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半導體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報，營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻達一半以上，可說(shuō)是最大功臣。 據韓媒ChosunBiz報導，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報，業(yè)績(jì)終于跌回升，營(yíng)收為52兆韓元，營(yíng)業(yè)利益達5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門(mén)第4季貢獻營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門(mén)營(yíng)業(yè)利益(2
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 DRAM NAND Flash
Gartner：蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內存制造商帶來(lái)增長(cháng)
- Gartner發(fā)布初步統計結果，2014年全球半導體總營(yíng)收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長(cháng)7.9%。前25大半導體廠(chǎng)商合并營(yíng)收增長(cháng)率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現。前25大廠(chǎng)商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來(lái)看，DRAM廠(chǎng)商的表現勝過(guò)半導體產(chǎn)業(yè)其他廠(chǎng)商。這股趨勢始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續至今，2014年營(yíng)收也因而增長(cháng)31.
- 關(guān)鍵字： Gartner DRAM NAND
三星2015年內量產(chǎn)48層V NAND 已著(zhù)手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無(wú)法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場(chǎng)上維持獨大地位，計劃在2015年內量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。 據首爾經(jīng)濟報導，三星近來(lái)已完成48層結構的V NAND研發(fā)，并著(zhù)手研發(fā)后續產(chǎn)品64層結構V NAND。48層V NAND將于2015年內開(kāi)始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會(huì )在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Intel
高交會(huì )上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數據表明，東芝2014年會(huì )計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運表現最亮眼，位出貨量季成長(cháng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(cháng)23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長(cháng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì )電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國的閃存生意非常好，在高交會(huì )電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢。
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存 3D 201501
Spansion面向嵌入式市場(chǎng)推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強大的客戶(hù)群，而且我們還發(fā)現，這些客戶(hù)對嵌入式集中規模存儲解決方案的需求也越來(lái)越大。對于那些不僅僅是要購買(mǎi)一款“現成”產(chǎn)品的嵌入式客戶(hù)而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。 作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
- 關(guān)鍵字： Spansion NAND
海力士前高層加入慧榮 SSD大戰鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰火正熱，持續成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠(chǎng)，使出渾身解數綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外，有機會(huì )延伸至SSD產(chǎn)品線(xiàn)上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內部極度重視SSD產(chǎn)品線(xiàn)，立下通吃NAND Flash大廠(chǎng)和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營(yíng)運
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)
- NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過(guò)它也存在諸多問(wèn)題，尤其是壽命隨著(zhù)工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術(shù)勢在必行。 從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現，但目前還未能挑戰NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過(guò)，走在最前列的是一家美國創(chuàng )業(yè)公司Crossbar。 RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
- 關(guān)鍵字： NAND 三星 閃迪
DRAM樂(lè )觀(guān) NAND有隱憂(yōu)
- 記憶體市況今年將不同調;動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂(yōu)。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠(chǎng)去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠(chǎng)南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng )歷史新高紀錄。 NAND Flash市場(chǎng)競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士 NAND Flash
東芝擴充海外內存芯片廠(chǎng)，會(huì )是中國嗎
- 據國外媒體報道，東芝首席執行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內存芯片工廠(chǎng)，并且在選擇建廠(chǎng)地址時(shí)會(huì )考慮海外地區。 東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開(kāi)了一座NAND閃存芯片加工廠(chǎng)，田中久雄在接受采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)，需求超過(guò)了產(chǎn)能，公司必須擴大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產(chǎn)品。 田中久雄稱(chēng)：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠(chǎng)，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠(chǎng)。”當被問(wèn)及中國是否會(huì )是海外建廠(chǎng)的最佳地區時(shí)，他補充說(shuō)
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慧榮科技推出業(yè)界首款車(chē)載IVI級單封裝SSD解決方案
- 在設計及推廣用于固態(tài)存儲設備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專(zhuān)為車(chē)載信息娛樂(lè )(IVI)系統設計的汽車(chē)級PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車(chē)載IVI系統等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤(pán)驅動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，FerriSSD解決方案與傳統的硬盤(pán)驅動(dòng)器相比不僅運行速度更
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀(guān)整個(gè)計算架構，閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著(zhù)工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會(huì ))上就公布了其最新的可變電阻式存儲
- 關(guān)鍵字： NAND MLC TLC
研調：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠(chǎng)商在第三季季底財報結算壓力過(guò)后，不再采取積極價(jià)格戰，使得原廠(chǎng)間戰火稍緩。另一方面，因模組廠(chǎng)預期此波價(jià)格跌勢將持續，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節備貨動(dòng)能正式結束后，受到季節性因素影響，預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
- 關(guān)鍵字： NAND Flash eMMC
三星半導體設備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠(chǎng)
- 韓國時(shí)報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠(chǎng)市占率合計來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩定與市場(chǎng)供需平衡。 據報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開(kāi)設新廠(chǎng)房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩，
- 關(guān)鍵字： 三星 SK 海力士 美光 NAND
東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場(chǎng)傳輸技術(shù)加速市場(chǎng)化
- 2014年NAND Flash市場(chǎng)在便攜式電子新品持續、快速更新的帶動(dòng)下表現出價(jià)格穩定、需求強勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，三星、東芝這些存儲行業(yè)大牌的表現尤為出色。據市場(chǎng)調研機構TrendForce最新報告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營(yíng)收環(huán)比大增23.7%，穩居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續增加。 在今年的高交會(huì )上，記者也對東芝新制程的存儲
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND Flash TransferJet
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以?xún)Υ鏀祿橹?，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)Υ娉绦虼a為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細 ]
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