存儲器接連刷新歷史最高紀錄，768Gbit 3D NAND亮相

　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會(huì )議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車(chē)載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內容 豐富。

　　存儲器會(huì )議共有3個(gè)。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì )議共有14項發(fā)表。其中有12項來(lái)自亞洲，日本有2項(內容均為非易失存儲器)。下面來(lái)介紹一下非易失存儲器會(huì )議的演講。

　　“Non-Volatile Memory Solutions”會(huì )議上有4項閃存和3項新興存儲器的發(fā)表，吸引了240多名聽(tīng)眾。閃存方面最令聽(tīng)眾感興趣的是美國美光科技(Micron Technology)的768Gbit 3D(三維)TLC NAND(論文編號：7.7)。與原來(lái)(256Gbit)相比容量大幅提高。利用與2D(二維)NAND相同的浮柵型存儲單元實(shí)現三維積層，在陣列下配置 陣列控制電路(參閱本站報道1)。

　　與美光對抗的是韓國三星電子(Samsung Electronics)的256Gbit TLC V-NAND(三維，論文編號：7.1)。采用電荷捕獲型存儲單元進(jìn)化至第三代，增加了WL椎棧數量，實(shí)現了大容量化。此次在3D NAND的存儲單元構造方面出現多種手段，這一點(diǎn)非常有趣，今后兩技術(shù)的發(fā)展動(dòng)向值得關(guān)注。

　　另外三星還宣布，在2D NAND方面將工藝節點(diǎn)微細化到了世界最小的14nm(論文編號：7.5)。在NAND大容量化的舞臺正向3D化轉移的情況下，2D領(lǐng)域的微細化也取得了穩步進(jìn)展，這一點(diǎn)令人印象深刻。

　　瑞 薩電子發(fā)表了全球首款滿(mǎn)足車(chē)載高溫可靠性要求的單晶體管MONOS型混載閃存(論文編號：7.6)?？捎蒙倭孔芳友谀?lái)封裝，在滿(mǎn)足車(chē)載要求的溫度范圍 內，實(shí)現了比其他混載閃存大幅降低的擦寫(xiě)能量及1億次的擦寫(xiě)次數。該混載非易失存儲器可將模擬、MCU、非易失存儲器集成于一枚芯片，為創(chuàng )造車(chē)載控制新解 決方案做出貢獻。

　　東芝發(fā)表基于STT-MRAM的緩存

　　在新興存儲器方面，東芝繼去年之后再次發(fā)表基于STT-MRAM的 節能緩存(論文編號：7.2)。該緩存根據CPU的閃存訪(fǎng)問(wèn)預測來(lái)實(shí)施電源門(mén)控，并在內部封裝用于在read-modify-write及write- modify-write時(shí)只寫(xiě)入反轉bit的校驗電路，與基于SRAM的緩存相比，使能量削減了93%之多(參閱本站報道2)。業(yè)界普遍預計，將 STT-MRAM的高速擦寫(xiě)和常閉適合性充分運于緩存的研究今后將愈發(fā)活躍。

　　此外，臺灣旺宏電子(Macronix International)等發(fā)表了利用阻抗漂移補償手段使錯誤讀取率降低至以往1/100的MLC PCM(論文編號：7.3)，臺灣國立清華大學(xué)(National Tsing Hua)等發(fā)表了憑借2.5Tr1R單元構成與新型讀出放大器的組合實(shí)現256bit字長(cháng)的小面積節能ReRAM TCAM(論文編號：7.4)。