運用材料工程解決半導體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰

　　今年，半導體行業(yè)將迎來(lái)幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實(shí)現3D NAND器件的批量生產(chǎn)。

　　由平面結構向3D NAND器件的過(guò)渡將帶來(lái)一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。此外，隨著(zhù)越來(lái)越多支持圖案化和保形沉積的材料被用于構建復雜結構，材料的可選擇性正成為一個(gè)必不可少的能力。

　　2016年下半年，我們預計邏輯芯片和晶圓代工廠(chǎng)的10nm 3D FinFET工藝將逐步實(shí)現量產(chǎn)。10nm平臺是晶體管制造中的重要技術(shù)，能維持晶體管性能的提升，遵照摩爾定律不斷增加存儲密度，從而使下一代芯片設計成為現實(shí)。然而，由于極紫外(EUV)光刻工具尚未普及，目前實(shí)現這一技術(shù)拐點(diǎn)仍需依賴(lài)多重曝光技術(shù)才能克服當前光學(xué)光刻分辨率的瓶頸。在DRAM工藝由20納米級向十幾納米過(guò)渡的過(guò)程中，多重曝光技術(shù)同樣重要，因其能實(shí)現存儲器件位密度的持續增加。盡管多重曝光技術(shù)支持元件的持續縮微，但其復雜的工藝對沉積和蝕刻的精度帶來(lái)了更嚴格的要求。

　　隨著(zhù)芯片制造商競相進(jìn)入技術(shù)拐點(diǎn)，他們將不斷增加對創(chuàng )新設備的投資。展望未來(lái)，我們預計2016年對半導體行業(yè)將是一個(gè)重要的轉折點(diǎn)，幾乎所有新建產(chǎn)能都將進(jìn)入10nm/1Xnm時(shí)代。隨著(zhù)越來(lái)越多的材料被用于生產(chǎn)先進(jìn)的元器件設計，我們預計選擇性材料沉積和清除等尖端技術(shù)由于能在目標區域內有選擇地清除或沉積材料，而不會(huì )觸碰或損壞周?chē)牧?，有望在芯片制造中起到舉足輕重的作用，最終使創(chuàng )建互聯(lián)世界成為可能。

　　半導體行業(yè)的另一大重要趨勢是芯片制造和消費重心逐漸轉移到中國，這也為中國市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展提供了巨大的機遇。盡管這同時(shí)也會(huì )為半導體行業(yè)帶來(lái)許多挑戰，但憑借強有力的政策護航和中央及地方政府的財政支持，加上“中國制造2025”戰略的逐步落實(shí)，我們相信中國的半導體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新一輪的發(fā)展契機。與此同時(shí)，中國也必須加快技術(shù)創(chuàng )新和人才儲備，才能在全球集成電路的大舞臺中扮演更加重要的角色。

　　作為半導體和平板顯示設備的領(lǐng)先供應商，應用材料公司深耕中國市場(chǎng)已三十余年，致力于與客戶(hù)共同推動(dòng)中國集成電路行業(yè)的發(fā)展。公司將繼續借助在材料工程領(lǐng)域的技術(shù)專(zhuān)長(cháng)，通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng )新，幫助中國的集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現可持續增長(cháng)。為應對市場(chǎng)需求和行業(yè)發(fā)展趨勢，應用材料公司也將與整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的客戶(hù)攜手，培養世界一流的人才，來(lái)共同解決中國半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新紀元后所面臨的技術(shù)拐點(diǎn)挑戰。