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我國科學(xué)家技術(shù)突破 存儲芯片無(wú)限次擦寫(xiě)引圍觀(guān)：TLC、QLC買(mǎi)誰(shuí) 恐不再糾結
- 7月1日消息，據國內媒體報道稱(chēng)，四川科學(xué)家借力AI 開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無(wú)限次擦寫(xiě)。報道中提到，電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團隊聯(lián)合復旦大學(xué)、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內率先攻克困擾領(lǐng)域內70多年的鐵電材料疲勞問(wèn)題。鐵電材料在經(jīng)歷反復極化切換后，極化只能實(shí)現部分翻轉，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問(wèn)題早在1953年就已被研究者發(fā)現報道，
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 TLC QLC
NAND市場(chǎng)，激戰打響
- 隨著(zhù)人工智能（AI）相關(guān)半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類(lèi)型之分，
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND
鎧俠結束減產(chǎn)？?jì)勺鵑AND工廠(chǎng)開(kāi)工率提高至100%
- 據日經(jīng)新聞報道，鑒于市場(chǎng)正在復蘇，日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠已結束持續20個(gè)月的減產(chǎn)行動(dòng)，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱(chēng)，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠(chǎng)的生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率提高至100%。而隨著(zhù)業(yè)務(wù)好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進(jìn)行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱(chēng)，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會(huì )繼續根據
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 NAND
Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場(chǎng)分析機構 Omdia 的話(huà)稱(chēng)，2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話(huà)說(shuō)，未來(lái)三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
- 關(guān)鍵字： QLC NAND 閃存
三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 存儲
三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現？
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長(cháng)期使用所導致的性能下降方面實(shí)現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現業(yè)界最高
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI 存儲 NAND
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)原先預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時(shí)從合約價(jià)先行指標的現貨價(jià)格就可看出，現貨價(jià)已出現連續走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce
累計上漲100%還不停！消息稱(chēng)SK海力士將對內存等漲價(jià) 至少上調20%
- 5月6日消息，供應鏈爆料稱(chēng)，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐?zhù)存儲漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤達到了6.606萬(wàn)億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場(chǎng)總體需求強勁，特別是生
- 關(guān)鍵字： SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
群聯(lián)3月?tīng)I收年增73%，創(chuàng )歷史單月新高紀錄
- 近日，存儲廠(chǎng)商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運結果，合并營(yíng)收為新臺幣67.75億元，年成長(cháng)達73%，刷新歷史單月?tīng)I收新高紀錄。全年度營(yíng)收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長(cháng)達64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長(cháng)達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長(cháng)率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場(chǎng)需求持續緩步回升趨勢不
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤(pán) NAND Flash
3D NAND，1000層競爭加速
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
3D NAND，1000層競爭加速！
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 集邦咨詢(xún)
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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