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胡正明續寫(xiě)摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠(chǎng)商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)落戶(hù)中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 眾所周知，當柵極長(cháng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時(shí)代續命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門(mén)，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，FinFET陣營(yíng)占據絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)能給出答案。 今天我們就來(lái)談?wù)凢i
- 關(guān)鍵字： FinFET FD-SOI
八條規則助你降低RF電路寄生信號
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng )造性。記住以下這八條規則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，而且還可提高工作日程的可預見(jiàn)性。 規則1：接地通孔應位于接地參考層開(kāi)關(guān)處 流經(jīng)所布線(xiàn)路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過(guò)回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號線(xiàn)路并行布置的接地。在參考層繼續時(shí)，所有耦合都僅限于傳輸線(xiàn)路，一切都非常正常。不過(guò)，如果信號線(xiàn)路從頂層切換至內部或底層時(shí)，回流也必須獲得路徑。 圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號線(xiàn)路電流下面緊挨著(zhù)就是回流。當它轉移到底層時(shí)，回
- 關(guān)鍵字： RF 寄生
混頻器件面貌之變遷
- 摘要 半導體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng )新完全改變了工程師設計RF、微波和毫米波應用的方式。RF設計人員需要比以往任何時(shí)候都更具體、更先進(jìn)的技術(shù)和設計支持。設計技術(shù)持續發(fā)展，RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來(lái)將大不相同。本文介紹各種類(lèi)型的混頻器、各自的優(yōu)缺點(diǎn)，以及在不同市場(chǎng)中應用的演變。本文討論不同混頻器件(主要是混頻器)不斷變化的面貌，以及技術(shù)進(jìn)步如何改變不同市場(chǎng)的需求?！ 『?jiǎn)介 在RF和微波設計中，混頻是信號鏈最關(guān)鍵的部分之一。過(guò)去，很多應用都受制于混頻器的性能?；祛l器的頻率范圍、轉換損耗和線(xiàn)性度
- 關(guān)鍵字： 混頻器件 RF
基于Basic-RF的家居環(huán)境監測預警系統設計
- 摘要：針對實(shí)際應用需求，結合Basic-RF無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)、網(wǎng)絡(luò )通信技術(shù)和GSM通信技術(shù)設計了一種基于Basic-RF的家居環(huán)境監測預警系統。系統由信息處理子系統和無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò )子系統兩部分組成，無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò )子系統利用C
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò ) 環(huán)境監測 Basic-RF ENC28J60 GSM
新型智能手表顯示FD-SOI正當時(shí)？
- 在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉移到由產(chǎn)品與應用所決定的技術(shù)競爭。 因為沒(méi)有可見(jiàn)的終端產(chǎn)品能證明其號稱(chēng)超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場(chǎng)上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 終于，現在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
- 關(guān)鍵字： 智能手表 FD-SOI
RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統
- 日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會(huì )”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱(chēng)，RF-SOI生態(tài)系統現已建立完善，并成為天線(xiàn)調諧器與射頻開(kāi)關(guān)的主流技術(shù)，占據了95%的市場(chǎng)份額，該系統有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng )新和突破性的方案。 目前，RF-SOI技術(shù)主要應用于智能手機、WiFi等無(wú)線(xiàn)通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱(chēng)，國際上3G/4G手機用的射頻器件
- 關(guān)鍵字： RF-SOI 5G
格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線(xiàn)圖
- 格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現了業(yè)內首個(gè)多節點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過(guò)軟件控制實(shí)現按需定制性能，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應用智能系統而設計。 隨著(zhù)數以百萬(wàn)計的互聯(lián)設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著(zhù)半導體的進(jìn)一步創(chuàng )新。用于實(shí)現這些應用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統，集成包括無(wú)線(xiàn)連接、非易失性存
- 關(guān)鍵字： 格羅方德 FD-SOI
格羅方德半導體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線(xiàn)圖
- 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現了業(yè)內首個(gè)多節點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖，從而延續了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應用智能系統而設計。 隨著(zhù)數以百萬(wàn)計的互聯(lián)設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著(zhù)半導體的進(jìn)一步創(chuàng )新。用于實(shí)現這些應用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統，集成包括無(wú)線(xiàn)連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來(lái)越多的組件，
- 關(guān)鍵字： 格羅方德 FD-SOI
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