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使用模擬預失真進(jìn)行射頻功率放大器線(xiàn)性化
- 我們探討了用于線(xiàn)性化射頻放大器的模擬預失真的基本概念，并回顧了一些常見(jiàn)的實(shí)現方式?，F代通信系統使用具有時(shí)變包絡(luò )和相位角的信號。為了處理這些信號，發(fā)射機需要線(xiàn)性功率放大器（PA）。然而，它們也需要高效率的功率放大器。正如我們所知，這樣的放大器不可避免地是非線(xiàn)性的。幸運的是，有許多方法可以線(xiàn)性化功率放大器的響應。我們在上一篇文章中了解到的一種方法是找到失真并將其從功率放大器的輸出信號中減去。這被稱(chēng)為前饋線(xiàn)性化。預失真是另一種常用的線(xiàn)性化技術(shù)。它不是在輸出端校正信號，而是在功率放大器之前放置一個(gè)非線(xiàn)性電路，使組
- 關(guān)鍵字： 線(xiàn)性化射頻放大器 RF
射頻（RF）基本理論
- 1. 什么是射頻？射頻簡(jiǎn)稱(chēng)RF，是高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱(chēng)。電磁波其實(shí)就是比較熟悉的概念了，依據麥克斯韋的電磁場(chǎng)理論：振蕩的電場(chǎng)產(chǎn)生振蕩的磁場(chǎng)，振蕩的磁場(chǎng)產(chǎn)生振蕩的電場(chǎng)，電磁場(chǎng)在空間內不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現體現這個(gè)過(guò)程，E代表電場(chǎng)，B代表磁場(chǎng)。在軸上同一位置的電場(chǎng)、磁場(chǎng)的相位和幅度均會(huì )隨著(zhù)時(shí)間發(fā)生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統稱(chēng)，被廣泛應用于雷達和無(wú)線(xiàn)通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號，可以從頻率、波長(cháng)、幅度、相位四個(gè)角
- 關(guān)鍵字： 射頻 RF
X-FAB推出基于其110nm車(chē)規BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數據存儲解決方案
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng )新。該創(chuàng )新利用X-FAB同類(lèi)最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點(diǎn)平臺，X-FAB可為客戶(hù)提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
- 關(guān)鍵字： X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數據存儲
晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬(wàn)畫(huà)素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案
- 晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(xiàn)(BSI/NIR)技術(shù)。該技術(shù)能夠明顯提升近紅外靈敏度，實(shí)現優(yōu)異的圖像質(zhì)量。通過(guò)BSI NIR+技術(shù)，安防監控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質(zhì)量的圖像。搭配不同平臺SOC，可適用于安防監控、車(chē)載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動(dòng)攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-K30
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利用噪聲系數度量分析射頻電路中的噪聲
- 關(guān)于射頻模擬設計中的噪聲分析，通過(guò)示例了解噪聲系數度量，包括本規范的關(guān)鍵方面。除了一些特定的應用，例如，當需要抖動(dòng)效果時(shí)，噪聲通常是一種不想要的現象?？茖W(xué)家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開(kāi)發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設計中，我們通常將噪聲效應建模為輸入參考噪聲電壓和電流源。然而，在射頻（RF）設計中，噪聲系數度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數度量，強調該規范的一些微妙之處，最后看一個(gè)例子來(lái)澄清所討論的概念。射頻模擬設計中的噪聲分析我們通常用
- 關(guān)鍵字： 噪聲系數度量，射頻電路，噪聲，RF
單級小信號 RF 放大器設計
- 本文要點(diǎn)：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴(lài)于放大器，放大器電路會(huì )放大它們接收到的輸入信號?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區運行。晶體管的有源區用于放大目的。當晶體管偏置為有源區時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號會(huì )使輸出電流出現波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過(guò)輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態(tài)工作點(diǎn)相比）輸出電流波動(dòng)較小，它們稱(chēng)為
- 關(guān)鍵字： RF 放大器
RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
- 在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長(cháng)足的發(fā)展，其中還納入了大量數字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長(cháng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò )。早期A(yíng)DC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 或現場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
- 關(guān)鍵字： ADI RF ADC
Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)
- 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)。公司將為無(wú)線(xiàn)基礎設施、軍事和衛星通信應用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線(xiàn)并實(shí)現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場(chǎng)供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
- 關(guān)鍵字： Guerrilla RF Gallium GaN
晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬(wàn)畫(huà)素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案
- 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(xiàn)(BSI/NIR)技術(shù)?？纱钆洳煌脚_SOC，適用于安防監控、車(chē)載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動(dòng)攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實(shí)體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線(xiàn)加強 像素技術(shù)，可為在低光或無(wú)光環(huán)境中運行的應用提供新的可能性，同時(shí)降低總功耗
- 關(guān)鍵字： 晶像光電 SOI JX-F355P 物聯(lián)網(wǎng)感測器
純化合物半導體代工廠(chǎng)推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日，純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結合了多項改進(jìn)，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
- 關(guān)鍵字： 純化合物 半導體 RF GaN
為何在RF設計中理解波反射非常重要？
- 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關(guān)鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長(cháng)的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性?；靖拍詈托g(shù)語(yǔ)假設以任意負載端接傳輸線(xiàn)路（例如同軸電纜或微帶線(xiàn)），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線(xiàn)路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來(lái)定義電壓反射系數Γ，它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值：反射系數也可以
- 關(guān)鍵字： ADI RF 波反射
羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)里程碑
- 羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場(chǎng)就緒。在2024年巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì )上，羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測試的實(shí)時(shí)演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
- 關(guān)鍵字： 羅德與施瓦茨 索尼 3GPP Rel. 17 NB-IoT RF
“白菜化”的有源相控陣雷達
- 就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關(guān)部門(mén)發(fā)布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識到，不知道從什么時(shí)候開(kāi)始，我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬(wàn)噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
- 關(guān)鍵字： 雷達 RF 氮化鎵 相控陣
『這個(gè)知識不太冷』探索 RF 濾波器技術(shù)（上）
- 『這個(gè)知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識點(diǎn)，結合產(chǎn)業(yè)現狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。在過(guò)去十年中，移動(dòng)無(wú)線(xiàn)數據快速增長(cháng)，使得運營(yíng)商愈加迫切地需要新頻段和新技術(shù)，以滿(mǎn)足用戶(hù)對無(wú)線(xiàn)數據容量的需求。這種需求不僅推動(dòng)了無(wú)線(xiàn)技術(shù)的發(fā)展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術(shù)的需求，以幫助減少系統干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。本篇內容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應用中使用的各種技術(shù)版本。首先介紹關(guān)于濾波器的一些基本實(shí)情，以及它們帶
- 關(guān)鍵字： Qorvo RF 濾波器
rf-soi介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條rf-soi!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-soi的理解，并與今后在此搜索rf-soi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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