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rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區
RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
- 在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長(cháng)足的發(fā)展，其中還納入了大量數字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長(cháng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò )。早期A(yíng)DC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 或現場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
- 關(guān)鍵字： ADI RF ADC
Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)
- 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內核以及相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)。公司將為無(wú)線(xiàn)基礎設施、軍事和衛星通信應用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線(xiàn)并實(shí)現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場(chǎng)供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
- 關(guān)鍵字： Guerrilla RF Gallium GaN
使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
純化合物半導體代工廠(chǎng)推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日，純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結合了多項改進(jìn)，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
- 關(guān)鍵字： 純化合物 半導體 RF GaN
CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類(lèi)功耗：動(dòng)態(tài)，當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩態(tài)運行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類(lèi)型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
- 關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
CMOS反相器的功耗
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時(shí)才需要電流——簡(jiǎn)單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來(lái)說(shuō)，低功耗是一個(gè)理想的功能，當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個(gè)小空間中時(shí)，這尤其有益。正如計算機CPU愛(ài)好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒(méi)有CMOS反相
- 關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗
Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng )新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專(zhuān)為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 Flash
TTL與CMOS，很基礎但很多人不知道
- 問(wèn)題引入在工作中，會(huì )遇到OC門(mén)與OD門(mén)的稱(chēng)謂。而感性的認識一般為：OD門(mén)是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門(mén)是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門(mén)的功率損耗一般是小于OC門(mén)，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
- 關(guān)鍵字： TTL電路 CMOS
CMOS傳感器+高級色彩算法，快準穩捕獲色彩
- 用機器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現在線(xiàn)檢測，大大提高了檢測效率，同時(shí)對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結果更為客觀(guān)、更準確。無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么，相機廠(chǎng)商該如何應對這些需求提出的挑戰呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：色彩校正矩陣，用于實(shí)現在任一照明條件下的精確色彩再現；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設置，準確觸發(fā)
- 關(guān)鍵字： 傳感器 色彩 CMOS
為何在RF設計中理解波反射非常重要？
- 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關(guān)鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長(cháng)的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性?；靖拍詈托g(shù)語(yǔ)假設以任意負載端接傳輸線(xiàn)路（例如同軸電纜或微帶線(xiàn)），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線(xiàn)路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來(lái)定義電壓反射系數Γ，它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值：反射系數也可以
- 關(guān)鍵字： ADI RF 波反射
羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)里程碑
- 羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列（Sony）合作，達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場(chǎng)就緒。在2024年巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì )上，羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測試的實(shí)時(shí)演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
- 關(guān)鍵字： 羅德與施瓦茨 索尼 3GPP Rel. 17 NB-IoT RF
CMOS傳感器+高級色彩算法，快準穩捕獲一致色彩
- 用機器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現在線(xiàn)檢測，大大提高了檢測效率，同時(shí)對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結果更為客觀(guān)、更準確。問(wèn)：無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么，相機廠(chǎng)商該如何應對這些需求提出的挑戰呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實(shí)現在任一照明條件下的精確色彩再現? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度?
- 關(guān)鍵字： CMOS 傳感器 色彩算法
CMOS 2.0 革命
- 受到威脅的不是摩爾定律本身，而是它所代表的促進(jìn)經(jīng)濟增長(cháng)、科學(xué)進(jìn)步和可持續創(chuàng )新的能力。
- 關(guān)鍵字： CMOS
“白菜化”的有源相控陣雷達
- 就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關(guān)部門(mén)發(fā)布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識到，不知道從什么時(shí)候開(kāi)始，我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬(wàn)噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
- 關(guān)鍵字： 雷達 RF 氮化鎵 相控陣
臺積電熊本新廠(chǎng)建筑工程上個(gè)月末已完成
- 1月8日消息，據報道，日本熊本放送消息，臺積電日本熊本新廠(chǎng)建筑工程在上個(gè)月末已完成，預定年內投產(chǎn)，目前處于設備移入進(jìn)機階段。另外，該廠(chǎng)開(kāi)幕式預計在2月24日舉行。公開(kāi)資料顯示，臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠(chǎng)計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類(lèi)成熟制程的半導體，初期多數產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車(chē)用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬(wàn)片產(chǎn)能。臺積
- 關(guān)鍵字： 臺積電 索尼 日本電裝 CMOS ISP MCU
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條rf-cmos!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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