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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應過(guò)剩
- 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢(xún)表示，需求未見(jiàn)好轉，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉進(jìn)持續，下半年市場(chǎng)供過(guò)于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場(chǎng)共識，物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢，客戶(hù)拉貨態(tài)度保守，造成庫存問(wèn)題漫溢至上游供應端，賣(mài)方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢(xún)預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續至第四季。按照供應鏈的說(shuō)法，雖然仍
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兆易創(chuàng )新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現了進(jìn)一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著(zhù)嚴苛需求的應用提供了理想選擇。 如今，隨著(zhù)5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計出貨190億顆！兆易創(chuàng )新NOR閃存高居全球第三
- 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當屬長(cháng)江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng )新?！ ?月30日，兆易創(chuàng )新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過(guò)190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三?！ ≌滓讋?chuàng )新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著(zhù)延長(cháng)電池壽命?！ OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無(wú)線(xiàn)耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長(cháng)21%至35億美元
- Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷(xiāo)售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長(cháng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。預計Nor Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(cháng)21%至35億美元。 Nor Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng )新3家廠(chǎng)商主導，市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷(xiāo)售額達10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來(lái)，采用58納米制程生產(chǎn)大多數的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數已轉進(jìn)40納米制程。
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鎧俠為實(shí)現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過(guò)增加每個(gè)單元存儲的位數來(lái)提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個(gè)單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個(gè)單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數量將隨著(zhù)每個(gè)單元存儲Bits的增加呈指數增長(cháng)。例如，要存儲4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會(huì )增長(cháng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現的每個(gè)單元
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潛力無(wú)限的汽車(chē)存儲芯片
- 隨著(zhù)智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車(chē)芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車(chē)半導體含量約為燃油車(chē)2倍，智能車(chē)為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車(chē)芯片，2035年增長(cháng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車(chē)芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢?jiàn)芯片將成為汽車(chē)新利潤增長(cháng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅動(dòng)力?！ ∑?chē)芯片從應用環(huán)節可以分為5類(lèi)：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模約52億美元，國內汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模
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盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
- 5月30日兆易創(chuàng )新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過(guò)190億顆，年出貨量超過(guò)28億顆，目前兆易創(chuàng )新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng )新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng )新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過(guò)去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng )新的營(yíng)收與凈利潤均實(shí)現大幅增長(cháng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(cháng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長(cháng)39.25%和127.65%。目前芯片行
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2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長(cháng)21%至35億美元
- 據IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數據顯示， NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但NOR Flash產(chǎn)品的銷(xiāo)售額飆升63%至29億美元， NOR Flash 出貨量增長(cháng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。機構樂(lè )觀(guān)預計NOR Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(cháng)21%至35億美元。NOR Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng )新3家廠(chǎng)商主導，市占率共達 91%。該機構指出，去年華邦電NOR Flash銷(xiāo)售額達10億美元，市占率以35%居
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兆易創(chuàng )新：MCU只是個(gè)“過(guò)渡故事”
- A股市場(chǎng)向來(lái)熱衷炒作預期。投資者樂(lè )于為概念買(mǎi)單，愿意給一家公司提前多年的估值。國產(chǎn)半導體設計龍頭兆易創(chuàng )新(SH:603986)，就曾是一個(gè)被預期打滿(mǎn)的例子。2020年初，兆易創(chuàng )新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營(yíng)收。過(guò)度估值的結果就是，當抱團瓦解，兩年之內兆易創(chuàng )新股價(jià)經(jīng)歷三次大起大落。圖片：兆易創(chuàng )新剛到千億市值，到如今 來(lái)源：雪球當下，作為A股閃存設計龍頭的兆易創(chuàng )新，再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng )新的新故事，看清
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2021全球NOR Flash市場(chǎng)：兆易創(chuàng )新銷(xiāo)售額暴增100%，份額升至23.2%
- 6月21日消息，半導體市場(chǎng)研究機構IC Insights發(fā)布的最新研究報告指出，2021年NOR Flash市場(chǎng)銷(xiāo)售額雖然僅占整個(gè)Flash市場(chǎng)的銷(xiāo)售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長(cháng)了33%，同時(shí)平均售價(jià)也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷(xiāo)售額同比暴漲了63%，達到了29億元。根據IC Insights的預測， 2022年NOR Flash市場(chǎng)還將繼續增長(cháng) 21%，使得總銷(xiāo)售金額達到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠(chǎng)直接受益。數據顯示，華邦電子、旺宏
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國際巨頭把控全球存儲市場(chǎng)，國內企業(yè)如何破局
- 根據斷電之后數據是否依舊被保存對半導體存儲器進(jìn)行劃分，半導體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類(lèi)。我們熟知的RAM（隨機存取存儲器）屬于易失性存儲器，其中RAM又可分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）與SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）。而ROM（只讀存儲器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲器，即斷電之后存儲器中的數據仍然能被保存的存儲設備。據IC Insights預測，2022年、2023年全球存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1804億和2196億美元，市場(chǎng)成長(cháng)空間廣闊。但在全球的存儲芯片領(lǐng)域，市
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汽車(chē)缺芯帶來(lái)確定性上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅動(dòng)兆易創(chuàng )新活力
- 作為國內 MCU 產(chǎn)商的領(lǐng)先公司，兆易創(chuàng )新將直接受益于 MCU 國產(chǎn)化，強化其領(lǐng)先地位，擴寬其成長(cháng)潛力。全球汽車(chē)缺芯帶來(lái)公司估值的上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)全新的創(chuàng )新方向，國產(chǎn)化擴寬公司的成長(cháng)潛力。1. 確定性與創(chuàng )新性是公司估值擴張最有力的保障半導體行業(yè)庫存結構性緊張帶來(lái)確定性的估值上漲。半導體存貨緊張引起供應不足，帶來(lái)市場(chǎng)的高景氣。汽車(chē)電子市場(chǎng)需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續與消費電子等芯片市場(chǎng)產(chǎn)能擠壓共同影響，汽車(chē)芯片產(chǎn)能釋放不及時(shí)，存貨市場(chǎng)將帶來(lái)公司估值確定性擴張。圍繞最具活力的創(chuàng )新性方向擴張其估值。創(chuàng )新
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中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長(cháng)鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存
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長(cháng)江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級
- 近日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(cháng)江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機器學(xué)習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫(xiě)性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著(zhù)長(cháng)江存儲嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長(cháng)江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著(zhù)5G通信、大數據、AIoT的加速
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中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場(chǎng)預計，2021年全球存儲市場(chǎng)規模將達1620億美元，增長(cháng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場(chǎng)主要被韓國、歐美以及
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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