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研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現石墨烯能隙

  •   韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實(shí)現基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設計。   由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應,大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗發(fā)現后,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
  • 關(guān)鍵字: 石墨烯  FET  

汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統電源方案

  • 為了限制油耗,一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當汽車(chē)停下來(lái)時(shí),這些創(chuàng )新的新系統關(guān)閉發(fā)動(dòng)機;而當駕駛人的腳從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機。這就幫助降低市區駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩壓器  P-FET  

如何針對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: 反向轉換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級

  • 經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級本電路是參照《無(wú)線(xiàn)電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類(lèi)分立件前級放大 ...
  • 關(guān)鍵字: FET  甲類(lèi)前級  

車(chē)載筆記本電源的設計制作

  • 此電源有兩種,輸入電壓不同分為12V和24V兩種,輸出電壓均為19V。一、12V轉19V電路電路如上圖,此電路屬升壓型...
  • 關(guān)鍵字: 車(chē)載筆記本  MOS  IC器件  

eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉換器

  • 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統,為網(wǎng)絡(luò )設備供電,這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
  • 關(guān)鍵字: eGaN  FET  硅功率器  轉換器  

正確的同步降壓FET時(shí)序設計

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間,存在兩個(gè)過(guò)渡階...
  • 關(guān)鍵字: 同步降壓  FET  時(shí)序設計  

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

  • 引言:為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約,半導體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結構,稱(chēng)為...
  • 關(guān)鍵字: SJ-MOS  VDMOS  

電源設計小貼士46:正確地同步降壓FET時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間,存在兩個(gè)過(guò)渡階段:低...
  • 關(guān)鍵字: FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器  

電源設計:正確地同步降壓 FET 時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間,存在兩個(gè)過(guò)渡階段:低...
  • 關(guān)鍵字: 電源設計  同步降壓  FET  時(shí)序  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018,世界首創(chuàng )180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數量,也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關(guān)鍵字: X-FAB  XT018  MOS  

德州儀器推出最靈活PFET高側負載開(kāi)關(guān)

  • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開(kāi)關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開(kāi)關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: TI  TPS27081A  FET  

將光電FET光耦用作一個(gè)線(xiàn)性壓控電位器

  • 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數。但這些器件的非線(xiàn)性傳輸特性可能成為問(wèn)題(圖1)。為了校正這種非線(xiàn)性,可以采用一
  • 關(guān)鍵字: FET  光電  電位器  光耦    

基于優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

  •  在計算和消費電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著(zhù)的提高,重點(diǎn)是AC/DC轉換上。不過(guò),隨著(zhù)80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現,設計人員開(kāi)始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進(jìn)?! C/DC平均系統
  • 關(guān)鍵字: 改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  基于  

設計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開(kāi)關(guān)

  • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路,用于主電源和備用電源之間必須自動(dòng)切換的場(chǎng)合,包括電池供電存儲器電...
  • 關(guān)鍵字: 主電源  備用電源  FET-OR  
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