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rf-soi 文章 進(jìn)入rf-soi技術(shù)社區
Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng )新園區的核心地帶 不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
- 關(guān)鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)
哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
- 關(guān)鍵字： FD- SOI FinFET
格羅方德半導體推出業(yè)內首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò )市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無(wú)線(xiàn)設備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
- 關(guān)鍵字： 格羅方德 FD-SOI
GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries FD-SOI
只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀(guān)念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠(chǎng)，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點(diǎn)采用
- 關(guān)鍵字： FinFET FD-SOI
FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點(diǎn)？
- 身為記者，我有時(shí)候會(huì )需要經(jīng)過(guò)一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(shí)(random facts)、推特文章、研討會(huì )/座談會(huì )資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線(xiàn)索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一個(gè)例子。 我從美國旅行到中國接著(zhù)又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過(guò)程中，發(fā)現FD-SOI從一個(gè)不容易了解的名詞，逐漸變得越來(lái)越“有形”。關(guān)于這個(gè)技術(shù)，我在最近這幾個(gè)星期所收集到的隨機
- 關(guān)鍵字： 晶圓 FD-SOI
手機RF和混合信號集成設計
- 一直以來(lái)，蜂窩電話(huà)都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著(zhù)對包含多標準(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長(cháng)，直接轉換接收器和發(fā)射器架構變得日趨流行。在過(guò)去十年中，集成電路技術(shù)取得長(cháng)足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。 一個(gè)典型的蜂窩收發(fā)器(見(jiàn)圖)包括RF前端、混合信號部分和實(shí)際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構選擇包括直接轉換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉換到直流的方法會(huì )受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
- 關(guān)鍵字： RF 混合信號
RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學(xué)
- 在過(guò)去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設計一直是半導體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰的設計之一。在這期間，盡管半導體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個(gè)永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運算的數字世界實(shí)現無(wú)縫對接，當前無(wú)處不在的移動(dòng)環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng )新”的要求尤為如此。 當今全球半導體的市場(chǎng)份額約為3，200億美元，數字和存儲器IC約占這個(gè)市場(chǎng)的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅動(dòng)著(zhù)這些IC
- 關(guān)鍵字： RF 混合信號
實(shí)現模擬/RF設計復用？ADI實(shí)驗室電路開(kāi)始大顯身手
- 在電子設計中，模擬/RF設計一直是最讓設計師頭疼的部分，傳統上，模擬射頻器件供應商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設計，但 是，要讓器件運轉正常，設計師需要更多實(shí)際電路的評估和測試，這方面需要時(shí)間和經(jīng)驗的積累，也是非常耗費精力財力的，有沒(méi)有什么辦法讓設計師可以加快這方 面的設計呢?或者能實(shí)現模擬射頻電路的復用?ADI的實(shí)驗室電路給出了一些探索。 “ADI的實(shí)驗室電路不同于參考設計，是更接近實(shí)際應用的 電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng )新網(wǎng)采訪(fǎng)時(shí)表示，
- 關(guān)鍵字： ADI RF
RF電路與天線(xiàn)的EMC研究
- 當射頻電路一切都按預先設定的方案設計完成之后，其性能不一定就會(huì )完全達標，其中會(huì )導致射頻性能不達標的一個(gè)重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因為射頻范疇內電路布局、布線(xiàn)不合理造成，亦可能是因為其它方方面面的原因。大多數情況導致干擾出現都是當和其它電路，如數字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。 處理干擾問(wèn)題是做設計工作必須的、更是射頻設計、預研工作重點(diǎn)之一。在此簡(jiǎn)單談?wù)勎覀儗ι漕l方面電磁干擾的理解與認識。 電磁干擾(EMI)在電子系統與設備中無(wú)處不在，在射頻領(lǐng)域表現卻特別突出
- 關(guān)鍵字： RF EMC
千兆采樣ADC確保直接RF變頻
- 隨著(zhù)模數轉換器(ADC)的設計與架構繼續采用尺寸更小的過(guò)程節點(diǎn)，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應運而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統、儀器儀表和雷達應用的直接RF數字化帶來(lái)了全新的系統解決方案。 最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實(shí)現直接RF采樣。就在不久前，唯一可運行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構是分辨率為6位或8位的Flash轉換器。這些器件能耗極高，且通常無(wú)法提供超過(guò)7位的有效位數(ENOB)，這是由于Flash架構的幾何尺寸與功耗限
- 關(guān)鍵字： ADC RF 轉換器 LVDS FPGA
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