nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區

2008年全球半導體市場(chǎng)將出現從緊態(tài)勢

　　市場(chǎng)調研機構Gartner公司最近發(fā)布報告，稱(chēng)由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累，預計2008年全球半導體廠(chǎng)商支出將下降19.8%，達475億美元。　　Gartner公司負責半導體制造業(yè)務(wù)調查的副總裁Klaus Rinnen表示，“原來(lái)所預測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了，大多數廠(chǎng)商選擇了從緊的投資策略。就當前的市場(chǎng)行情，預計今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%，而整個(gè)存儲芯片市場(chǎng)費用支出將減少29%”。　　Gartner還稱(chēng)，預計今年全球用于芯片設
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磁阻式隨機存儲器將挑戰閃存

　　磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點(diǎn)。　　根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門(mén)）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險投資公司的加入。據悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司，側重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。　　MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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汽車(chē)MCU演繹四大發(fā)展趨勢

過(guò)去幾年里，平均一部汽車(chē)大約會(huì )用到20顆MCU，而現在汽車(chē)中使用的MCU數量已達40-60顆，部分高檔轎車(chē)MCU數量已經(jīng)達到上百顆。2004年，全球汽車(chē)半導體的收入是160億美元，其中汽車(chē)MCU的銷(xiāo)售收入就占到34%。據預測，2005年，汽車(chē)MCU所占比例還將保持這一數字。? 　　目前，汽車(chē)MCU已經(jīng)進(jìn)入汽車(chē)動(dòng)力系統、汽車(chē)安防系統、汽車(chē)娛樂(lè )系統、汽車(chē)導航與遠程通信系統，這些系統對汽車(chē)MCU提出了不同的要求，推動(dòng)汽車(chē)MCU不斷發(fā)展。汽車(chē)MCU在提高性能的同時(shí)，在應用上也將以不同于消費、通信中的應
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08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷(xiāo)量

　　MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)4Q07傳統旺季的促銷(xiāo)熱賣(mài)，達到單季6,300萬(wàn)臺以上的銷(xiāo)售紀錄后，1Q08在淡季因素的效應影響下，出貨量銳減至4,258萬(wàn)臺。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來(lái)看，Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導品牌，今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達73%，全球市場(chǎng)其它的一線(xiàn)品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。　　單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來(lái)看，最引人關(guān)注的是高階機種iPod Touch在2008年2月
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英特爾美光推指甲芯片工藝最先進(jìn)容量翻番

　　【賽迪網(wǎng)訊】5月30日消息，當地時(shí)間本周四，英特爾和美光科技公布了它們聯(lián)合開(kāi)發(fā)的將催生大容量廉價(jià)固態(tài)硬盤(pán)的34納米工藝、32Gb容量的NAND閃存芯片。　　據國外媒體報道稱(chēng)，新款閃存芯片的尺寸大小不及指甲蓋大小、利用300毫米晶圓片制造。英特爾官員稱(chēng)，這款閃存芯片是當前工藝最先進(jìn)的NAND閃存芯片，將為在小型設備上提供廉價(jià)、大容量的固態(tài)硬盤(pán)奠定基礎。　　兩家公司計劃6月份交付樣品芯片，批量生產(chǎn)會(huì )在今年下半年開(kāi)始。　　據英特爾講，基于其新NAND閃存設計的一個(gè)32Gb芯片可以存儲2000張高
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Symbian Ready 項目助力產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品質(zhì)量提升

　　市場(chǎng)領(lǐng)先的開(kāi)放式手機操作系統供應商——Symbian軟件有限公司今日發(fā)布“Symbian Ready”技術(shù)認證項目。 “Symbian Ready”旨在確保Symbian的客戶(hù)，即市場(chǎng)領(lǐng)先的手機制造商可以從高質(zhì)量的產(chǎn)業(yè)鏈解決方案中獲益，并為產(chǎn)業(yè)體系中的合作伙伴向移動(dòng)領(lǐng)域中的核心決策者展示其解決方案的優(yōu)異質(zhì)量提供更多的機會(huì )。　　“Symbian Ready”將幫助合作伙伴以最有效的方式運用Symbian操
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可管理NAND：適用于移動(dòng)設備的嵌入式大容量存儲革新

　　與多年前相比，現在的移動(dòng)消費電子裝置結構復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂(lè )、照片和視頻內容。讓人欣慰的是，存儲系統的體系結構能夠適應這些新的數據密集型應用。例如，適用于大容量存儲的高性?xún)r(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機、MP3 播放器和數碼相機中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。　　隨著(zhù)工藝技術(shù)的進(jìn)步，存儲器密度大約每 12 至 18 個(gè)月即提高一倍。對于 NAND 閃存而言，這意味著(zhù)對多層單元 (MLC) 技術(shù)的重視程度日益提高。傳統的單層單元 (SLC) NAND 閃存
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存儲器大廠(chǎng)意外頻發(fā)“穩定”行業(yè)價(jià)格

　　近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格，一是每年1次的晶圓廠(chǎng)跳電事件，帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠(chǎng)制程凸捶，導致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴(lài)個(gè)人電腦(PC)的成長(cháng)性，很難再出現需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價(jià)格秩序。　　意外事件＋制程出錯穩定價(jià)格的捷徑　　2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠(chǎng)房意外電線(xiàn)走火，導致NAND Fla
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM NAND 晶圓三星海力士 NB DT

基于GPRS的遠程心電實(shí)時(shí)監護儀軟件系統設計

　　當今社會(huì )，心臟疾病已嚴重影響了人們的生命安全，許多突發(fā)患者因得不到及時(shí)救治而使生命受到威脅。傳統的心電監護設備限制了患者的自由，動(dòng)態(tài)心電記錄儀（Holter）雖能便攜地記錄患者日?；顒?dòng)時(shí)的心電數據，但是沒(méi)有實(shí)時(shí)監護功能，對于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。　　無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實(shí)時(shí)監護成為可能。利用GPRS無(wú)線(xiàn)數據通信技術(shù)，可將實(shí)時(shí)監護功能與Holter結合起來(lái)?；颊呖梢耘浯鞅O護儀自由活動(dòng)，同時(shí)可隨時(shí)隨地得到心電監護。緊急情況發(fā)生時(shí)，患者掌握著(zhù)可靠的求生路徑；而醫生可根據全面的心電
關(guān)鍵字： GPRS 遠程監護儀心電實(shí)時(shí) Holter 單片機電源 NAND Flash LCD GSM/GPRS無(wú)線(xiàn)通信

基于A(yíng)RM9內核Processor對外部NAND FLASH的控制實(shí)現

目前流行的ARM9 CPU中,沒(méi)有集成NAND FLASH的控制器,可以通過(guò)使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實(shí)現對外部NAND FLASH的控制.實(shí)測結果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統下讀/寫(xiě)的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿(mǎn)足現在流行手持設備對Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不復當年新帝全球裁員

　　受到NAND Flash價(jià)格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無(wú)預警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國總部作為初步的縮減人力計劃區域，但其它地區包括亞洲在內，不排除有進(jìn)一步縮減人力的計劃。　　事實(shí)上，新帝在2年前合并以色列儲存廠(chǎng)商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤(pán)之后，新帝的營(yíng)運組織就一直在改組，但這次是首度大規模裁員，也使得內部員工人心惶惶。　　新帝的營(yíng)運業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
關(guān)鍵字： NAND Flash 記憶卡新帝 SanDisk

可管理NAND：適用于移動(dòng)設備的嵌入式大容量存儲革

與多年前相比，現在的移動(dòng)消費電子裝置結構復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂(lè )、照片和視頻內容。讓人欣慰的是，存儲系統的體系結構能夠適應這些新的數據密集型應用。例如，適用于大容量存儲的高性?xún)r(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機、MP3 播放器和數碼相機中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
關(guān)鍵字： NAND 移動(dòng)設備嵌入式大容量

一種在片上系統中實(shí)現Nand Flash控制器的方法

　　1　引　言　　Flash因為具有非易失性及可擦除性在數碼相機、手機、個(gè)人數字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。自1989年?yáng)|芝公司發(fā)表了Nand Flash結構以來(lái), Nand Flash以其相對于Nor Flash具有更小的體積,更快的寫(xiě)入和擦除速度,更多次的可擦除次數,以及更低廉的每bit價(jià)格得到了迅速發(fā)展。大容量的Nand Flash特別適合現在數碼設備中大數據量的存儲攜帶,可以降低成本,提高性能。　　ARM7TDMI是世界上廣泛使用的32位嵌入式RIS
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DSP處理器與FLASH存儲器的接口設計

DSP與FLASH存儲器的接口設計是嵌入式系統設計的一項重要技術(shù)，本文以基于三個(gè)C6201／C6701 DSP芯片開(kāi)發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統為例，介紹這一設計技術(shù)。
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存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先公司協(xié)作創(chuàng )建 NAND 閃存標準接口

　　2008 年 4 月 24 日，北京訊日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布加盟開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFi) 工作組。該工作組由業(yè)界領(lǐng)先公司組成，致力于簡(jiǎn)化 NAND 閃存在消費類(lèi)電子產(chǎn)品、計算平臺以及工業(yè)系統中的集成。　　LSI 負責公司策劃與市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)的高級副總裁 Phil Brace 表示：“作為業(yè)界領(lǐng)先的供應商，LSI不僅能為硬盤(pán)驅動(dòng)器制造商提供集成電路，同時(shí)還可以面向全球領(lǐng)先服務(wù)器 OEM 廠(chǎng)商提供磁盤(pán)存儲系統與軟件，因此，完全能夠為 ONFi 計劃提供
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