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nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭 人才招募選精英
- 中國半導體研究機構芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話(huà)，“這兩天半導體產(chǎn)業(yè)會(huì )有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國紫光集團，負責半導體儲存業(yè)務(wù)。消息一出，果然在臺灣帶來(lái)震撼。外界也好奇，近來(lái)動(dòng)作頻頻的紫光集團，究竟有什么背景與能耐，在半導體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? ■紫光發(fā)展簡(jiǎn)歷 依紫光集團官網(wǎng)簡(jiǎn)介，紫光的前身是中國清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開(kāi)發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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東芝財報風(fēng)波長(cháng)期恐將損及NAND事業(yè)
- 東芝(Toshiba)財報不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門(mén)，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪(fǎng)問(wèn)日本半導體界人士，卻表示長(cháng)期終將損害快閃存儲器產(chǎn)品競爭力。 目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產(chǎn)品，由于移動(dòng)裝置需求持續成長(cháng)，銷(xiāo)售量不斷增大，為日本少數仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產(chǎn)品;但這項產(chǎn)品需要大量資金持續投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財務(wù)狀況影響比其他半導體產(chǎn)品更大。 現在東芝碰上財務(wù)問(wèn)題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說(shuō)新社長(cháng)室町正志出身半導體事業(yè)，對這個(gè)
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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(cháng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著(zhù)先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導線(xiàn)技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡
- 內存大廠(chǎng)美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì )議(Analyst Conference)，會(huì )中宣布 2016 會(huì )計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢(qián)拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對內存前景不具信心，當日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。 美光財務(wù)長(cháng) Ernie Maddock 在會(huì )中公布 2016 會(huì )計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀(guān)即將在本月底結束的 2015 年會(huì )計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
不同產(chǎn)品策略影響NAND供應商營(yíng)收表現
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀(guān)察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤等的各項營(yíng)運指標也有不一樣的的呈現。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
不同產(chǎn)品策略影響NAND供應商營(yíng)收表現
- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀(guān)察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤等的各項營(yíng)運指標也有不一樣的的呈現。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾
全球新式存儲器大戰 臺控制芯片廠(chǎng)不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應商，2016年搶先導入SSD。不過(guò)，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營(yíng)對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱(chēng)為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠(chǎng)SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預計9月開(kāi)始對客戶(hù)出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據日經(jīng)新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì )投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營(yíng)業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
全SSD儲存時(shí)代正式來(lái)臨，充分發(fā)揮NAND架構優(yōu)勢
- 幾年前，SSD以其穩定、快速，不怕震動(dòng)的特性，前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲存市場(chǎng)，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過(guò)，當時(shí)SSD與HDD每GB的價(jià)格，換算下來(lái)仍有一段不小的價(jià)差。而現在，隨著(zhù)成本更低廉的TLC架構問(wèn)世，SSD在價(jià)格方面已經(jīng)逼近傳統HDD。挾著(zhù)NAND Flash穩定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場(chǎng)快速普及，下一步更將前進(jìn)資料中心、數位看板、POS機等商用市場(chǎng)。 SanDisk：SSD全面進(jìn)占資料中心 當云端應用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢，相關(guān)的基礎設備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
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走進(jìn)三星半導體芯片生產(chǎn)線(xiàn)：打造綠色經(jīng)營(yíng)系統
- 陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區內部假山流水，綠樹(shù)成蔭，人工湖內魚(yú)兒游來(lái)游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 對三星半導體來(lái)說(shuō)，引導社會(huì )未來(lái)發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品，同時(shí)也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營(yíng)系統(G-EHS)。 形成半導體全產(chǎn)業(yè)鏈 三星半導體工廠(chǎng)所在的地方，原本是空曠的野外，現正在變成發(fā)達的電子產(chǎn)業(yè)基地。 西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線(xiàn)投資規模最大的一個(gè)
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏(yíng)家。 據韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據市調業(yè)者IHS iSuppli統計資料，如果以數量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
平面架構1x納米NAND揭密！
- 過(guò)去的一年半以來(lái)，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據我們調查開(kāi)放市場(chǎng)上所銷(xiāo)售元件的供應來(lái)源，美光(Micron)是從2014年2月開(kāi)始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠(chǎng)商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后，TechInsights實(shí)驗室才出現三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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