等應用，成功開(kāi)發(fā)出適用于中型車(chē)載顯示器的4通道LED驅動(dòng)器IC“”、“BD83A14EFV-M”，以及適用于大型車(chē)載顯示器的6通道LED驅動(dòng)器IC“BD82A26MUF-M”。近年來(lái)，隨著(zhù)ADAS（高級駕駛輔助系統）的發(fā)展和車(chē)載信息娛樂(lè )系統的功能增加，車(chē)載顯示器的尺寸日趨增大。這就要求用于車(chē)載顯示器液晶背光的LED驅動(dòng)器具有更高的驅動(dòng)效率，能夠在提高額定輸出電流的同時(shí)降低功耗。此外，如果車(chē)載顯示器出現閃爍，其視認性將會(huì )降低
- 關(guān)鍵字： ROHM 液晶背光 LED驅動(dòng)器 車(chē)載顯示器
ROHM確立了業(yè)界超小短波紅外(SWIR)器件的量產(chǎn)技術(shù)
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對需要進(jìn)行物質(zhì)檢測的便攜設備、可穿戴和可聽(tīng)戴設備，確立了1608尺寸（1.6mm×0.8mm）業(yè)界超小的短波紅外*1（以下簡(jiǎn)稱(chēng)SWIR：Short Wavelength Infrared）器件量產(chǎn)技術(shù)。?SWIR利用了水、冰和氣體等吸收特定紅外波長(cháng)的特性，在感測領(lǐng)域的應用備受期待。這種產(chǎn)品不僅可用來(lái)檢測物質(zhì)的有無(wú)和成分的多少，還可以用作醫療領(lǐng)域的血氧飽和度和血糖檢測裝置的光源，在食品領(lǐng)域還可用來(lái)檢測蔬菜和水果的含水量和含糖量等。另外，在便攜設備
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羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧
- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場(chǎng)效晶體管，以及多個(gè)可用的TO247封裝元件，其汽車(chē)級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續瞄準他們之前取得成功的車(chē)載充電器市場(chǎng)。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱(chēng)其第4代產(chǎn)品“通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時(shí)間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著(zhù)降低寄生電容使得開(kāi)關(guān)損耗比我們的上一代碳
- 關(guān)鍵字： 羅姆 ROHM MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出輸出電壓更穩定且非常適用于冗余電源的小型一次側LDO
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出支持高達45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側*1LDO穩壓器*2（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“LDO”）“BD7xxL05G-C系列”（BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C），該系列產(chǎn)品非常適用于各種冗余電源*3，用于車(chē)載應用中，可提高車(chē)載電源系統的可靠性。近年來(lái)，隨著(zhù)ADAS（高級駕駛輔助系統）等的發(fā)展，要求為這些應用供電的車(chē)載電源系統具有更高的可靠性。因此，越來(lái)越多的車(chē)載電源系統都開(kāi)始配備冗余電源，以
- 關(guān)鍵字： ROHM 一次側LDO
ROHM助力智能功率器件實(shí)現功能安全并減少功率損耗
- 近日，全球知名半導體制造商ROHM面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車(chē)載電子系統、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設備，開(kāi)發(fā)出40V耐壓?jiǎn)瓮ǖ篮碗p通道輸出的智能低邊開(kāi)關(guān)（Intelligent Power Device，以下簡(jiǎn)稱(chēng)IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。這些產(chǎn)品通過(guò)替代機械繼電器和MOSFET，實(shí)現汽車(chē)和工業(yè)設備市場(chǎng)所需的功能安全。新產(chǎn)品已于2022年10月開(kāi)始暫以系列合計月產(chǎn)60萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： ROHM 智能功率器件 功率損耗 IPD
ROHM采用自有的電路和器件技術(shù)“TDACC?” 開(kāi)發(fā)出有助于安全工作和減少功率損耗的小型智能功率器件
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車(chē)載電子系統、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設備，開(kāi)發(fā)出40V耐壓?jiǎn)瓮ǖ篮碗p通道輸出的智能低邊開(kāi)關(guān)*1（Intelligent Power Device，以下簡(jiǎn)稱(chēng)IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。近年來(lái)，在汽車(chē)和工業(yè)設備領(lǐng)域，圍繞自動(dòng)駕駛（自動(dòng)化）的技術(shù)創(chuàng )新日新月異，對安全性的要求也越來(lái)越高。在進(jìn)行設備開(kāi)發(fā)時(shí)，必須考慮到如
- 關(guān)鍵字： ROHM TDACC 小型智能功率器件
rohm介紹
Rohm株式會(huì )社為全球知名的半導體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進(jìn)入了 晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè),在硅谷開(kāi)設了IC設計中心.以當時(shí)的企業(yè)規模，憑借被稱(chēng)為"超常思維"的創(chuàng )新理念，加之年輕的、充滿(mǎn)夢(mèng)想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細 ]
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