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gan ic 文章 進(jìn)入gan ic技術(shù)社區
GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)
- 根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復合年增長(cháng) (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無(wú)到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場(chǎng)成長(cháng)則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著(zhù)GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競爭格局或將被改寫(xiě)。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”，五年后
- 關(guān)鍵字： GaN 車(chē)用功率器件 Transphorm SiC
漲知識！氮化鎵（GaN）器件結構與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結構的不同，本文通過(guò)深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進(jìn)行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說(shuō)明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN HEMT是基于A(yíng)lGaN/GaN異質(zhì)結，目前市面上還未出現G
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純化合物半導體代工廠(chǎng)推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日，純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結合了多項改進(jìn)，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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CGD為電機控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開(kāi)發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無(wú)刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤(pán)技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，
- 關(guān)鍵字： CGD 數據中心 逆變器 GaN 功率IC
CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開(kāi)發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現對潛在客戶(hù)的聯(lián)合訪(fǎng)問(wèn)和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團隊，在開(kāi)發(fā)電力解決方案方面有著(zhù)非常豐富的經(jīng)驗
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西門(mén)子推出 Solido IP 驗證套件，為下一代 IC 設計提供端到端的芯片質(zhì)量保證
- ●? ?西門(mén)子集成的驗證套件能夠在整個(gè)IC設計周期內提供無(wú)縫的IP質(zhì)量保證，為IP開(kāi)發(fā)團隊提供完整的工作流程西門(mén)子數字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動(dòng)化簽核解決方案，可為包括標準單元、存儲器和 IP 模塊在內的設計知識產(chǎn)權 (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證，能夠提升完整芯
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欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門(mén)。此次收購將為該公司專(zhuān)有的PowiGaN?技術(shù)的持續開(kāi)發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
- 關(guān)鍵字： Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
- 關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 3D IC
Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開(kāi)關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 氮化鎵 GaN
如何減少光學(xué)器件的數據延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
- 關(guān)鍵字： 3D-IC
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