東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

　　據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠(chǎng)啟用儀式，未來(lái)將在此工廠(chǎng)生產(chǎn)64層NAND Flash。

　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì )比48層版的便宜。若應用于智能型手機，這種芯片不僅能擴充數據儲存容量，還能提高處理速度。東芝更鎖定持續大增的數據中心數據儲存需求。

　　東芝和西部數據(WD)計劃未來(lái)3年將在四日市工廠(chǎng)投資1.4兆日圓(132億美元)。東芝已于2016年春開(kāi)始生產(chǎn)48層NAND Flash，并規劃2017財年3D NAND Flash將占Nand Flash芯片總產(chǎn)量的50%，到2018財年將占逾80%。

　　而三星可能會(huì )在2017年下旬于韓國京畿道平澤市啟用半導體工廠(chǎng)，開(kāi)始生產(chǎn)64層3D NAND Flash芯片。

　　堆疊更多層會(huì )增加各層未對準的風(fēng)險，而且常會(huì )降低產(chǎn)量。東芝已改進(jìn)定位技術(shù)，因此能堆疊64層。隨著(zhù)研發(fā)取得進(jìn)展，東芝決定投入重資，購買(mǎi)造價(jià)高昂的3D NAND Flash制造設備，搶先三星將此技術(shù)推向市場(chǎng)。

　　東芝總裁綱川智表示，東芝為贏(yíng)得市場(chǎng)競爭須勇于投資必要資金。他還表示，東芝將借此世界一流的生產(chǎn)線(xiàn)展現在快閃存儲器的領(lǐng)導地位。

　　東芝經(jīng)會(huì )計丑聞業(yè)務(wù)精簡(jiǎn)后，半導體為目前三大業(yè)務(wù)之一。綱川智表示半導體是東芝的成長(cháng)動(dòng)力。該公司2018年財年營(yíng)業(yè)利益目標為2,700日圓，其中將有1,300億日圓來(lái)自半導體業(yè)務(wù)。