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內存晴雨表：聲稱(chēng)內存市場(chǎng)復蘇的報告過(guò)于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場(chǎng)復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè )觀(guān)的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠(chǎng)商不會(huì )在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內增長(cháng)。第二季度DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入合計將增長(cháng)3.6%，第三和第四季度分別增長(cháng)21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
- 關(guān)鍵字： iSuppli NAND DRAM
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU
- 瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個(gè)系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠(chǎng)自動(dòng)化）設備、樓宇自動(dòng)化（空調和電力監控設備）和各種通信設備等工業(yè)應用實(shí)現了200 MHz操作和大量?jì)戎檬酵庠O及通信功能。SH7216系列包含12個(gè)產(chǎn)品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類(lèi)型各有不同。 這些產(chǎn)品的主要特性如下： (1) 達到
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH
集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 晶圓
三星和海力士獲得蘋(píng)果7000萬(wàn)NAND大單
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋(píng)果最近向韓國三星電子與海力士?jì)杉夜鞠聠?，要求供?000萬(wàn)顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋(píng)果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國時(shí)報指出，有可靠的消息來(lái)源透露“三星電子被要求供應5000萬(wàn)顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋(píng)果，而海力士也將供應2000萬(wàn)顆。” 部分分析師認為，蘋(píng)果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠(chǎng)商業(yè)績(jì)，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。 分析師還指出，N
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 芯片
三維NAND內存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專(zhuān)家Geoff Burr曾說(shuō)過(guò)，如果數據中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠(chǎng)的話(huà)，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話(huà)，那么10年以后他們就會(huì )陷入那樣的噩夢(mèng)之中。 這并非危言聳聽(tīng)，過(guò)去的解決方案現在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數據中心添加更多的傳統硬盤(pán)就可以了，而且那樣做也很方便?，F在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
- 關(guān)鍵字： IBM NAND 固態(tài)存儲
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)
- 關(guān)鍵字： FSI NAND 存儲器
FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)對制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字： FSI 半導體 NAND
DRAMeXchange：2009年NAND flash產(chǎn)能預計將減小59%
- 據EE Times網(wǎng)站報道，市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange的分析顯示，全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后，2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長(cháng)幅度將較2008大64%，而2007年位增長(cháng)率高達133%。如果需求在下半年恢復且供應商控制其產(chǎn)出增長(cháng)，那供應過(guò)剩的局面可能得到改善，NAN
- 關(guān)鍵字： DRAMeXchange flash
三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%
- 市調機構DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠(chǎng)商公布去年第四季暨全年營(yíng)收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座 觀(guān)察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化，2007年品牌廠(chǎng)商全年營(yíng)收約為133億6千8百萬(wàn)美元，2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元，年營(yíng)收下跌14.6％，2008年平均銷(xiāo)售價(jià)格較2007年下跌63％。 Toshiba以全年營(yíng)收為32億5百萬(wàn)美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
Adobe與蘋(píng)果聯(lián)手開(kāi)發(fā)iPhone版Flash軟件
- 日前，Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)在出席達沃斯世界經(jīng)濟論壇時(shí)表示，將與蘋(píng)果合作研發(fā)iPhone手機的Flash軟件。 據國外媒體報道，納拉延認為與蘋(píng)果的合作是一項高難度的技術(shù)挑戰，這需要雙方的協(xié)作。納拉延對目前雙方所取得的工作進(jìn)展表示非常滿(mǎn)意。 去年3月份，蘋(píng)果創(chuàng )始人史蒂夫·喬布斯(Steve Jobs)曾表示，因為電腦版Flash軟件占用資源過(guò)大，iPhone的處理器和內存無(wú)法適應。而
- 關(guān)鍵字： Adobe iPhone Flash
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