EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mos-fet
mos-fet 文章 進(jìn)入mos-fet技術(shù)社區
開(kāi)關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少MOS管損耗
- 一、什么是開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個(gè)位準的電壓，透過(guò)不同形式的架構轉換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個(gè)人電腦，而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 MOS MOSFET
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著(zhù)改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實(shí)現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿(mǎn)足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會(huì )通過(guò)升壓轉換器部分實(shí)施PFC，升壓轉換器會(huì )將整流后
- 關(guān)鍵字： SiC FET PFC
TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來(lái)越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動(dòng)器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機會(huì )？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： GaN FET SiC
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車(chē)和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會(huì )選擇內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩壓器，與傳統控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于A(yíng)M頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩壓器的最小導通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
寬禁帶生態(tài)系統：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無(wú)二的生態(tài)系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實(shí)現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M(jìn)行系統級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
電源管理設計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇
- 離線(xiàn)電源是最常見(jiàn)的電源之一，也稱(chēng)為交流電源。隨著(zhù)旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線(xiàn)轉換器的需求也越來(lái)越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時(shí)，反激通常是任何低功耗離線(xiàn)轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個(gè)智能燈開(kāi)關(guān)，用戶(hù)可以通過(guò)智能手機的應用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶(hù)在操作過(guò)程中不會(huì )接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線(xiàn)電源來(lái)說(shuō)，反激拓撲是一個(gè)合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
- 關(guān)鍵字： BOM FET VDD
超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA
- 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿(mǎn)足客戶(hù)更廣的應用范圍及更低的價(jià)格需求，金升陽(yáng)推出超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS且性?xún)r(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內置高壓功率MOS，最大輸出功率達20W，待機功耗＜75mW，具有極低的啟動(dòng)電流和工作電流，可在實(shí)現低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動(dòng)。芯片滿(mǎn)載工作時(shí)，PWM開(kāi)關(guān)頻率固定；降低負載后，進(jìn)入綠色模式，開(kāi)關(guān)頻率降低；在空載和輕載時(shí)，
- 關(guān)鍵字： EMI PWM MOS
Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
對更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng )新解決方案
- 電動(dòng)工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開(kāi)關(guān)的使用與否實(shí)現一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應管（FET），因此從有刷電流轉向無(wú)刷電流意味著(zhù)全球電動(dòng)工具FET總區域市場(chǎng)增長(cháng)了3到6倍（見(jiàn)圖1）。圖1：從有刷拓撲轉換到無(wú)刷拓撲意味著(zhù)FET數量出現了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數量6倍倍增
- 關(guān)鍵字： FET BLDC
看看國外廠(chǎng)商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會(huì )議。此會(huì )議作為一個(gè)論壇，在其中報告半導體、電子元件技術(shù)、設計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì )會(huì )議就是IEEE國際電子元件會(huì )議(International Electron Devices Meeting，縮寫(xiě)：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì )聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學(xué)現象、光電工程、
- 關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET
mos-fet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條mos-fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對mos-fet的理解，并與今后在此搜索mos-fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對mos-fet的理解，并與今后在此搜索mos-fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
mos-fet相關(guān)帖子
mos-fet資料下載
mos-fet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473