2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

　　在存儲器芯片市場(chǎng)上，垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。

　　據韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng)，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構，增加到48層。

　　外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi)，V-NAND占比將從第2季2.9%，在年底提升到7.4%，2016年第4季時(shí)預估將增加到29.6%，在1年半的時(shí)間內擴大約10倍。

　　V-NAND市場(chǎng)迅速成長(cháng)，2017年將擠下目前占市場(chǎng)比重97%平面TLC或MLC NAND Flash，以41.2%成為主要產(chǎn)品。2019年V-NAND將以77.2%市占率掌握市場(chǎng)。因技術(shù)難度高，目前V-NAND雖然只應用在伺服器用產(chǎn)品等高階市場(chǎng)，但未來(lái)將會(huì )迅速往移動(dòng)裝置用市場(chǎng)擴散。

　　3D V-NAND比起平面NAND，處理速度快2倍、耐久性快10倍、生產(chǎn)效益高2倍、耗電量也減少一半。TLC更容易實(shí)現高容量化，且重量和體積都大幅縮減。目前三星和日系大廠(chǎng)東芝(Toshiba)都有生產(chǎn)TLC NAND，而V-NAND市場(chǎng)則由三星獨占。

　　V-NAND市場(chǎng)規模擴大，半導體大廠(chǎng)也加速展開(kāi)移動(dòng)。繼三星之后，NAND Flash市場(chǎng)二哥東芝計劃在2015年下半投入48層堆疊V NAND生產(chǎn)。美光(Micron)和英特爾(Intel)決定攜手共同研發(fā)3D NAND，三星日前則公開(kāi)較128Gb TLC容量提高3倍的384Gb TLC技術(shù)。

　　SK海力士(SK Hynix)計劃2015年第3季開(kāi)始生產(chǎn)36層堆疊MLC V-NAND。2014年底SK海力士完成研發(fā)24層結構V-NAND技術(shù)，在2015年底將推出48層TLC V-NAND，正式加入V-NAND競局。

　　三星2013年8月成功生產(chǎn)24層結構MLC V-NAND，領(lǐng)先全球開(kāi)啟3D NAND市場(chǎng)后，2014年10月開(kāi)始量產(chǎn)32層128Gb TLC V-NAND。三星為生產(chǎn)48層產(chǎn)品，已完成相當的準備作業(yè)。在最終檢驗完成后，將較其他競爭企業(yè)提早6~7個(gè)月，投入48層TLC V-NAND量產(chǎn)。

　　東芝等半導體大廠(chǎng)正展開(kāi)追即，然三星暫時(shí)可維持技術(shù)差距。韓國半導體業(yè)者表示，技術(shù)研發(fā)、樣品生產(chǎn)等與實(shí)際投入量產(chǎn)時(shí)差很大。在量產(chǎn)前一刻若發(fā)現問(wèn)題，將使計劃推遲一段時(shí)間，因此要到其他半導體大廠(chǎng)投入生產(chǎn)，才能看出其追擊能力。

　　另一方面，正逐漸取代傳統硬碟(HDD)的固態(tài)硬碟(SSD)，也將擴大搭載3D V-NAND。報導稱(chēng)，2015年V-NAND SSD占市場(chǎng)比重約2~3%，之后將持續擴大，2017年17~19%、2018年31~35%、2019年45~55%等。

　　三星2014年在SSD市場(chǎng)的占有率以34%位居第一，與市占率17%、排名第二名的英特爾差距達2倍。韓國半導體業(yè)者表示，在V-NAND技術(shù)方面三星較為領(lǐng)先，在SSD市場(chǎng)上可能也將持續占有優(yōu)勢。