2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線(xiàn)？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠(chǎng)將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著(zhù)逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。

　　1、積極導入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力

　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。

　　隨著(zhù)3D技術(shù)的發(fā)展，采用48層堆疊則可將NAND Flash Die容量提升至256Gb，突破2D NAND 128Gb容量，且較32層3D NAND更有成本和性能優(yōu)勢，這也是Flash原廠(chǎng)在2016年擴大48層量產(chǎn)或加快導入步伐的主要原因，使得2D技術(shù)向3D 技術(shù)切換點(diǎn)恰好擁有最佳的成本效益。

　　2、為3D NAND量產(chǎn)下“血本”，投資建廠(chǎng)消息不斷

　　為了更好的研發(fā)和投產(chǎn)3D NAND，以及不輸在起跑線(xiàn)，Flash原廠(chǎng)可謂下足了“血本”。三星在3D NAND技術(shù)上領(lǐng)先，并為3D NAND量產(chǎn)新建西安工廠(chǎng)，2016年將擴大48層3D NAND量產(chǎn)，并規劃在年底實(shí)現64層3D NAND量產(chǎn)。東芝/SanDisk的3D技術(shù)也采用的是48層，除了改建的Fab 2將在2016年投產(chǎn)外，還投資買(mǎi)地建新3D NAND工廠(chǎng)。

　　美光目前已將3D NAND的樣本送往客戶(hù)進(jìn)行測試，新建的Fab 10x工廠(chǎng)預計將在2016下半年開(kāi)始投產(chǎn)新一代的3D NAND。SK海力士除了新建的M14工廠(chǎng)計劃量產(chǎn)3D NAND，也將投資新建工廠(chǎng)，預計2019年開(kāi)始投入生產(chǎn)，清州工廠(chǎng)量產(chǎn)的3D NAND已準備開(kāi)始出貨。

　　3、3D NAND意在增長(cháng)迅猛的SSD市場(chǎng)

　　大數據時(shí)代，SSD正在以每年20%的需求量在快速增長(cháng)，3D NAND大容量和高性能特性可為SSD帶來(lái)更高的性能表現。

　　三星采用自家的控制芯片，最先將3D NAND廣泛應用到SSD中，并開(kāi)始發(fā)售容量高達16TB的企業(yè)級SSD，2016年開(kāi)始將3D NAND應用延伸到嵌入式產(chǎn)品UFS 2.0中。

　　美光、SK海力士等也均宣布將在2016年推出基于3D NAND的SSD，英特爾更是研發(fā)先進(jìn)的3D Xpoint技術(shù)，在2016年推出搭載3D Xpoint NAND的Optane系列SSD新品。

　　此外，國際控制芯片廠(chǎng)Marvell 88NV1120、88NV1140、88SS1074等SSD控制芯片均支持3D TLC NAND，臺廠(chǎng)慧榮也推出了一款支持3D MLC NAND的SSD控制芯片SM2246EN，為非Flash原廠(chǎng)的SSD廠(chǎng)商提供SSD控制芯片支持，未來(lái)將有更多的3D SSD上市。

　　3D NAND蜂擁而至，2016年NAND Flash市場(chǎng)再現供過(guò)于求?

　　2015年因Flash原廠(chǎng)擴大1ynm TLC量產(chǎn)，以及受全球智能手機出貨量增長(cháng)放緩，平板出貨下滑，PC需求持續不振等影響，中國閃存市場(chǎng)網(wǎng)ChinaFlashMarket數據，NAND Flash綜合價(jià)格指數累積跌幅高達35%，再加上DRAM價(jià)格持續下跌，存儲產(chǎn)業(yè)鏈廠(chǎng)商營(yíng)收成長(cháng)均受到了一定的沖擊。

　　2016年初市場(chǎng)需求復蘇遲緩，NAND Flash價(jià)格依然持續跌勢，累積2個(gè)多月NAND Flash綜合價(jià)格指數跌幅達3.3%。2016年Flash原廠(chǎng)將相續投入48層3D NAND量產(chǎn)，再加上原廠(chǎng)投資建廠(chǎng)等消息刺激，市場(chǎng)擔憂(yōu)上游原廠(chǎng)NAND Flash產(chǎn)能大增會(huì )對市場(chǎng)造成沖擊，加劇供過(guò)于求的市況，廠(chǎng)商營(yíng)收獲利也再次面臨挑戰。

　　3D NAND量產(chǎn)不定因素大，NAND Flash市場(chǎng)樂(lè )觀(guān)而謹慎

　　其實(shí)，NAND Flash未來(lái)市況也未必非常糟糕。

　　從Flash原廠(chǎng)投產(chǎn)情況來(lái)看，2016年只有三星能夠實(shí)現48層3D NAND規?；慨a(chǎn)，東芝48層3D NAND才剛進(jìn)入規模量產(chǎn)階段，美光、SK海力士預計要等到2016下半年才能夠投入生產(chǎn)。

　　另一方面，Flash原廠(chǎng)由2D向3D技術(shù)過(guò)渡，就好比是把平房改為高樓，3D 技術(shù)能否順利量產(chǎn)也是一大考驗。近期，市場(chǎng)開(kāi)始傳出除三星以外的其他原廠(chǎng)在研發(fā)與投產(chǎn)3D NAND過(guò)程中均遇到良率不佳等消息，同時(shí)2D工藝進(jìn)入1znm量產(chǎn)，NAND Flash良率將面臨同樣的難題，這些都有可能導致NAND Flash產(chǎn)能損失，以及效益受損。

　　在市場(chǎng)需求方面，在蘋(píng)果、三星引領(lǐng)旗艦智能型手機向128GB大容量發(fā)展的趨勢下，2016年小米5、樂(lè )視Max Pro、vivo Xplay5 等也增加了128GB容量，推動(dòng)2016年旗艦機標配容量從16GB-64GB向32GB-128GB升級，這對于NAND Flash產(chǎn)能的消耗可是翻倍的增長(cháng)，同時(shí)消費類(lèi)二合一筆記本和數據中心服務(wù)器市場(chǎng)對SSD需求量和更大容量的需求都在增加，NAND Flash市場(chǎng)前景還是很樂(lè )觀(guān)的，但供應鏈廠(chǎng)商仍需謹慎待之。