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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)
- 經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實(shí)現提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠(chǎng)區內看到，1000多名英特爾員工和來(lái)自全世界的數千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著(zhù)，他們的共同目標只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。 去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠(chǎng)。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開(kāi)放以來(lái)最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng )見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售熱絡(luò )，加上智能手機搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續上漲，創(chuàng )見(jiàn)、威剛等模組廠(chǎng)營(yíng)運受惠，市場(chǎng)預期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續漲力道。 市場(chǎng)指出，上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠(chǎng)因變電廠(chǎng)爆炸導致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內漲幅超過(guò)2成。 市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)運增溫，創(chuàng )見(jiàn)表示，在漲價(jià)預期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
三星西安廠(chǎng)事故導致NAND價(jià)格爆沖22%
- 因中國大陸、中國臺灣智能手機廠(chǎng)商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠(chǎng)6月因附近變電廠(chǎng)爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內飆漲22%。 報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類(lèi)型64Gb NAND價(jià)格揚升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來(lái)首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過(guò)3美元，且進(jìn)入7月以來(lái)價(jià)格仍持續走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng) 在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能，應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash
- 據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠(chǎng)啟用儀式，未來(lái)將在此工廠(chǎng)生產(chǎn)64層NAND Flash。 64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì )比48層版的便宜。若應用于智能型手機
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng) 在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能，應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統籌存儲器事業(yè)的副社長(cháng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì )上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準。 東芝為全球第2大NAND Flash廠(chǎng)商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅報(
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D NAND
Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力
- Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀(guān)察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(chǎng)(Integrated Device Ma
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 美光
2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢
- DIGITIMES Research觀(guān)察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進(jìn)，短期內仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 三星已自2013年下半起陸續量產(chǎn)24層、32層
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？
- 三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 半導體
NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚，而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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