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東芝、宜鼎搶進(jìn)NAND Flash儲存陣列商機

  •   宜鼎和東芝成立臺灣首家進(jìn)軍快閃存儲器陣列的供應商,分食云端儲存商機。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺美日聯(lián)手炒熱云端儲存商機,三大廠(chǎng)力拱的快閃存儲器儲存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲存新疆界:AccelStor NeoSapphire快閃存儲器儲存陣列與企業(yè)應用解決方案”研討會(huì ),邀請中華電信董事長(cháng)蔡力行親自出馬,為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
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蘋(píng)果要用?三星西安半導體工廠(chǎng)傳擴產(chǎn) 50%

  •   南韓媒體中央日報日文版 19 日報導,因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現急速增長(cháng),故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導體工廠(chǎng)產(chǎn)量較現行擴增 50%。報導指出,據熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露,目前三星西安工廠(chǎng)晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬(wàn)片,而三星計劃于今年內將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬(wàn)片)至 6-7 萬(wàn)片。   據 報導,三星于去年 5 月開(kāi)始量產(chǎn) 3D NAND,為目前唯一導入量產(chǎn)的廠(chǎng)商,且三星計劃
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臺美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司

  •   宜鼎國際布局云端SSD市場(chǎng),找來(lái)美超微和東芝一起搶商機。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場(chǎng)需求即將大爆發(fā),美商都已卡好位,臺灣也拿到第一張參與競賽的門(mén)票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro),以及臺系存儲器模組廠(chǎng)宜鼎國際三方合資的新公司正式成立,臺方掌握主導權,由于首波客戶(hù)瞄準金融和電信業(yè)者,因此邀請101董事長(cháng)宋文琪夫婿徐善可擔任董事長(cháng)。   一般講到云端儲存商機,第一個(gè)聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD),這是NAND Flash大廠(chǎng)如三星電子(Samsung Elec
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分析師:IC與PC第二季全球市場(chǎng)需求皆衰弱

  •   根據德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報告, 2015年第二季全球市場(chǎng)對半導體元件的需求持續疲弱,主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示,部分零組件的采購量與 2014年同季相較,減少了15~20%;不過(guò)在近五年拜訪(fǎng)了近30家臺灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出:“iPhone供應鏈與汽車(chē)市場(chǎng)仍然是表現亮眼。”   德意志銀行的報告也顯示,平板電腦、電視以及許多Android手機的晶片需求亦呈現衰弱,該銀行對整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評等為中性。“在中國智慧型手
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Flash廠(chǎng)力推 3D NAND明年全面滲透消費性SSD

  •   在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠(chǎng)力拱下,消費性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶(hù)端(Client)SSD產(chǎn)品預計將自今年下半年開(kāi)始加速采用更高性?xún)r(jià)比的3D NAND方案,并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應用由于對SSD可靠度要求等級較高,預估將自2016下半年后才會(huì )轉換至3D NAND規格。   
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慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存

  •   在設計和推廣固態(tài)存儲設備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶(hù)端SSD控制器現支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存,有助實(shí)現優(yōu)異的性能和無(wú)可比擬的可靠性,成就新一代高性?xún)r(jià)比的TLC SSD產(chǎn)品。   SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器,同時(shí)也是市場(chǎng)上性能最佳、成本最優(yōu)
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Flash廠(chǎng)力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問(wèn)世

  •   固態(tài)硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構,讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著(zhù)下滑,吸引固態(tài)硬碟開(kāi)發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng),正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)
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Flash廠(chǎng)力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問(wèn)世

  •   固態(tài)硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構,讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著(zhù)下滑,吸引固態(tài)硬碟開(kāi)發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng),正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)
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基于A(yíng)RM7軟中斷程序的設計

  •   筆者在設計一項目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內核,帶512K字節的片內FLASH,98k字節的片內RAM,支持片外LOCAL BUS總線(xiàn),可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時(shí),需對片外的NOR FLASH擦寫(xiě)的需求。圖1為存儲部分框圖。        圖1存儲部分原理框圖   在設計中,片外NOR FLASH的大小為16M字節。其中2M規劃為存放運行程序,剩余的空間用于產(chǎn)品運
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SSD需求起飛 引爆28納米制程第二波攻勢

  • 近期固態(tài)硬盤(pán)大降價(jià),刺激了SSD晶元代工市場(chǎng)。
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分析師:NAND第三季可望擺脫供過(guò)于求

  •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示,受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋(píng)果(Apple)新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預估在第三季擺脫供過(guò)于求,轉為供需較為平衡的格局。   從供給面來(lái)觀(guān)察,雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程,但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題,DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
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研調:NAND Flash需求漸加溫,估Q3擺脫供過(guò)于求

  •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示,受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預估在第三季將擺脫供過(guò)于求,轉為供需較為平衡的格局。   從供給面觀(guān)察,雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程,但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題,DRAMeXchange預估,2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距

  •   在存儲器芯片市場(chǎng)上,垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。   據韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng),為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構,增加到48層。   外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi),V-N
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基于TFFS的成像聲吶文件系統設計

  •   1 VxWorks系統的啟動(dòng)流程   嵌入式VxWorks操作系統的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段,一是BootRom引導,二是VxWorks操作系統映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像,它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統來(lái)下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS,是真正在目標板上運行的操作系統。它啟動(dòng)后會(huì )重新初始化幾乎所有的硬件系統,這樣操作系統才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區別如表 1所示。   VxWorks內核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機采
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)

  •   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng),正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)價(jià)格媲美傳統硬碟的產(chǎn)品,驅動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性?xún)Υ媸袌?chǎng)出貨量翻揚。   慧榮科技產(chǎn)品企畫(huà)處副總經(jīng)理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長(cháng)一倍以上,主要因素在于SSD開(kāi)發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
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nand flash介紹

 Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫(xiě)速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行,如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]

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