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中國真的對FD-SOI制程技術(shù)有興趣？
- 身為一位記者，我發(fā)現撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門(mén)”公司、技術(shù)與人物的報導，要比我通常負責的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標題，我會(huì )確實(shí)感受到人氣飆漲。 因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門(mén)題材、比較少人討論的話(huà)題，挑戰性就高得多;部分讀者會(huì )有先入為主的看法，認為那 些題目不關(guān)他們
- 關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET
選擇RF和微波濾波器的八個(gè)竅門(mén)
- 在不了解會(huì )受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發(fā)現，當需要給無(wú)線(xiàn)器件確定濾波器參數時(shí)，急需復習射頻基礎知識。如果沒(méi)有考慮濾波器類(lèi)型和最低技術(shù)規格要求方面的基本要素，可能導致產(chǎn)品不能通過(guò)“測試”，結果產(chǎn)品又得重新開(kāi)始設計，導致代價(jià)昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿(mǎn)足客戶(hù)的生產(chǎn)標準和功能。事實(shí)上，這種知識有助于在提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的成功機會(huì )的同時(shí)，控制生產(chǎn)費用?！ 幕A開(kāi)始 在當今無(wú)線(xiàn)領(lǐng)域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
- 關(guān)鍵字： RF 微波濾波器
Soitec半導體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國創(chuàng )新藍圖
- 全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì )中介紹了該公司在中國市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統。與會(huì )發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數字電子商務(wù)部高級副總裁Christophe Maleville。會(huì )上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠(chǎng)及應用設計師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國半導體行業(yè)及
- 關(guān)鍵字： Soitec FD-SOI
降低RF電路寄生信號的八個(gè)設計規則
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng )造性。記住以下這八條規則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，而且還可提高工作日程的可預見(jiàn)性。 規則1：接地通孔應位于接地參考層開(kāi)關(guān)處 流經(jīng)所布線(xiàn)路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過(guò)回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號線(xiàn)路并行布置的接地。在參考層繼續時(shí)，所有耦合都僅限于傳輸線(xiàn)路，一切都非常正常。不過(guò)，如果信號線(xiàn)路從頂層切換至內部或底層時(shí)，回流也必須獲得路徑。 圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號線(xiàn)路電流下面緊挨著(zhù)就是回流。當它轉移到底層時(shí)，回
- 關(guān)鍵字： RF 寄生信號
改善RF信號質(zhì)量的電源線(xiàn)噪聲對策
- 本文以改善RF的信號質(zhì)量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動(dòng)終端的PA電源線(xiàn)的噪聲對策方法?！ ∫灾悄苁謾C為首的移動(dòng)無(wú)線(xiàn)終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發(fā)射)，尋求改善PA的電源質(zhì)量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無(wú)線(xiàn)通信中，以國際標準(ITU)為首，3GPP(無(wú)線(xiàn)通信標準機構)，以及各運營(yíng)商都對不必要的輻射的范圍值設定了嚴格的標準。因此，我們有必要通過(guò)PA的電源線(xiàn)的噪聲
- 關(guān)鍵字： RF 噪聲
三星發(fā)飆：半導體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半
- 蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠(chǎng)。專(zhuān)家分析認為，此舉并不會(huì )影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠(chǎng)生意。 據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠(chǎng)于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規模相對小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應用處理器(AP)。 蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
- 關(guān)鍵字： 三星 FD-SOI
RF研發(fā)商ParkerVision訴蘋(píng)果高通等4家公司專(zhuān)利侵權
- 據國外媒體報道，佛羅里達州的RF(射頻)技術(shù)研發(fā)商ParkerVision本周向美國國際貿易委員會(huì )(ITC)和佛羅里達州地區法院提出起訴，指控蘋(píng)果、三星、LG和高通等4家公司侵犯了它的某些無(wú)線(xiàn)連網(wǎng)專(zhuān)利?！ arkerVision表示，高通和三星制造的無(wú)線(xiàn)接收器侵犯它的4項無(wú)線(xiàn)連網(wǎng)專(zhuān)利。蘋(píng)果、三星和LG都在各自的移動(dòng)產(chǎn)品中使用了侵權的高通芯片，三星自主研發(fā)的Shannon 928 RF收發(fā)器也面臨著(zhù)進(jìn)一步的審查?！ ”景干婕暗膶?zhuān)利包括第6879817號、第7929638號、第8571135號和第911
- 關(guān)鍵字： RF 蘋(píng)果
“芯”技術(shù)，“芯”夢(mèng)想
- 2015年11月27日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇，繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(cháng)三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產(chǎn)業(yè)趨勢和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?！ 」緢绦懈笨偛梅逗阆壬蛨绦懈笨偛每孜等徊┦康裙靖邔佑H臨論壇現場(chǎng)，與參會(huì )嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
- 關(guān)鍵字： 華虹 RF-CMOS
選擇RF和微波濾波器的八大竅門(mén)
- 在不了解會(huì )受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發(fā)現，當需要給無(wú)線(xiàn)器件確定濾波器參數時(shí)，急需復習射頻基礎知識。如果沒(méi)有考慮濾波器類(lèi)型和最低技術(shù)規格要求方面的基本要素，可能導致產(chǎn)品不能通過(guò)“測試”，結果產(chǎn)品又得重新開(kāi)始設計，導致代價(jià)昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿(mǎn)足客戶(hù)的生產(chǎn)標準和功能。事實(shí)上，這種知識有助于在提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的成功機會(huì )的同時(shí)，控制生產(chǎn)費用?！ 幕A開(kāi)始 在當今無(wú)線(xiàn)領(lǐng)域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
- 關(guān)鍵字： RF，微波濾波器
手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀(guān)察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì )關(guān)鍵晶圓片底材供應商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線(xiàn)，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線(xiàn)，估與手
- 關(guān)鍵字： 半導體 FD-SOI
量化射頻（RF）干擾對線(xiàn)性電路的影響
- 典型的精密運算放大(運放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶(hù)可能期望千兆赫水平的RF信號衰減到非常低的水平，因為它們遠遠超出了放大器的帶寬范圍。然而，實(shí)際情況并非如此。事實(shí)上，包含在放大器內的靜電放電(ESD)二極管、輸入結構和其它非線(xiàn)性元件會(huì )在放大器的輸入端對RF信號進(jìn)行“整流”。在實(shí)際意義上，RF信號被轉換成一種直流(DC)偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。 用戶(hù)也許會(huì )問(wèn)：“對于由給定RF信號產(chǎn)生的DC偏移電壓，我如何確定其幅
- 關(guān)鍵字： 量化射頻 RF
如何實(shí)現軟件定義無(wú)線(xiàn)電動(dòng)態(tài)范圍的最大化
- 本文回顧了軟件定義無(wú)線(xiàn)電發(fā)展，介紹了擴大軟件定義無(wú)線(xiàn)電的動(dòng)態(tài)范圍的電路元件、計算和仿真工具，并重點(diǎn)關(guān)注ADC的性能和頻率規劃。
- 關(guān)鍵字： 軟件定義無(wú)線(xiàn)電(SDR) 動(dòng)態(tài)范圍 信號 RF 201509
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