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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區
2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線(xiàn)？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠(chǎng)將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著(zhù)逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 1、積極導入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 2D
2015年第四季NAND品牌商營(yíng)收/利潤衰退
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷(xiāo)售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash製程轉進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
2015年第四季NAND廠(chǎng)商營(yíng)收排行
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷(xiāo)售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash制程轉進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
運用材料工程解決半導體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰
- 今年，半導體行業(yè)將迎來(lái)幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實(shí)現3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結構向3D NAND器件的過(guò)渡將帶來(lái)一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。此外，隨著(zhù)越來(lái)越多支持圖案
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
國內NAND Flash產(chǎn)業(yè)開(kāi)始崛起 主控芯片廠(chǎng)商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國半導體廠(chǎng)商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰略地位，也將成為下一波中國半導體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。 TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營(yíng)運上中國國產(chǎn)主控芯片廠(chǎng)商除直接銷(xiāo)售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤(pán)解決方案以便直接切入市場(chǎng)應用。主要目標客戶(hù)群多以企業(yè)級存儲、政府機關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰略伙伴為主。產(chǎn)品開(kāi)發(fā)則傾力下個(gè)世代
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì )
- 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會(huì )，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車(chē)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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存儲器接連刷新歷史最高紀錄，768Gbit 3D NAND亮相
- 在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會(huì )議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車(chē)載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內容 豐富?！ 〈鎯ζ鲿?huì )議共有3個(gè)。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì )議共有14項發(fā)表。其中有12項來(lái)自亞洲，日本有2項(內容均為非易失存儲器)。下面來(lái)介紹
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3D NAND技術(shù)謹慎樂(lè )觀(guān) 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場(chǎng)先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來(lái)復蘇。但是，預測隨著(zhù)中國公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場(chǎng)，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統產(chǎn)品(桌面PC與傳統筆記本電腦)產(chǎn)量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。 DRAM市場(chǎng)2016年供過(guò)于求 近期，我們對于DRAM市場(chǎng)的預測不會(huì )發(fā)生顯著(zhù)變化;2015年與2016年將遭遇市場(chǎng)總體營(yíng)收下滑，而在
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Toshiba準備出售NAND以外的半導體業(yè)務(wù)
- 根據日本當地的財經(jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導，大廠(chǎng)東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導體業(yè)務(wù)，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線(xiàn);此舉被視為是經(jīng)歷過(guò)假帳丑聞、付出高昂組織重整代價(jià)的該公司轉虧為盈之必要步驟。 未來(lái)東芝將專(zhuān)注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營(yíng)，該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長(cháng)支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導體業(yè)務(wù)的原因。 將出售的東芝半導體業(yè)務(wù)包括類(lèi)
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手機標稱(chēng)16G內存，為何實(shí)際卻少于16G
- 摘要：現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區別，存儲芯片的實(shí)際大小與標稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說(shuō)手機內存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿(mǎn)足不斷增大的系統文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實(shí)際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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韓廠(chǎng)進(jìn)入14納米平面NAND時(shí)代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)
- 韓國兩大存儲器廠(chǎng)前進(jìn)14納米平面NAND Flash時(shí)代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn)，而SK海力士(SK Hynix)則預定在新的一年結束研發(fā)作業(yè)，并導入量產(chǎn)體制。 韓媒ET News報導，三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成，將于2016年上半投產(chǎn)。三星預定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上，公開(kāi)14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士，也進(jìn)入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據悉，SK海力士計劃將
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中國下個(gè)購并標的：NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來(lái)積極透過(guò)中資集團陸續收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈?，F階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀(guān)記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì )MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設法取得大規模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會(huì )MIC產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過(guò)購并，來(lái)改善半導體自制比例過(guò)低的情形，現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠(chǎng)商或已與外商
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qlc nand介紹
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