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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區
下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì )非常缺
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(cháng)最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠(chǎng)概念股群聯(lián)、創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應。 慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元創(chuàng )2005年6月在美國那斯達克掛牌以來(lái)新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng )歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì )后，針對今年NAND Fl
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應鏈來(lái)勢洶洶，外界原本認為，陸廠(chǎng)要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過(guò)有分析師預測，陸廠(chǎng)研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱(chēng)，中國透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據市場(chǎng)主導地位
- 全球大部分半導體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現優(yōu)于多數同業(yè)。 全球個(gè)人電腦(PC)銷(xiāo)量下降，以及智能手機增長(cháng)放緩，讓半導體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。 高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤下降65%，這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jì)。 將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預計三星芯片獲利將會(huì )下降，一些分析師預測1-
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TrendForce：2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng)，及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片，相較于2015年增長(cháng)近7倍。 TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%，其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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蘋(píng)果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕
- 蘋(píng)果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時(shí)隔5年，蘋(píng)果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會(huì )采用AMOLED屏幕。 先前蘋(píng)果不用三星閃存，是因為三星希望在閃存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來(lái)做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺灣供應商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個(gè)技術(shù)，來(lái)讓閃存顆粒滿(mǎn)足蘋(píng)果的EMI屏蔽標準。又因為這一工藝較為廉價(jià)，所以三星比較重視。 使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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傳三星邀協(xié)力廠(chǎng)研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準蘋(píng)果NAND訂單
- 傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋(píng)果(Apple)供應NAND Flash存儲器，過(guò)去4年來(lái)三星電子與蘋(píng)果的NAND Flash交易中斷。 據韓媒ET News報導，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone
- 韓廠(chǎng)積極打進(jìn)蘋(píng)果iPhone供應鏈。韓國媒體報導，三星電子計畫(huà)提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應鏈。 韓國網(wǎng)站媒體ET News報導，蘋(píng)果從2012年iPhone 5推出開(kāi)始，就沒(méi)有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋(píng)果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著(zhù)手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營(yíng)企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場(chǎng)上的潛在最大對手。 據韓聯(lián)社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
- 關(guān)鍵字： 新芯 NAND
DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營(yíng)收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現在又遇到了內存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導致美光營(yíng)收下滑了30%，當季凈虧損9700萬(wàn)美元，對未來(lái)季度的預測同樣悲觀(guān)。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠(chǎng)武漢新芯新建記憶體晶圓廠(chǎng)將從本月底開(kāi)始進(jìn)行建廠(chǎng)工程，目標最快在2018年年初開(kāi)始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來(lái)中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開(kāi)始進(jìn)入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠(chǎng)設備支出今年增3.7%
- 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅動(dòng)2016年晶圓廠(chǎng)設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠(chǎng)設備支出將增長(cháng)3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長(cháng)13%，達421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠(chǎng)設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠(chǎng)設備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復兩位數成
- 關(guān)鍵字： 晶圓 3D NAND
東芝將向NAND投資8600億日元，預計2016財年銷(xiāo)售不到5萬(wàn)億日元
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無(wú)法預測需要多長(cháng)時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開(kāi)了2016年度業(yè)務(wù)計劃說(shuō)明會(huì )，代表執行董事社長(cháng)室町正志在會(huì )上這樣說(shuō)道。 東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說(shuō)明會(huì )前一天，東芝宣布將把醫療器械子公司——東芝醫療系統出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(參閱本站報道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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