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ROHM開(kāi)發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅動(dòng)器IC
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款超高速驅動(dòng)GaN器件的柵極驅動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。近年來(lái)，在服務(wù)器系統等領(lǐng)域，由于IoT設備的需求日益增長(cháng)，電源部分的功率轉換效率提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會(huì )課題，而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外，不僅在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域，在工業(yè)設備和社會(huì )基礎設施監控等領(lǐng)域應用也非常廣泛的LiDAR*1，也需要通過(guò)高速脈沖激光照射來(lái)進(jìn)一步提高識別精度。在這類(lèi)應用中，必須使用高速開(kāi)關(guān)器件，因此，ROHM在推出支持高速開(kāi)關(guān)的GaN器件的同時(shí)，還
- 關(guān)鍵字： ROHM GaN器件 高速柵極驅動(dòng)器IC
ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅動(dòng)控制”IC 技術(shù)
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性?xún)?yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過(guò)將該技術(shù)應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
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GaN器件有望在中等耐壓范圍內實(shí)現出色的高頻工作性能
- 1? ?羅姆看好哪類(lèi)GaN功率器件的市場(chǎng)機會(huì )？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開(kāi)關(guān)特性出色，因而在基站和數據中心等領(lǐng)域中，作為有助于降低各種開(kāi)關(guān)電源的功耗并實(shí)現小型化的器件被寄予厚望（如圖1、圖2）。GaN 器件有望在中等耐壓范圍內實(shí)現出色的高頻工作性能。具體在汽車(chē)行業(yè)可應用于車(chē)載OBC、48 VDC/DC 轉換器（如圖3）。2? &nb
- 關(guān)鍵字： 202201 GaN器件 羅姆
ABI Research：2019年微波射頻市場(chǎng)規模超3億
- 市場(chǎng)研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場(chǎng)的研究。研究顯示，隨著(zhù)4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應用，在微波射頻功率半導體器件方面的開(kāi)銷(xiāo)將持續增長(cháng)。ABI Research預計，微波射頻半導體市場(chǎng)規模有望在2019年之前超過(guò)3億美元。點(diǎn)到點(diǎn)通信、衛星通信、各種雷達和新型工業(yè)/醫療應用都將從這些大功率GaN器件的應用中獲益。 “當砷化鎵(GaAs)器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時(shí)候，GaN器件將促進(jìn)增長(cháng)?！盇BI研究公司市場(chǎng)調研總監L
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