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第二季全球DRAM產(chǎn)值成長(cháng)9% 韓商稱(chēng)霸
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，2014年第二季全球DRAM產(chǎn)值達108億美元，較上季成長(cháng)9%。由于產(chǎn)品比重調配得宜，三大DRAM廠(chǎng)獲利能力皆進(jìn)一步上升，其中仍以三星(Samsung)表現最佳，營(yíng)業(yè)獲利達39%，SK海力士(Hynix)以38%緊追在后，而美光集團(Micron)中則以華亞科營(yíng)業(yè)獲利達54.6%最為亮眼。 韓系廠(chǎng)商三星與SK海力士品牌記憶體市占率各為39%與27%，合計逼近七成全球市場(chǎng)占有率，影響力不容小覷，而美系廠(chǎng)商亦手
- 關(guān)鍵字： DRAM 20nm
世界DRAM市場(chǎng)企穩
- 原先DRAM在半導體產(chǎn)品中最是動(dòng)蕩不定，令人難以捉摸?？赏ㄟ^(guò)近年的整合，世界DRAM市場(chǎng)企穩：所存DRAM廠(chǎng)商已為數不多，如今三星、SK Hynix和Micron已成三巨頭鼎立之勢，且對DRAM都已不再有幾十億美元的大規模建設投資;產(chǎn)品應用從PC獨大擴展到了智能手機、平板電腦、網(wǎng)絡(luò )設備、車(chē)用電子等方方面面，增加了需求，(特別是移動(dòng)DRAM)提高了價(jià)格;DRAM平均單價(jià)呈上升態(tài)勢。據市調公司IC Insights最近報告，2013年的DRAM平均單價(jià)幾乎月月上揚，2014年2月的售價(jià)為3.19美元，創(chuàng )2
- 關(guān)鍵字： DRAM 半導體 201408
半導體一到五月產(chǎn)值達6000億元
- 行動(dòng)裝置熱銷(xiāo)，激勵今年1至5月半導體產(chǎn)值噴發(fā)達6,003億元，創(chuàng )歷年同期新高。展望未來(lái)，經(jīng)濟部統計處副處長(cháng)楊貴顯表示，第3季為傳統旺季，應能延續暢旺，第4季則視品牌大廠(chǎng)新品推陳出新時(shí)間表。 經(jīng)濟部統計處昨(5)日公布今年1至5月半導體產(chǎn)業(yè)統計數據，集成電路與半導體封測為我國半導體產(chǎn)業(yè)兩大主軸，合計兩者產(chǎn)值占整體逾九成，兩者今年1至5月產(chǎn)值皆創(chuàng )歷史同期新高，推升半導體產(chǎn)值續創(chuàng )新高。 楊貴顯說(shuō)，去年半導體產(chǎn)值增速已達二位數成長(cháng)，今年1至5月成長(cháng)動(dòng)能延續，上升至14.2%，凸顯半導體榮景
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
IC競爭 韓流來(lái)勢洶洶 臺灣高階化成效顯著(zhù)
- 經(jīng)濟部統計處5日公布上半年集成電路(簡(jiǎn)稱(chēng)IC)出口分布狀況，結果一喜一憂(yōu)。出口至東南亞的金額，出現跳躍性成長(cháng);但出口至大陸及香港的金額仍占整體逾半，即將面臨大陸與韓國嚴酷的挑戰。 按出口地區看，今年上半年臺灣集成電路出口到日本、韓國的金額，雙雙出現衰退，但出口至馬來(lái)西亞、菲律賓金額分別大幅成長(cháng)39.4%、26.4%。 經(jīng)濟部官員表示，近來(lái)臺灣半導體產(chǎn)業(yè)推動(dòng)高階化成效顯著(zhù)，國際競爭力越來(lái)越強，以DRAM為例，過(guò)去可能要回銷(xiāo)日韓做進(jìn)一步加工，才能出口至東南亞，現可直接出口東南亞國。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 DRAM
半導體與DRAM產(chǎn)值 同步創(chuàng )史上新高
- 以智慧型手機為首的行動(dòng)裝置全球熱賣(mài)，帶動(dòng)今年前5月半導體產(chǎn)值創(chuàng )下史上新高，達6003億元、年增14.2%。其中，低迷多年的DRAM出頭天，價(jià)量齊揚，以產(chǎn)值615億元也創(chuàng )下歷史新高，一口氣較去年同期成長(cháng)56.9%。 半導體是臺灣重要的外銷(xiāo)產(chǎn)業(yè)之一，今年上半年南韓及日本的出口衰退最多，對馬來(lái)西亞及菲律賓的出口成長(cháng)最快速。 經(jīng)濟部今天公布上述臺灣半導體產(chǎn)值的統計結果。更進(jìn)一步看，其中以積體電路業(yè)產(chǎn)值3916億元占65%為最大宗，半導體封裝及測試業(yè)產(chǎn)值1647億元占27%居次，2者合占逾9
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
第三季移動(dòng)存儲器體價(jià)格持平 廠(chǎng)商獲利穩定
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，2014年第三季行動(dòng)式記憶體價(jià)格與前季相較相對持穩，所有產(chǎn)品線(xiàn)的跌幅皆落在5%以?xún)?，其中大部分的智慧型手機廠(chǎng)甚至在第三季的采購價(jià)格與前季完全相同，在行動(dòng)式記憶體連續跌價(jià)超過(guò)兩年的前例看來(lái)，今年受旺季需求支撐所呈現的價(jià)格持平走勢相當難得，DRAM廠(chǎng)在該領(lǐng)域的獲利持續向上攀升。 DRAMeXChange研究協(xié)理吳雅婷表示，智慧型手機仍是第二季最大的需求來(lái)源，其中由于正值中國地區電信系統由3G轉4GTD-LTE，
- 關(guān)鍵字： 移動(dòng)存儲器體 DRAM
工程師們心目中那永遠的十款王牌存儲器
- 在如今這工程師漫山遍野的年代，工程師已經(jīng)變得隨處可見(jiàn)、遍地都是，但我相信每個(gè)工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫(xiě)類(lèi)、只可讀類(lèi)等等。同時(shí)存儲器在我們日常生活中也隨處可見(jiàn)，每人必備的U盤(pán)、硬盤(pán)、光盤(pán)等等，所以作為工程師的我們必須關(guān)注下這十款經(jīng)典的存儲器。下面就為大家帶來(lái)工程師們心目中那永遠的十款“王牌”存儲器。 NO.1：24C16 火熱度：????? 一款非常
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM DRAM
2013年全球內存模塊廠(chǎng)營(yíng)收排名
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下內存研究部門(mén)DRAMeXchange最新發(fā)表的模塊營(yíng)收調查顯示，2013年全球模塊市場(chǎng)總銷(xiāo)售金額約為73億美元，相較于2012年55億美元，大幅提升32%，主要受益于標準型內存價(jià)格的上漲、現貨市場(chǎng)轉趨熱絡(luò )及合約市場(chǎng)的比重提升。2013年模塊廠(chǎng)前十名幾乎囊括全球模塊市場(chǎng)中88%的營(yíng)業(yè)額，其中金士頓穩坐模塊廠(chǎng)龍頭，年營(yíng)收增長(cháng)約32%;威剛與記憶科技則分居二、三名，營(yíng)收也大幅增長(cháng)116%及37%。由于模塊廠(chǎng)營(yíng)業(yè)項目轉趨多元，本次排名僅針對各家模塊廠(chǎng)的DRAM營(yíng)收做統計
- 關(guān)鍵字： DRAM 內存模塊
DRAM價(jià)格居高不下 智能手機需求旺
- 近來(lái)DRAM價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應給日益成長(cháng)的智慧手機市場(chǎng)，令人擔心個(gè)人電腦(PC)未來(lái)的供應。預料在8月之前蘋(píng)果最新iPhone晶片采購達到高峰前，DRAM晶片價(jià)格都不會(huì )下滑。 在6月下半個(gè)月期間，DRAM產(chǎn)業(yè)指標產(chǎn)品2GBDDR3的大宗訂單價(jià)格約莫每單位2.03美元，而4G的繼格約每單位33美元。雖然這些價(jià)格與6月上半個(gè)月差不多，但與去年同期相比勁增20%。目前2GBDDR3現貨價(jià)約為每單位2.2美元。 市場(chǎng)需求上升不只來(lái)自蘋(píng)果，隨著(zhù)中國
- 關(guān)鍵字： DRAM 智能手機
DRAM下季合約價(jià)喊漲
- DRAM拉貨潮啟動(dòng)，加上芯片廠(chǎng)制程推進(jìn)受阻，主流DDR3 4Gb顆?，F貨報價(jià)攀上4.35美元，創(chuàng )近一年半新高價(jià)，本季漲幅近二成，有機會(huì )向歷史新高4.6美元邁進(jìn)，華亞科、南科將成為大贏(yíng)家。 DRAM市調機構集邦科技表示，本季DRAM現貨價(jià)與合約價(jià)價(jià)差已達20%，預估第3季合約價(jià)看漲5%至10%。IC通路商透露，三星已率先鳴槍?zhuān)ㄖ煜峦飞碳拔兄圃鞆S(chǎng)(OEM)廠(chǎng)，7月起漲幅10%，揭開(kāi)DRAM另一波漲勢。 集邦預期，下半年DRAM因各大芯片廠(chǎng)并無(wú)考慮增產(chǎn)，加上制程推進(jìn)和良率提升進(jìn)度緩慢，將
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實(shí)現
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲功能的部件。在高速數字系統當中通常用作數據緩存。在高速數據采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對大量數據進(jìn)行快速存儲和讀取，而這種先進(jìn)先出的結構特點(diǎn)很好地適應了這些要求，是傳統RAM無(wú)法達到的。 許多系統都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個(gè)FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導致系統結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制，來(lái)
- 關(guān)鍵字： FIFO SRAM DRAM CPLD
受惠三大因素上半年半導體業(yè)淡季不淡
- 根據拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)觀(guān)察，2014上半年臺灣IC設計產(chǎn)業(yè)受惠于中國大陸與新興市場(chǎng)智慧手機需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來(lái)LCDTV需求等三大因素，拉動(dòng)了智慧手機晶片、驅動(dòng)IC及電視SoC晶片之營(yíng)收持續高漲，形成半導體產(chǎn)業(yè)少見(jiàn)的淡季不淡現象。 展望2014下半年，雖為傳統旺季，但中國大陸6月份縮減了3G智慧型手機補助，為市場(chǎng)投下變數，中國4G/LTE手機的銷(xiāo)售情形，將成為左右臺廠(chǎng)營(yíng)收的重要關(guān)鍵。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預估，2014下半年臺灣IC設計營(yíng)收預估達80.7億美元，較去年同
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
海力士超車(chē)美光 躍居全球最大PC DRAM廠(chǎng)
- 南韓第二大記憶體廠(chǎng)SK海力士(SKHynix)首季超越勁敵美光，成為全球PC用動(dòng)態(tài)隨機記憶體(DRAM)第一大廠(chǎng)。 市調機構iSuppli數據顯示，SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%，重新奪回全球排名首位，而原居領(lǐng)先位置的美光則自前季的36.4%下滑至32.1%。另外，三星電子拿下26.3%的市占率，位居第三。 在伺服器用DRAM的市占率排名上，遙遙領(lǐng)先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光則為21%。 美光在行動(dòng)裝置市場(chǎng)以29.8%的市占率上板回
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
基于CPLD的DRAM控制器設計方法
- 80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導產(chǎn)品之一，已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內，集成有DRAM RCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動(dòng)產(chǎn)生DRAM刷新總線(xiàn)周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當編程后，RCU將向將處理器的 BIU(總線(xiàn)接口)單元產(chǎn)生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后，BIU單元執行刷新周期時(shí)，被編程的存儲器范圍片選有效。 存儲器是嵌入式計算機系統的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)
- 關(guān)鍵字： CPLD DRAM VHDL
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