三星2015年內量產(chǎn)48層V NAND　已著(zhù)手研發(fā)64層產(chǎn)品

　　三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無(wú)法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場(chǎng)上維持獨大地位，計劃在2015年內量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。

　　據首爾經(jīng)濟報導，三星近來(lái)已完成48層結構的V NAND研發(fā)，并著(zhù)手研發(fā)后續產(chǎn)品64層結構V NAND。48層V NAND將于2015年內開(kāi)始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會(huì )在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。

　　2013年首度公開(kāi)24層結構V NAND的三星，在不到1年時(shí)間內的2014年5月，領(lǐng)先全球開(kāi)始生產(chǎn)堆疊層數提升30%的32層V NAND。接著(zhù)又完成48層V NAND研發(fā)，技術(shù)力領(lǐng)先群雄。

　　以營(yíng)收為基準，在NAND Flash市場(chǎng)上排名第二~五名的新帝(SanDisk)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)等，都尚未投入V NAND生產(chǎn)。

　　V NAND是為了突破平面結構NAND Flash的技術(shù)瓶頸，而改變?yōu)榱Ⅲw結構的創(chuàng )新產(chǎn)品。將存儲器Cell層層堆高，堆疊越多層，集積度越高，可提升儲存容量。此外，V NAND的壽命也較平面NAND延長(cháng)最高10倍。

　　三星已完成研發(fā)的48層V NAND，被業(yè)界看作是存儲器芯片的分水嶺。直到32層V NAND因成本相對于性能來(lái)說(shuō)仍舊偏高，市場(chǎng)性比平面結構芯片低，然48層結構V NAND已能確保價(jià)格和品質(zhì)，可望成為V NAND市場(chǎng)大勢。

　　東芝認為，推出32層V NAND的主要目的與其說(shuō)是提升獲利，宣示技術(shù)力的成分較高;然超過(guò)40層的V NAND將能讓技術(shù)力領(lǐng)先的業(yè)者掌握市場(chǎng)。

　　V NAND需求也正逐漸升溫，報導引用市調機構iSuppli資料指出，未來(lái)取代硬碟的次世代儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)，搭載V NAND的比重將從2014年的0.1%，在2018年增加到31.1%。

　　目前三星和其他競爭企業(yè)在V NAND領(lǐng)域的技術(shù)差距約有2年以上。SK海力士、英特爾(Intel)和美光(Micron)的合資公司IM Flash以2015年初投入量產(chǎn)為目標，對客戶(hù)公開(kāi)24層結構V NAND樣品，東芝預計會(huì )在2015年下半推出24層V NAND。