東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠(chǎng)

　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠(chǎng)商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠(chǎng)商的營(yíng)收，同時(shí)還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠(chǎng)商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(chǎng)(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。

　　事實(shí)上，目前東芝的第 6 座工廠(chǎng)(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工。 不過(guò)，面對市場(chǎng)的強烈需求，東芝擴產(chǎn)的步伐似乎還不打算停下來(lái)。 因此，東芝在 21 日宣布，將投資 70 億日圓用于 Fab7 廠(chǎng)的興建，選址就位于日本四日市。 日前，東芝才就出售半導體業(yè)務(wù)一事已經(jīng)和威騰電子握手言和，達成協(xié)議。 未來(lái)東芝需要威騰電子的數據提供，以使得 2018 年的新先進(jìn)芯片生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行投產(chǎn)，以此競爭對手和三星、Intel、及 SK 海力士競爭。

　　報導進(jìn)一步指出，目前數據中心和企業(yè)服務(wù)器強勁 NAND Flash 閃存需求，已經(jīng)促使東芝擴大在四日市的設備規模。 而且，其他 NAND Flash 閃存供貨商，包括了三星與 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或開(kāi)始新廠(chǎng)建造計劃。

　　目前，東芝主要以生產(chǎn) 64 層堆棧的 V-NAND 閃存為主，未來(lái)計劃在下一步升級到 94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)。 而除了 TLC 規格之外，也將還會(huì )有特別的 QLC 規格產(chǎn)品，目的就是為了加強產(chǎn)品的滲透力以提升市場(chǎng)競爭力。

　　而對于將興建 Fab7 廠(chǎng)，東芝預計在 2018 年 2 月完成新廠(chǎng)的土地的收購作業(yè)，同時(shí)會(huì )下單建筑材料和基礎設備。 據了解，東芝還將根據市場(chǎng)趨勢，成立東芝儲存巖手縣公司，以管理工廠(chǎng)的建設和運營(yíng)。 整體廠(chǎng)房興建計劃將在 2018 年底前完成，2019 年之后逐步安裝設備，并且在年底前開(kāi)始生產(chǎn)。