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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數據傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實(shí)現商業(yè)化。Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設計工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節則將交由外部代工廠(chǎng)負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關(guān)鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
Microsoft希望各USB-C版本在所有PC上都能一致地工作
- 自從 USB Implementers Forum 技術(shù)演示以來(lái)，我們一直在介紹小型、可逆的 USB Type-C 連接器，從那時(shí)起的十多年里，該端口逐漸風(fēng)靡全球。它逐漸從筆記本電腦遷移到游戲機、PC 配件、Android 手機、電子閱讀器和 iPhone。盡管存在一些問(wèn)題和缺點(diǎn)，但與十年前相比，我們更接近于一個(gè)可以做所有事情的單一連接器。但其中一些困惑仍然存在。USB-C 從一開(kāi)始就內置的一個(gè)弱點(diǎn)是，物理連接器的規格總是與 USB 協(xié)議本身的規格（即給定端口能夠達到的數據傳輸速度）、用于充電的
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三星考慮進(jìn)行大規模內部重組
- 據韓媒SEDaily報道，三星半導體部門(mén)（即DS設備解決方案部）正對系統LSI業(yè)務(wù)的組織運作方式的調整計劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預計在由副董事長(cháng)鄭鉉鎬和DS部門(mén)負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽(tīng)取董事長(cháng)李在镕的意見(jiàn)。系統LSI業(yè)務(wù)主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著(zhù)為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門(mén)開(kāi)發(fā)Exynos手機SoC的核心任務(wù)。然而，近年來(lái)Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門(mén)的利潤空間，
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
DDR5上升趨勢放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
- 根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)最新的內存現貨價(jià)格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達到相對較高的水平，購買(mǎi)勢頭現在正在降溫。詳情如下：DRAM 現貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì )出現小幅現貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現貨價(jià)格已經(jīng)相當高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關(guān)鍵字： DDR5 DRAM
傳英特爾考慮剝離網(wǎng)絡(luò )和邊緣業(yè)務(wù)，以專(zhuān)注于PC和數據中心
- 據路透社報道，據報道，英特爾正在考慮剝離其網(wǎng)絡(luò )和邊緣業(yè)務(wù)組 （NEX），以專(zhuān)注于 PC 和數據中心。計劃包括出售該部門(mén)并將其與另一家公司合作。據說(shuō)英特爾已經(jīng)與其他公司談過(guò)這個(gè)計劃。4 月，它以 87.5 億美元的價(jià)格將 Altera 51% 的股份出售給 Silver Lake。之前的合作伙伴關(guān)系銷(xiāo)售是與投資公司 Apollo 進(jìn)行的，Apollo 斥資 110 億美元收購了英特爾在愛(ài)爾蘭的 Fab 34 49% 的股份，另一家是英特爾將其 IMS 納米制造業(yè)務(wù) 20% 的股份出售給貝恩資本據說(shuō)英特爾已經(jīng)
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華為發(fā)布可折疊PC：全球最大雙層OLED顯示屏
- 5月19日下午，華為召開(kāi)新品發(fā)布會(huì )，其中最重磅的產(chǎn)品當然是形態(tài)頗為另類(lèi)的 —— MateBook Fold折疊電腦，有32GB+1TB和32GB+1TB兩個(gè)版本，售價(jià)分別為23999元和26999元。超大折MateBook Fold華為MateBook Fold采用了全球最大的雙層OLED顯示屏，也是行業(yè)中首次采用LTPO技術(shù)的電腦顯示屏，支持自適應刷新率。這塊屏幕HDR峰值亮度為1600nits，分辨率為3.3K。屏幕展開(kāi)后屏幕尺寸為18英寸，比例為4:3 ，折疊狀態(tài)下尺寸為13英寸，比例為3:2，整機
- 關(guān)鍵字： 華為 可折疊 PC OLED 顯示屏
Rambus推出下一代內存模塊，提升AI PC性能
- 5 月 14 日，Rambus 宣布推出專(zhuān)為客戶(hù)端芯片組設計的下一代 AI PC 內存模塊的完整陣容。這包括兩個(gè)為客戶(hù)端計算量身定制的新型電源管理 IC （PMIC）：用于 LPDDR5 CAMM2 （LPCAMM2） 內存模塊的 PMIC5200 和用于 DDR5 CSODIMM 和 CUDIMM 內存模塊的 PMIC5120。PMIC5200 針對 LPDDR 電源軌進(jìn)行了優(yōu)化，可提供出色的電源轉換精度和效率。PMIC5120 目前支持高達 7200 MT/s 的數據傳輸速率，并且旨在在未來(lái)擴展到更高
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Rambus推出面向下一代AI PC內存模塊的業(yè)界領(lǐng)先客戶(hù)端芯片組
- 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數據傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出面向下一代人工智能（AI）個(gè)人電腦（ PC）內存模塊的完整客戶(hù)端芯片組，包含兩款用于客戶(hù)端計算的全新電源管理芯片（PMIC）。PMIC是實(shí)現高效供電的關(guān)鍵，能夠為先進(jìn)的計算應用提供突破性的性能表現。這兩款業(yè)界領(lǐng)先的全新Rambus PMIC分別是適用于LPDDR5 CAMM2（LPCAMM2）內存模塊的PMIC5200，以及適用于DDR5 CSODIMM和CUDIMM的PMIC
- 關(guān)鍵字： Rambus AI PC 內存模塊 客戶(hù)端 芯片組
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術(shù)能夠實(shí)現 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
- 關(guān)鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數據推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據韓國 Etnews 報道，三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶(hù)敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報告補充說(shuō)，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數月為基礎進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時(shí)間內支持盈利能力，從而為三星第二
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Vishay推出通過(guò)AEC-Q200認證的新款厚膜功率電阻器可選配N(xiāo)TC熱敏電阻和PC-TIM
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款通過(guò)AEC-Q200認證、采用緊湊型薄形SOT-227封裝并可安裝在散熱片上的全新厚膜功率電阻器---ISOA200。Vishay MCB ISOA200可選配用于內部溫度監測的NTC熱敏電阻和用于更高效安裝的預涂相變熱接口材料（PC-TIM），在80°C底殼溫度下可提供高脈沖處理能力和高達200W的高功率耗散。日前發(fā)布的器件采用裸露鋁襯底取代金屬片，可用作預充電、放電、主動(dòng)放電或緩沖電阻，降低汽車(chē)、工業(yè)和航空航天等應用的
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英偉達和聯(lián)發(fā)科技可能會(huì )在 Computex 上推出聯(lián)合開(kāi)發(fā)的適用于 Windows PC 的“N1”Arm 芯片
- 據 ComputerBase 稱(chēng)，英偉達和聯(lián)發(fā)科預計將在 2025 年臺北國際電腦展上推出他們聯(lián)合開(kāi)發(fā)的基于 Arm 的 PC 處理器。即將推出的芯片 N1X 和 N1 針對臺式機和筆記本電腦，標志著(zhù) Nvidia 更深入地進(jìn)入 Windows-on-Arm 生態(tài)系統。然而，由于未解決的技術(shù)障礙，零售可用性可能會(huì )推遲到 2026 年，Heise 援引 SemiAccurate 的話(huà)說(shuō)。兩家公司的首席執行官 — 英偉達的黃仁勛和聯(lián)發(fā)科技的 Rick Tsai
- 關(guān)鍵字： 英偉達 聯(lián)發(fā)科技 Computex Windows PC N1 Arm 芯片
撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲器市場(chǎng)近期出現顯著(zhù)價(jià)格上漲，消費級存儲器產(chǎn)品價(jià)格持續攀升。 根據最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場(chǎng)的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶(hù)的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調整，漲幅將超過(guò)10%。市場(chǎng)分析人士指出，存儲器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶(hù)急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續推動(dòng)了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠(chǎng)集中資源，生
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來(lái)2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線(xiàn)圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預計將在未來(lái)2到3年內問(wèn)世。在規劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過(guò)深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開(kāi)發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
- 關(guān)鍵字： 三星電子 VCT DRAM
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條pc dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對pc dram的理解，并與今后在此搜索pc dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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