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mos-fet 文章 進(jìn)入mos-fet技術(shù)社區
FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點(diǎn)，對于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應管將生物響應轉換為分析物，并將其轉換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據設備上的終端數量，可以使用多個(gè)源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
- 關(guān)鍵字： 泰克科技 FET 生物傳感器
高壓MOS/低壓MOS在單相離線(xiàn)式不間斷電源上的應用
- 單相離線(xiàn)式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩或停電時(shí)，市電的回路會(huì )自動(dòng)切斷，電池的直流電會(huì )被轉換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會(huì )介入供電，不過(guò)從直流電轉換的交流電是方波，只限于供電給電容型負載，如電腦和監視器等。一、前言 單相離線(xiàn)式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩或停電時(shí)，市電的回路會(huì )自動(dòng)切斷，電池的直流電會(huì )被轉換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復正
- 關(guān)鍵字： MOS
EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現更小的電機驅動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機器人和無(wú)人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著(zhù)提高了電機驅動(dòng)系統的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 電機驅動(dòng)器
更小、更快、更節能，半導體芯片迎大突破
- 最先進(jìn)的電子硬件在大數據革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著(zhù)數據集的存儲、搜索和分析越來(lái)越復雜，這些設備就必須變得更小、更快、更節能，以跟上數據創(chuàng )新的步伐。鐵電場(chǎng)效應晶體管（FE-FETs）是應對這一挑戰的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場(chǎng)效應和電荷積累，實(shí)現了長(cháng)期穩定的記憶效應。與傳統存儲器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此，一個(gè)成功的FE-FET設計可以大大降低傳統器件的尺寸和能量使
- 關(guān)鍵字： 半導體芯片 FE-FET
耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_(kāi)”開(kāi)關(guān)運行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開(kāi) "開(kāi)關(guān)的功率MOSFET，稱(chēng)為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
如何在電源上選擇MOS管
- 在開(kāi)關(guān)電源應用MOS管的時(shí)候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來(lái)對mos管來(lái)驗證。在開(kāi)關(guān)電源應用MOS管的時(shí)候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來(lái)對mos管來(lái)驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
- 關(guān)鍵字： MOS
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動(dòng)器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動(dòng)器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。 不同于同類(lèi)競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動(dòng)器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
- 關(guān)鍵字： Transphorm SuperGaN FET 驅動(dòng)器
使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類(lèi)封裝的連接往往會(huì )導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區別？
- 學(xué)習模擬電子技術(shù)基礎，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習構建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區別呢？在構建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習模擬電子技術(shù)基礎，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習構建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區別呢？在構建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱(chēng)應為半導體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 MOS
功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。在介質(zhì)負載的開(kāi)關(guān)運行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區而導致破壞的模式會(huì )引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區域引
- 關(guān)鍵字： MOS
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動(dòng)器參考設計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實(shí)現更長(cháng)的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農業(yè)機械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機等應用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET ARMS 電機驅動(dòng)器
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
巧用MOS管的體二極管
- 用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時(shí)體二極管是截至狀態(tài)的。用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時(shí)體二極管是截至狀
- 關(guān)鍵字： MOS 二極管
柵極長(cháng)度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性
- 當今行業(yè)中發(fā)現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問(wèn)題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現激進(jìn)的溝道長(cháng)度縮放。自從在現代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應晶體管 (FET) 以來(lái)，理論和應用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關(guān)鍵字： 柵極 FET
mos-fet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條mos-fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對mos-fet的理解，并與今后在此搜索mos-fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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