3D NAND技術(shù)謹慎樂(lè )觀(guān) 中國存儲產(chǎn)能有望釋放

　　全球DRAM市場(chǎng)先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來(lái)復蘇。但是，預測隨著(zhù)中國公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場(chǎng)，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統產(chǎn)品(桌面PC與傳統筆記本電腦)產(chǎn)量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。

　　DRAM市場(chǎng)2016年供過(guò)于求

　　近期，我們對于DRAM市場(chǎng)的預測不會(huì )發(fā)生顯著(zhù)變化;2015年與2016年將遭遇市場(chǎng)總體營(yíng)收下滑，而在2017年與2018年迎來(lái)市場(chǎng)復蘇，但是對2019年的預測結果將出現變數。此前，我們預計市場(chǎng)復蘇后會(huì )出現一定的營(yíng)收下滑;現在，我們認為將出現的營(yíng)收下降比預期更加嚴重。這一預測是基于中國將掌握DRAM技術(shù)，且本土產(chǎn)能將于2019年進(jìn)入市場(chǎng)，從而導致價(jià)格戰與市場(chǎng)規模大幅下滑。

　　步入2016年，Gartner認為芯片產(chǎn)能將出現小幅增長(cháng)，加之整體需求缺乏明顯亮點(diǎn)，將導致今年大部分時(shí)間供過(guò)于求。但是，隨著(zhù)2017年與2018年需求走強，市場(chǎng)將快速反彈，整個(gè)行業(yè)將重新迎來(lái)收入增長(cháng)。

　　到2019年，Gartner認為中國將通過(guò)與當前某家大型廠(chǎng)商合作或通過(guò)收購小型廠(chǎng)商而初步獲得DRAM技術(shù)，逐步將本地制造的內存產(chǎn)品推向市場(chǎng)。這種產(chǎn)能將在2018年建成并于2019年進(jìn)入市場(chǎng)。

　　在DRAM市場(chǎng)需求方面，結構化調整仍將繼續。傳統PC對于總體DRAM用量需求從2010年的51.7%降至2014年的20.9%;而隨著(zhù)產(chǎn)量下降以及單機搭載率增長(cháng)放緩，預計到2019年將繼續降至8.4%。但是，我們預計智能手機所占份額將從2014年的22.1%增至2019年的32.7%，實(shí)際市場(chǎng)峰值將出現在2017年。

　　2015年，智能手機取代PC與超級本和平板電腦的需求成為DRAM的最大市場(chǎng)。同時(shí)，由于構建云服務(wù)需要更多服務(wù)器以及更高的DRAM配置，服務(wù)器份額將繼續增長(cháng);此外，內存內計算(Inmemorycomputing)在2016年的不斷普及將使服務(wù)器方面的需求超過(guò)傳統PC的需求。

　　四大應用(傳統PC、超級本和平板電腦、智能手機與服務(wù)器)對DRAM需求總量仍將增長(cháng)，占市場(chǎng)總量的比例將從2014年的65.7%增至2019年的67.2%。

　　2019年中國DRAM產(chǎn)能有望進(jìn)入市場(chǎng)

　　2015年的DRAM容量供應增速將達到20.4%。由于芯片新增產(chǎn)能以及20納米產(chǎn)量增長(cháng)，DRAM供應的增速將在2016年達到29.8%。自我們上一次預測以來(lái)，2015年與2016年總體容量供應增速均有所下降;在2015年，比我們預測的增速低了1.8%，而在2016年，則比我們預測的增速低4.3%。

　　到2018年，中國企業(yè)或中國扶持的現有廠(chǎng)商將獲得本土DRAM產(chǎn)能。中國對于半導體市場(chǎng)制定的發(fā)展目標非常明確。更加顯而易見(jiàn)的是，它渴望進(jìn)入內存市場(chǎng)。到2018年，Gartner預計中國將建立新的DRAM工廠(chǎng)，到2019年，這部分產(chǎn)能將正式進(jìn)入市場(chǎng)。中國將經(jīng)由以下兩種方式獲得該項技術(shù)：依托當前某家大型廠(chǎng)商的幫助或通過(guò)收購小型廠(chǎng)商而初步獲得生產(chǎn)技術(shù)。

　　對于SKHynix半導體公司與美光科技有限公司(MicronTechnology)而言，這是一個(gè)經(jīng)典的“囚徒困境”——它們本不應向中國提供任何幫助，如此方能盡量阻礙中國進(jìn)入存儲行業(yè)。但是一旦有廠(chǎng)商向中國提供了相關(guān)技術(shù)以換取支持，那么其他廠(chǎng)商又會(huì )在與中國及三星爭奪市場(chǎng)份額的競爭中將處于嚴重不利地位。如果中國下定決心步入DRAM行業(yè)，我們預計三星將憑借技術(shù)與成本優(yōu)勢竭力阻撓。因此，我們預計2019年DRAM市場(chǎng)價(jià)格將再次出現下滑。

　　3DNAND是降低成本和市場(chǎng)增長(cháng)的焦點(diǎn)

　　平面TLC閃存在2016年將繼續生產(chǎn)，但Gartner仍對3DNAND產(chǎn)量持審慎態(tài)度，預計其僅占2016年總產(chǎn)量的18%。

　　在供給可見(jiàn)性方面，NAND行業(yè)仍處于不穩定期。技術(shù)難題限制了15納米以下的產(chǎn)品，而促進(jìn)了TLC閃存的更廣泛普及，同時(shí)，3D技術(shù)也將推動(dòng)傳統工藝幾何密度。Gartner預計行業(yè)中的大部分廠(chǎng)商最終將再次縮減傳統平面產(chǎn)品，3DNAND是未來(lái)降低成本和市場(chǎng)增長(cháng)的焦點(diǎn)。

　　得益于TLC技術(shù)和3DNAND的發(fā)展，NAND閃存供應量將在2015年和2016年分別增長(cháng)43.5%與37.9%。自上一次技術(shù)升級以來(lái)，閃存供應量已顯著(zhù)提高，不是由于產(chǎn)能增加，而是因為先進(jìn)的TLC產(chǎn)量日益擴大。所有廠(chǎng)商都在逐步提升其TLC技術(shù)，其中，SKHynix半導體公司與三星最為雄心勃勃，且2015年下半年在積極擴大相關(guān)技術(shù)方面大獲成功。此外，3DNAND吸引了更多關(guān)注，所有其他大型NAND廠(chǎng)商(其中幾家正計劃提升產(chǎn)能)正在或者準備推出樣品。但是，新技術(shù)的商業(yè)化永遠不會(huì )一帆風(fēng)順，因此雖然Gartner調高了部分供應商的3DNAND產(chǎn)量，但仍顯著(zhù)低于公開(kāi)聲明。Gartner對于產(chǎn)能擴大持謹慎態(tài)度，并可能需要3～6個(gè)月時(shí)間來(lái)證明該新技術(shù)是否達到預期。

　　到2018年，至少1家中國企業(yè)將在中國建立NAND產(chǎn)能。中國對于半導體市場(chǎng)制定的發(fā)展目標非常明確。更加顯而易見(jiàn)的是，它渴望進(jìn)入內存市場(chǎng)，尤其是NAND閃存市場(chǎng)。以下事實(shí)均證明中國有意成為世界領(lǐng)先的NAND閃存生產(chǎn)國：一是中國政府積極支持現有晶圓代工企業(yè);二是地方政府為了引入先進(jìn)技術(shù)與存儲企業(yè)，向相關(guān)企業(yè)提供激勵政策;三是投資者財團可單獨投資。種種努力均為了實(shí)現中國自主制造閃存，這是中國的國家戰略之一。

　　雖然有關(guān)3DNAND新建工廠(chǎng)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、時(shí)間表、培育競爭性閃存生態(tài)系統的能力等方面的具體信息尚不明確，但必須為其所帶來(lái)的影響力做好準備。Gartner目前估計，中國方面的投資，即直接投資于新公司或現有公司，將促使芯片產(chǎn)能在2017年與2018年分別增長(cháng)14%。同時(shí)，Gartner對現有工廠(chǎng)建設計劃持保守意見(jiàn)。盡管如此，這一龐大的產(chǎn)能出現后將對2017年下半年與2018年的市場(chǎng)帶來(lái)沖擊。