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Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
- 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書(shū)。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車(chē)電力系統，以及已普遍用于工業(yè)、數據通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統。與替代技術(shù)相比，這些應用可受益于1
- 關(guān)鍵字： Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關(guān)型 氮化鎵.三相電力系統
EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專(zhuān)利
- 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿易委員會(huì )（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專(zhuān)利組合中的 四項專(zhuān)利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱(chēng)英諾賽科）侵犯。 這些專(zhuān)利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
- 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì )問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
- 關(guān)鍵字： ROHM 650V GaN HEMT
意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片
- 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動(dòng)
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動(dòng)器參考設計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實(shí)現更長(cháng)的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農業(yè)機械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機等應用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET ARMS 電機驅動(dòng)器
格力1.5億元參設創(chuàng )投基金，重點(diǎn)投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)
- 珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng )投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng )投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團、正方集團共同組建，計劃規模8億元，重點(diǎn)投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)。格力集團消息稱(chēng)，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng )投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： 格力 創(chuàng )投 基金 IC
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因
- 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數據中心依賴(lài)于日益流行的半導體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開(kāi)關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括 HVAC 系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線(xiàn)負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 GaN 電源管理
基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案
- 1. CPU Vcore 簡(jiǎn)介:VCORE轉換器（調節器）是在臺式個(gè)人電腦、筆記本式個(gè)人電腦、服務(wù)器、工業(yè)電腦等計算類(lèi)設備中為CPU（中央處理器）內核或GPU（圖形處理器）內核供電的器件，與普通的POL（負載點(diǎn)）調節器相比，它們要滿(mǎn)足完全不同的需要：CPU/GPU都表現為變化超快的負載，需要以極高的精度實(shí)現動(dòng)態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿(mǎn)足一定的負載線(xiàn)要求，需要在不同的節能狀態(tài)之間轉換，需要提供不同的參數測量和監控。在VCORE轉換器與CPU之間通常以串列
- 關(guān)鍵字： Richtek 立锜 Intel IMVP8 RT3607 多相電源 PWM IC
什么是混合信號 IC 設計？
- 在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內置在傳感器外殼中?，F代 IC 通常由來(lái)自各個(gè)領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統 (SoC) 和系統級封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個(gè) IC 上的每個(gè) IC 設計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡(jiǎn)介概述了典型混合信號 IC 設計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設計流程的視圖——同時(shí)具有模擬和數字電路的 IC 設計流程。數據轉換器——
- 關(guān)鍵字： 混合信號 IC
高電壓技術(shù)是構建更可持續未來(lái)的關(guān)鍵
- 隨著(zhù)世界各地的電力消耗持續增長(cháng)，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新讓設計工程師能夠開(kāi)發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著(zhù)人均用電量的持續增長(cháng)，可持續能源變得越來(lái)越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾?。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng )新是實(shí)現能源可持續的關(guān)鍵?！?隨著(zhù)電力需求的增加（在 2 秒內將電動(dòng)汽車(chē) (EV) 從 0mph加速到 60mph?
- 關(guān)鍵字： 高電壓技術(shù) 電動(dòng)汽車(chē) GaN IGBT
德州儀器推出業(yè)內先進(jìn)的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設計
- 中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內先進(jìn)的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實(shí)施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統成本增強系統功能，同時(shí)滿(mǎn)足 EMI 監管標準。 隨著(zhù)電氣系統變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關(guān)鍵系統設計考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實(shí)驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創(chuàng )新開(kāi)發(fā)，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 有源 EMI 濾波器 IC 電源設計
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan ic的理解，并與今后在此搜索gan ic的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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