2008：巨型晶圓廠(chǎng)初露鋒芒

　　以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)自去年年初以來(lái)經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著(zhù)現貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng )下新低，價(jià)格壓力充斥著(zhù)整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長(cháng)的市場(chǎng)即將出現。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節增長(cháng)至2011年的33.5萬(wàn)億兆字節。

　　大舉擴產(chǎn)NAND閃存

　　低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(cháng)，使得部分廠(chǎng)商出現供給不足。以東芝(Toshiba)為例，該公司目前已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)對NAND閃存的需求，據稱(chēng)斷貨會(huì )一直持續到12月份。對于未來(lái)，東芝預計NAND閃存比特增長(cháng)率將在2008年和2009年分別出現120%和115%的跨越式增長(cháng)。盡管對銷(xiāo)售價(jià)格的下滑趨勢十分擔憂(yōu)，該公司仍計劃大規模擴充產(chǎn)能以滿(mǎn)足高漲的需求。此外，來(lái)自韓國的芯片制造商們也正在將其部分DRAM產(chǎn)能調撥至NAND閃存。

　　三星跟往年一樣在去年年中的時(shí)候增加了支出預算，將其去年年初69億美元的資本支出計劃(包括Austin)增至83.5億美元的高位。臺灣華邦電子雖不如三星那么大手筆，但也將其資本支出從2.45億美元翻番至5.87億美元。

　　存儲器廠(chǎng)商推波助瀾

　　除了三星，還有更多的存儲器廠(chǎng)商不斷地在這一市場(chǎng)煽風(fēng)點(diǎn)火。力晶和爾必達合資成立的DRAM廠(chǎng)商瑞晶電子(Rexchip)正在將其大量開(kāi)出的產(chǎn)能推向市場(chǎng)，類(lèi)似的還有Toshiba與SanDisk聯(lián)合成立FlashAlliance。瑞晶去年首座300mm晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)，月產(chǎn)能為70,000片晶圓。這還只是該公司四座規劃中的晶圓廠(chǎng)之一，第二座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)于去年7月動(dòng)工興建，預計將于2008年下半年投產(chǎn)。奇夢(mèng)達則在去年年底開(kāi)始動(dòng)工建設其月產(chǎn)能為60,000片晶圓的新加坡300mm晶圓廠(chǎng)。

　　巨型晶圓廠(chǎng)的加速

　　FlashAlliance極有可能將加速其百萬(wàn)級晶圓廠(chǎng)，或被稱(chēng)為“巨型晶圓廠(chǎng)(MonsterFab)”的Fab4(全球最大的晶圓廠(chǎng)，最大產(chǎn)能每月210,000片)的擴產(chǎn)，并且將有望在今年年中開(kāi)始動(dòng)工建設Fab5(月產(chǎn)能亦為210,000片)。與STMicroelectronics一道，海力士打算去年年底將雙方在中國無(wú)錫的300mm合資廠(chǎng)月產(chǎn)能擴充至80,000片的最高水平。此外他們還將把位于韓國仁川(Icheon)的FabM10改造成月產(chǎn)能110,000片的300mm晶圓廠(chǎng)。

　　供給過(guò)剩的擔憂(yōu)

　　不少存儲器廠(chǎng)商正在通過(guò)建設規模更大的晶圓廠(chǎng)來(lái)推動(dòng)這一市場(chǎng)。事實(shí)上，很多廠(chǎng)商也對此顧慮重重，因為他們擔心此舉將進(jìn)一步加速平均銷(xiāo)售價(jià)格的下跌。在一個(gè)價(jià)格疲軟的環(huán)境下，即使市場(chǎng)份額能夠擴大，廠(chǎng)商也難以真正高興起來(lái)。對于供給過(guò)剩的擔憂(yōu)如今已浮出水面，iSuppli等公司最近都曾指出“供給過(guò)渡將存儲器市場(chǎng)推向深淵”。

　　隨著(zhù)市場(chǎng)受到?jīng)_擊，各廠(chǎng)商紛紛以各種方式應對，試圖使自身產(chǎn)出滿(mǎn)足預期的需求。

　　有的公司不得不削減資本支出，只有少數公司能夠有足夠的底氣開(kāi)出更大額的支票。

　　在2007年實(shí)現8%的年增長(cháng)率之后，2008年晶圓廠(chǎng)建設項目方面的支出將出現停滯，甚至還有可能出現個(gè)位數的負增長(cháng)。晶圓廠(chǎng)設備采購方面的支出則可能在經(jīng)歷2007年8%的年度增長(cháng)之后在2008年出現10%的負增長(cháng)。

　　許多公司開(kāi)始通過(guò)削減支出、重組、加速提高生產(chǎn)效率等降低成本的努力來(lái)應對趨緩的市場(chǎng)環(huán)境。有的開(kāi)始進(jìn)行大規模裁員(如最近三星宣布裁員1,630人，Conexant打算裁員20%，美光也有裁員約10%的計劃)。部分廠(chǎng)商則尋求削減支出，如臺灣茂德近日即宣布2008年資本支出將由2007年的18億美元大幅削減至8億美元。奇夢(mèng)達最近也承認2008財年資本支出水平將會(huì )低于2007財年。

　　代工廠(chǎng)削減資本支出

　　與此同時(shí)，我們預計四大晶圓代工廠(chǎng)商臺積電、聯(lián)電、中芯國際和特許半導體均將削減其資本支出，維持或進(jìn)一步提升較高的產(chǎn)能利用率水平。臺積電、聯(lián)電和特許半導體總共可望將2008年資本支出減少10%以上。至于中芯國際晶圓廠(chǎng)的支出，包括其以代管模式經(jīng)營(yíng)的晶圓廠(chǎng)，則取決于該公司的合作伙伴以及融資情況。

　　盡管聯(lián)電將加大某些關(guān)鍵的、資本密集型設備上的投入，并通過(guò)重點(diǎn)將舊制程技術(shù)轉化為更先進(jìn)的制程技術(shù)而擴充產(chǎn)能，聯(lián)電仍然宣布2008年資本支出將顯著(zhù)減少。我們仍期待聯(lián)電將于2008年末開(kāi)始為Fab12B移入設備(Fab12B目前正處于建設中)。今年，臺積電將完成Fab14第二階段的產(chǎn)能擴充，并將開(kāi)始第三階段的擴產(chǎn)。兩者預計均會(huì )帶來(lái)最多4萬(wàn)片至4.5萬(wàn)片的月產(chǎn)能。中芯國際和特許半導體則宣布將對未來(lái)短期內資本支出進(jìn)行集約型管理。

　　產(chǎn)能預測

　　2007年全球晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能增長(cháng)率接近20%，2008年還將進(jìn)一步新增11%。全球已投產(chǎn)總產(chǎn)能方面，存儲器產(chǎn)能增長(cháng)率將從2007年的38%增加至2008年41%。日本在2007年和2008年均擁有全球最大的已投產(chǎn)產(chǎn)能，折合成8寸晶圓分別為每月350萬(wàn)片晶圓和380萬(wàn)片晶圓以上。緊隨其后的是臺灣和韓國，月產(chǎn)能在2007年分別為250萬(wàn)片和260萬(wàn)片，在2008年則分別為280萬(wàn)片和270萬(wàn)片。美國作為第四大晶圓產(chǎn)出地區，2007年的月產(chǎn)能為240萬(wàn)片，2008年預計將達到270萬(wàn)片。

　　盡管我們的統計顯示2008年增長(cháng)有所放緩，這一趨勢仍有望出現變化。許多公司(并非所有公司)增速下降，或者緊縮開(kāi)支以應對下滑的市場(chǎng)。但是只要市場(chǎng)出現改善跡象，這一切便有可能很快改變。半導體產(chǎn)業(yè)不斷成熟意味著(zhù)它能夠比以前更快地對市場(chǎng)變化做出反應。