FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造

　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR™全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA®清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)對制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了減少缺陷外，用戶(hù)們還受益于通過(guò)一步工藝縮短了總的工廠(chǎng)生產(chǎn)流轉周期。

　　“NAND 技術(shù)持續引領(lǐng)器件尺寸縮化的步伐”FSI總裁兼首席執行官Don Mitchell說(shuō)道。“ZETA ViPR 擴展到NAND制造，驗證了先進(jìn)工藝中的全濕法去除的關(guān)鍵增值點(diǎn)——其價(jià)值只會(huì )隨著(zhù)器件尺寸的不斷縮小而增加。我們?yōu)榭蛻?hù)提供的這一種真正的差異化工藝是卓有成效的，它能夠實(shí)現縮短生產(chǎn)周期、減少資本支出以及降低運作成本。

　　對ZETA ViPR技術(shù)不斷提高的認可度，源自其在大多數光刻膠去除工序中免去灰化工藝和自對準金屬硅化物工藝之后能有效去除殘留金屬的能力。對于光刻膠的去除, 除了最極端注入情況以外，ZETA ViPR工藝實(shí)現的獨有化學(xué)反應都可以單獨通過(guò)濕法化學(xué)反應完成光刻膠去除。ViPR技術(shù)的應用不僅省去了灰化所需時(shí)間和成本，還免除了由灰化爐造成的損傷和摻雜劑/底材損耗。對于自對準金屬硅化物工藝之后的金屬去除，ZETA ViPR工藝可有效去除未反應的金屬，同時(shí)不損壞自對準金屬硅化物。特別是通過(guò)與非常先進(jìn)的NiPt自對準金屬硅化物工藝成功結合，可采用更低退火溫度來(lái)減少接面漏電，從而提高了工藝的良品率。