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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏(yíng)家。 據韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據市調業(yè)者IHS iSuppli統計資料，如果以數量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
平面架構1x納米NAND揭密！
- 過(guò)去的一年半以來(lái)，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據我們調查開(kāi)放市場(chǎng)上所銷(xiāo)售元件的供應來(lái)源，美光(Micron)是從2014年2月開(kāi)始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠(chǎng)商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后，TechInsights實(shí)驗室才出現三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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蘋(píng)果要用？三星西安半導體工廠(chǎng)傳擴產(chǎn) 50%
- 南韓媒體中央日報日文版 19 日報導，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現急速增長(cháng)，故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導體工廠(chǎng)產(chǎn)量較現行擴增 50%。報導指出，據熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠(chǎng)晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬(wàn)片，而三星計劃于今年內將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬(wàn)片)至 6-7 萬(wàn)片。 據 報導，三星于去年 5 月開(kāi)始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導入量產(chǎn)的廠(chǎng)商，且三星計劃
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臺美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司
- 宜鼎國際布局云端SSD市場(chǎng)，找來(lái)美超微和東芝一起搶商機。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場(chǎng)需求即將大爆發(fā)，美商都已卡好位，臺灣也拿到第一張參與競賽的門(mén)票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺系存儲器模組廠(chǎng)宜鼎國際三方合資的新公司正式成立，臺方掌握主導權，由于首波客戶(hù)瞄準金融和電信業(yè)者，因此邀請101董事長(cháng)宋文琪夫婿徐善可擔任董事長(cháng)。 一般講到云端儲存商機，第一個(gè)聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠(chǎng)如三星電子(Samsung Elec
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
分析師：IC與PC第二季全球市場(chǎng)需求皆衰弱
- 根據德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報告， 2015年第二季全球市場(chǎng)對半導體元件的需求持續疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示，部分零組件的采購量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過(guò)在近五年拜訪(fǎng)了近30家臺灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出：“iPhone供應鏈與汽車(chē)市場(chǎng)仍然是表現亮眼。” 德意志銀行的報告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機的晶片需求亦呈現衰弱，該銀行對整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評等為中性。“在中國智慧型手
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慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存
- 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶(hù)端SSD控制器現支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實(shí)現優(yōu)異的性能和無(wú)可比擬的可靠性，成就新一代高性?xún)r(jià)比的TLC SSD產(chǎn)品。 SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時(shí)也是市場(chǎng)上性能最佳、成本最優(yōu)
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Flash廠(chǎng)力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問(wèn)世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著(zhù)下滑，吸引固態(tài)硬碟開(kāi)發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng)，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)
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Flash廠(chǎng)力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問(wèn)世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著(zhù)下滑，吸引固態(tài)硬碟開(kāi)發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng)，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
分析師：NAND第三季可望擺脫供過(guò)于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋(píng)果(Apple)新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季擺脫供過(guò)于求，轉為供需較為平衡的格局。 從供給面來(lái)觀(guān)察，雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND
研調：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過(guò)于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過(guò)于求，轉為供需較為平衡的格局。 從供給面觀(guān)察，雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場(chǎng)上，垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng)，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構，增加到48層。 外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi)，V-N
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng)，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)價(jià)格媲美傳統硬碟的產(chǎn)品，驅動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性?xún)Υ媸袌?chǎng)出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫(huà)處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長(cháng)一倍以上，主要因素在于SSD開(kāi)發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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