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兆易創(chuàng )新：MCU只是個(gè)“過(guò)渡故事”
- A股市場(chǎng)向來(lái)熱衷炒作預期。投資者樂(lè )于為概念買(mǎi)單，愿意給一家公司提前多年的估值。國產(chǎn)半導體設計龍頭兆易創(chuàng )新(SH:603986)，就曾是一個(gè)被預期打滿(mǎn)的例子。2020年初，兆易創(chuàng )新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營(yíng)收。過(guò)度估值的結果就是，當抱團瓦解，兩年之內兆易創(chuàng )新股價(jià)經(jīng)歷三次大起大落。圖片：兆易創(chuàng )新剛到千億市值，到如今 來(lái)源：雪球當下，作為A股閃存設計龍頭的兆易創(chuàng )新，再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng )新的新故事，看清
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2021全球NOR Flash市場(chǎng)：兆易創(chuàng )新銷(xiāo)售額暴增100%，份額升至23.2%
- 6月21日消息，半導體市場(chǎng)研究機構IC Insights發(fā)布的最新研究報告指出，2021年NOR Flash市場(chǎng)銷(xiāo)售額雖然僅占整個(gè)Flash市場(chǎng)的銷(xiāo)售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長(cháng)了33%，同時(shí)平均售價(jià)也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷(xiāo)售額同比暴漲了63%，達到了29億元。根據IC Insights的預測， 2022年NOR Flash市場(chǎng)還將繼續增長(cháng) 21%，使得總銷(xiāo)售金額達到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠(chǎng)直接受益。數據顯示，華邦電子、旺宏
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國際巨頭把控全球存儲市場(chǎng)，國內企業(yè)如何破局
- 根據斷電之后數據是否依舊被保存對半導體存儲器進(jìn)行劃分，半導體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類(lèi)。我們熟知的RAM（隨機存取存儲器）屬于易失性存儲器，其中RAM又可分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）與SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）。而ROM（只讀存儲器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲器，即斷電之后存儲器中的數據仍然能被保存的存儲設備。據IC Insights預測，2022年、2023年全球存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1804億和2196億美元，市場(chǎng)成長(cháng)空間廣闊。但在全球的存儲芯片領(lǐng)域，市
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汽車(chē)缺芯帶來(lái)確定性上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅動(dòng)兆易創(chuàng )新活力
- 作為國內 MCU 產(chǎn)商的領(lǐng)先公司，兆易創(chuàng )新將直接受益于 MCU 國產(chǎn)化，強化其領(lǐng)先地位，擴寬其成長(cháng)潛力。全球汽車(chē)缺芯帶來(lái)公司估值的上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)全新的創(chuàng )新方向，國產(chǎn)化擴寬公司的成長(cháng)潛力。1. 確定性與創(chuàng )新性是公司估值擴張最有力的保障半導體行業(yè)庫存結構性緊張帶來(lái)確定性的估值上漲。半導體存貨緊張引起供應不足，帶來(lái)市場(chǎng)的高景氣。汽車(chē)電子市場(chǎng)需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續與消費電子等芯片市場(chǎng)產(chǎn)能擠壓共同影響，汽車(chē)芯片產(chǎn)能釋放不及時(shí)，存貨市場(chǎng)將帶來(lái)公司估值確定性擴張。圍繞最具活力的創(chuàng )新性方向擴張其估值。創(chuàng )新
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中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長(cháng)鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存
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長(cháng)江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級
- 近日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(cháng)江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機器學(xué)習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫(xiě)性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著(zhù)長(cháng)江存儲嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長(cháng)江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著(zhù)5G通信、大數據、AIoT的加速
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中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場(chǎng)預計，2021年全球存儲市場(chǎng)規模將達1620億美元，增長(cháng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場(chǎng)主要被韓國、歐美以及
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長(cháng)江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長(cháng)江存儲無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(cháng)江存儲有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長(cháng)江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年
- 近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)
- 頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D N
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美光針對數據中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD
- 內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專(zhuān)為數據中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數據中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構，支持廣范的應用場(chǎng)景，提供相比傳統機械硬盤(pán) (HDD) 顯著(zhù)提升的性能，并延長(cháng)了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數據中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公開(kāi)與Solidigm的“合作產(chǎn)品”
- “獨立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開(kāi)始”SK海力士和Solidigm首次公開(kāi)了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續優(yōu)化兩家公司的運營(yíng)，以創(chuàng )造協(xié)同效應和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開(kāi)了兩家公司共同開(kāi)發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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針對勒索軟件與網(wǎng)絡(luò )攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品
- IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò )攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò )攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò )復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品，瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò )攻擊根據IBM網(wǎng)絡(luò )彈性機構的研究，46%的受訪(fǎng)者表示在過(guò)去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著(zhù)網(wǎng)絡(luò )攻
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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