如何設計防反接保護電路？

　　利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導通和斷開(kāi)來(lái)設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。

　　防反接保護電路

　　1，通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向導電性來(lái)實(shí)現防反接保護。如下圖1示：

　　這種接法簡(jiǎn)單可靠，但當輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達到2A，如選用Onsemi的快速恢復二極管 MUR3020PT，額定管壓降為0.7V，那么功耗至少也要達到：Pd＝2A&TImes;0.7V＝1.4W，這樣效率低，發(fā)熱量大，要加散熱器。

　　2，另外還可以用二極管橋對輸入做整流，這樣電路就永遠有正確的極性（圖2）。這些方案的缺點(diǎn)是，二極管上的壓降會(huì )消耗能量。輸入電流為2A時(shí)，圖1中的電路功耗為1.4W，圖2中電路的功耗為2.8W。

　　圖1，一只串聯(lián)二極管保護系統不受反向極性影響，二極管有0.7V的壓降

　　圖2 是一個(gè)橋式整流器，不論什么極性都可以正常工作，但是有兩個(gè)二極管導通，功耗是圖1的兩倍。

　　利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導通和斷開(kāi)來(lái)設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。

　　MOS管型防反接保護電路

　　圖3利用了MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導通和斷開(kāi)來(lái)設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，現在 MOSFET Rds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。

　　極性反接保護將保護用場(chǎng)效應管與被保護電路串聯(lián)連接。保護用場(chǎng)效應管為PMOS場(chǎng)效應管或NMOS場(chǎng)效應管。若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護電路 的接地端和電源端，其漏極連接被保護電路中PMOS元件的襯底。若是NMOS，其柵極和源極分別連接被保護電路的電源端和接地端，其漏極連接被保護電路中 NMOS元件的襯底。一旦被保護電路的電源極性反接，保護用場(chǎng)效應管會(huì )形成斷路，防止電流燒毀電路中的場(chǎng)效應管元件，保護整體電路。

　　具體N溝道MOS管防反接保護電路電路如圖3示。

　　圖3. NMOS管型防反接保護電路

　　N 溝道MOS管通過(guò)S管腳和D管腳串接于電源和負載之間，電阻R1為MOS管提供電壓偏置，利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性控制電路的導通和斷開(kāi)，從而防止電源反接 給負載帶來(lái)?yè)p壞。正接時(shí)候，R1提供VGS電壓，MOS飽和導通。反接的時(shí)候MOS不能導通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有 20mΩ實(shí)際損耗很小，2A的電流，功耗為（2&TImes;2）&TImes;0.02=0.08W根本不用外加散熱片。解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò) 大的問(wèn)題。

　　VZ1為穩壓管防止柵源電壓過(guò)高擊穿mos管。NMOS管的導通電阻比PMOS的小，最好選NMOS。

　　NMOS管接在電源的負極，柵極高電平導通。

　　PMOS管接在電源的正極，柵極低電平導通。