ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以小尺寸實(shí)現業(yè)界超低導通電阻

～非常適用于通信基站和工業(yè)設備等的風(fēng)扇電機，有助于設備進(jìn)一步降低功耗和節省空間～

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業(yè)設備等的風(fēng)扇電機驅動(dòng)應用，開(kāi)發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET*¹一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分為“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*²）系列”兩個(gè)系列，共5款新機型。

近年來(lái)，在通信基站和工業(yè)設備領(lǐng)域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來(lái)冷卻這些設備的風(fēng)扇電機也使用的是48V系統電源，考慮到電壓波動(dòng)，起到開(kāi)關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著(zhù)與其存在權衡關(guān)系的導通電阻也會(huì )提高，效率會(huì )變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個(gè)很大的挑戰。風(fēng)扇電機通常會(huì )使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅動(dòng)，為了節省空間，對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。

在這種背景下，ROHM采用新工藝開(kāi)發(fā)出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通過(guò)采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開(kāi)發(fā)出實(shí)現業(yè)界超低導通電阻的新系列產(chǎn)品。

新產(chǎn)品通過(guò)采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實(shí)現了業(yè)界超低的導通電阻（Ron）*³（Nch+Nch產(chǎn)品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與普通的雙MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助于進(jìn)一步降低應用設備的功耗。另外，通過(guò)將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應用設備進(jìn)一步節省空間。例如HSOP8封裝的產(chǎn)品，如果替換掉兩枚單MOSFET（僅內置1枚芯片的TO-252封裝），可以減少77%的安裝面積。

新產(chǎn)品已于2023年7月開(kāi)始暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)（樣品價(jià)格 550日元/個(gè)，不含稅）的規模投入量產(chǎn)。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)Ameya360電商平臺均可購買(mǎi)。

目前，ROHM正在面向工業(yè)設備領(lǐng)域擴大雙MOSFET的耐壓陣容，同時(shí)也在開(kāi)發(fā)低噪聲產(chǎn)品。未來(lái)，將通過(guò)持續助力各種應用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗并節省空間，為解決環(huán)境保護等社會(huì )問(wèn)題不斷貢獻力量。 

＜產(chǎn)品陣容＞

Nch+Nch 雙MOSFET

Nch+Pch 雙MOSFET

* 預計產(chǎn)品陣容中將會(huì )逐步增加40V、60V、80V、150V產(chǎn)品。

＜應用示例＞

?通信基站用風(fēng)扇電機

?FA設備等工業(yè)設備用風(fēng)扇電機

?數據中心等服務(wù)器用風(fēng)扇電機

＜通過(guò)與預驅動(dòng)器IC相結合，為電機驅動(dòng)提供更出色的解決方案＞

ROHM通過(guò)將新產(chǎn)品與已具有豐碩實(shí)際應用業(yè)績(jì)的單相和三相無(wú)刷電機用預驅動(dòng)器IC相結合，使電機電路板的進(jìn)一步小型化、低功耗和靜音驅動(dòng)成為可能。通過(guò)為外圍電路設計提供雙MOSFET系列和預驅動(dòng)器IC相結合的綜合支持，為客戶(hù)提供滿(mǎn)足其需求且更出色的電機驅動(dòng)解決方案。

與100V耐壓雙MOSFET相結合的示例

■HT8KE5（Nch+Nch 雙MOSFET）和BM64070MUV（三相無(wú)刷電機用預驅動(dòng)器IC）

■HP8KE6（Nch+Nch 雙MOSFET）和BM64300MUV（三相無(wú)刷電機用預驅動(dòng)器IC）等

＜電商銷(xiāo)售信息＞

開(kāi)始銷(xiāo)售時(shí)間：2023年8月起

網(wǎng)售平臺：Ameya360

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

＜電機用新產(chǎn)品的規格書(shū)數據下載頁(yè)面＞

從ROHM官網(wǎng)可以下載包括新產(chǎn)品在內的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規格書(shū)。 

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)）

金屬－氧化物－半導體場(chǎng)效應晶體管，是FET中最常用的結構。被用作開(kāi)關(guān)器件。

*2) Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過(guò)向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET?？捎帽鹊陀谳斎腚妷旱偷碾妷候寗?dòng)，因此電路結構較為簡(jiǎn)單。

Nch MOSFET：通過(guò)向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏極與源極之間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。

*3) 導通電阻（Ron）

使MOSFET啟動(dòng)（ON）時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小，運行時(shí)的損耗（電力損耗）越少。