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零中頻射頻接收機技術(shù)
- 2004年7月A版 摘 要：零中頻(Zero IF)或直接變換(Direct-Conversion)接收機具有體積小、成本低和易于單片集成的特點(diǎn)，正成為射頻接收機中極具競爭力的一種結構。本文在介紹超外差(Super Heterodyne)結構與零中頻結構性能和特點(diǎn)的基礎上，重點(diǎn)分析零中頻結構存在的本振泄漏(LO Leakage)、偶次失真(Even-Order Distortion)、直流偏差(DC Offset)、閃爍噪聲(Flicker Noise)等問(wèn)題，并給出零中頻接收機的設計方法和
- 關(guān)鍵字： RF專(zhuān)題 RF IF 音視頻技術(shù)
RF MICRO DEVICES為新型AT&T無(wú)線(xiàn)終端提供解決方案
- 日前，無(wú)線(xiàn)通信應用領(lǐng)域的領(lǐng)先專(zhuān)用射頻集成電路(RFIC)供應商RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq 股市代號: RFMD）宣布，該公司正在批量發(fā)運用于 AT&T Wireless 最近宣布推出的 Ogo™ 無(wú)線(xiàn)終端的 POLARIS™ TOTAL RADIO™ 解決方案。POLARIS 解決方案由 RFMD 的 GSM/GPRS POLARIS 收發(fā)器和該公司業(yè)界領(lǐng)先的 PowerStar® 功率放大器 (PA) 模塊組成。
- 關(guān)鍵字： RF Micro Devices Inc. RF IF
SOI(絕緣體上硅)的采用日趨活躍
- 2004年5月A版 目前，越來(lái)越多的公司在采用SOI(絕緣體上硅)作為半導體生產(chǎn)的材料。在3月上海舉行的SEMICON China期間，法國Soitec公司COO(首席運營(yíng)官)Pascal Mauberger先生介紹了近期SOI的發(fā)展動(dòng)向。 SOI市場(chǎng)與應用 “摩爾定律長(cháng)盛不衰，主要歸功于尺寸越來(lái)越小，90年代以前這主要靠設備供應商與IC供應商的努力?！?Mauberger話(huà)鋒一轉，“但由于材料供應商的崛起，特別是由于工程基板或工程材料的技術(shù)進(jìn)步，實(shí)際材料已進(jìn)入了這個(gè)等式，形成了與設備賞、I
- 關(guān)鍵字： SOI 半導體材料
分步集成在RF IC領(lǐng)域的應用
- 2004年5月A版 分步集成(integration-by-parts)是從大學(xué)一年級就學(xué)習過(guò)的一個(gè)概念，現在RF IC廠(chǎng)商正在將這一傳統方法應用于射頻無(wú)線(xiàn)電路的集成。Analog Devices、RF Micro Devices以及Maxim等無(wú)線(xiàn)IC領(lǐng)域的先鋒企業(yè)不斷設計生產(chǎn)新的構建模塊(IC)，然后針對特定的客戶(hù)或應用創(chuàng )建定制版本。隨后，這些專(zhuān)用器件被列入標準產(chǎn)品目錄。這些目錄中的產(chǎn)品本身又成為集成度更高的復雜產(chǎn)品的構建模塊。數字IC廠(chǎng)商企業(yè)自從1960年代以來(lái)一直在應用這一模式。RFIC半導
- 關(guān)鍵字： RF專(zhuān)題 RF IF
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