IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
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時(shí)間：2009-12-17
來(lái)源：Semiconduct International
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IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節點(diǎn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/101470.htm在IEDM會(huì )議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱(chēng)該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(cháng)，非常適合于低功耗應用。除了場(chǎng)效應管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。
該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng )新，包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入)，以及提高的源漏架構。
該技術(shù)部分依賴(lài)于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的SOI晶圓。
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