Flash廠(chǎng)力推 3D NAND明年全面滲透消費性SSD
在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠(chǎng)力拱下,消費性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶(hù)端(Client)SSD產(chǎn)品預計將自今年下半年開(kāi)始加速采用更高性?xún)r(jià)比的3D NAND方案,并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應用由于對SSD可靠度要求等級較高,預估將自2016下半年后才會(huì )轉換至3D NAND規格。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/275260.htm

評論