三星西安廠(chǎng)事故導致NAND價(jià)格爆沖22%

　　因中國大陸、中國臺灣智能手機廠(chǎng)商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠(chǎng)6月因附近變電廠(chǎng)爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內飆漲22%。

　　報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類(lèi)型64Gb NAND價(jià)格揚升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來(lái)首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過(guò)3美元，且進(jìn)入7月以來(lái)價(jià)格仍持續走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NAND整體出貨量預估將年增3成至超過(guò)100億個(gè)。

　　據報道，6月中旬三星位于西安的半導體工廠(chǎng)因附近變電廠(chǎng)爆炸導致電壓不足而一度停工，而該座工廠(chǎng)目前雖已重啟生產(chǎn)，不過(guò)據悉上述變電廠(chǎng)爆炸事件目前仍對供應量帶來(lái)影響。三星西安工廠(chǎng)主要生產(chǎn)3D NAND Flash。

　　韓國媒體朝鮮日報日文版6月20日報道，三星關(guān)系人士表示，“就像鄰居水管破裂會(huì )造成水壓不足一樣，三星西安工廠(chǎng)部分半導體設備因感測到電壓下滑、而自動(dòng)停工，西安工廠(chǎng)半導體產(chǎn)能約10%因此受到影響”。

　　BusinessKorea、韓國時(shí)報報道，消息人士透露，小米創(chuàng )辦人雷軍或將飛往韓國，會(huì )晤三星記憶體部門(mén)主管Jeon Young-hyun，預料會(huì )向三星加碼采購記憶體。

　　近來(lái)記憶體容量增大成了業(yè)界趨勢。三星Galaxy S7和LG G5都有4GB LPDDR4 DRAM和超過(guò)20GB NAND flash，小米尚未趕上，因此急尋供應商，推測小米應會(huì )向三星采購NAND flash。