中國剛突破128層QLC閃存 三星將首發(fā)160層閃存

上周中國的長(cháng)江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類(lèi)型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng )造了三個(gè)世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒(méi)閑著(zhù),三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧的3D閃存。

對3D閃存來(lái)說(shuō),堆棧層數越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球將大規模量產(chǎn)100+層的3D閃存。

不過(guò)每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層,今年也是量產(chǎn)的主力。

在136層之后,三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。

目前160層+的3D閃存還沒(méi)有詳細的技術(shù)信息,韓媒報道稱(chēng)三星可能會(huì )大幅改進(jìn)制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。

考慮到三星在NAND閃存行業(yè)占據了超過(guò)1/3的份額,實(shí)力是最強的,不出意外160+層堆棧的閃存應該也會(huì )是他們首發(fā),繼續保持閃存技術(shù)上的優(yōu)勢,拉開(kāi)與對手的差距。

對了,單從層數上來(lái)說(shuō),三星的160層+還不是最高的,SK Hynix去年宣布正在研發(fā)176層堆棧的4D閃存,不過(guò)他們家的閃存結構甚至命名都跟其他廠(chǎng)商有所不同,不能單看層數高低。