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nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
中國NAND閃存市場(chǎng)占全球1/3
- 相對于舊式 HDD 硬盤(pán)的式微，NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤(pán)的發(fā)展就成了儲存市場(chǎng)的潮流風(fēng)向。不論是在移動(dòng)設備、個(gè)人電腦、或是數據中心等市場(chǎng)上都在快速成長(cháng)。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場(chǎng)，而 SSD 固態(tài)硬盤(pán)也是成長(cháng)最快的市場(chǎng)。因此，也吸引了各家中國本土廠(chǎng)商的競相投入。 在NAND 閃存的市場(chǎng)部分，根據 TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示，中國市場(chǎng)消耗的 NAND 閃存越來(lái)越多，2017 年將占到全球市占率的 30% ，而到了 202
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儲存技術(shù)不斷演進(jìn) NAND Flash僅是開(kāi)端
- 在進(jìn)展緩慢的儲存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據TechTarget報導，NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲存裝置，后來(lái)供應商發(fā)現只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎的儲存裝置也開(kāi)始大受歡迎。 由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開(kāi)發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開(kāi)發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重
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Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線(xiàn)項目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠(chǎng)的下一階段投資計劃;該廠(chǎng)由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營(yíng)。TPI將對此工廠(chǎng)再投資8000萬(wàn)美元以展現其對中國快速成長(cháng)的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(cháng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴建上海二廠(chǎng)(TPCS Shanghai II);該廠(chǎng)現已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠(chǎng)。
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美光科技推出適用于下一代智能手機的移動(dòng) 3D NAND 解決方案
- 美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動(dòng)設備的 3D NAND 存儲技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場(chǎng)，這一細分市場(chǎng)大約占據全球智能手機總量的 50%[1]。隨著(zhù)移動(dòng)設備替代個(gè)人電腦成為消費者的主要計算設備，用戶(hù)行為對設備的移動(dòng)內存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問(wèn)題，實(shí)現了無(wú)與倫比的用戶(hù)體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
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面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資
- 據韓國經(jīng)濟報導，大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。 市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長(cháng)率(CARG)47%的速度成長(cháng);清華紫光以新成立的長(cháng)江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權收購，成立長(cháng)江存儲科技有限責任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì )上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠(chǎng)陸續將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝超車(chē)失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠(chǎng)陸續將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣
- 據海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠(chǎng)商，不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖)，且開(kāi)始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，且預計將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生
- 關(guān)鍵字： 東芝 Flash
陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導體制造化學(xué)機械研磨液(CMP)平臺
- 陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開(kāi)發(fā)是為了滿(mǎn)足客戶(hù)對先進(jìn)半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規格，適合用來(lái)製造新一代先進(jìn)半導體裝置。 全球 CMP 消耗品市場(chǎng)持續成長(cháng)，部分的成長(cháng)驅動(dòng)力來(lái)自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無(wú)數先進(jìn)電子裝置的性能需求。 「生產(chǎn)先進(jìn)半導體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)
- 經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實(shí)現提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠(chǎng)區內看到，1000多名英特爾員工和來(lái)自全世界的數千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著(zhù)，他們的共同目標只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。 去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠(chǎng)。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開(kāi)放以來(lái)最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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